SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
3QHTF53-12.15269-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF53-12.15269-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.15269 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF53-12.15269-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
ASTMHTV-100.000MHZ-XK-E Abracon LLC ASTMHTV-100.000MHz-XK-E -
RFQ
ECAD 3540 0.00000000 Abracon LLC astmht 조각 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - MEMS ± 30ppm - -
SIT5156AE-FA-33E0-16.369000 SiTime SIT5156AE-FA-33E0-16.369000 53.1800
RFQ
ECAD 7321 0.00000000 시민 SIT5156, 5 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.042 "(1.06mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO SIT5156 16.369 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 53MA MEMS ± 1ppm - - 51MA
SIT3372AI-4B3-33NE148.500000 SiTime SIT3372AI-4B3-33NE148.500000 8.5400
RFQ
ECAD 8890 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 148.5 MHz HCSL 3.3v 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 50ppm ± 45ppm - -
SIT9003AC-34-18DQ-24.00000 SiTime SIT9003AC-34-18DQ-24.00000 2.2000
RFQ
ECAD 7119 0.00000000 시민 SIT9003 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 24 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 3.5MA MEMS ± 100ppm - -1.00%, 00 확산
SIT3372AI-1B2-30NU204.800000 SiTime SIT3372AI-1B2-30NU204.800000 11.0000
RFQ
ECAD 1613 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 204.8 MHz lvpecl 3V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 3170ppm - -
SIT3372AC-1E2-25NH148.425787 SiTime SIT3372AC-1E2-25NH148.425787 13.0100
RFQ
ECAD 1888 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 148.425787 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 170ppm - -
3QHTF22-77.048-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-77.048-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 77.048 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-77.048-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 26MA 결정 ± 50ppm - -
SIT8208AI-G1-28S-24.000000T SiTime SIT8208AI-G1-28S-24.000000T 1.8792
RFQ
ECAD 2736 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 24 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 20ppm - - 70µA
531NB161M132DG Skyworks Solutions Inc. 531NB161M132DG 9.3288
RFQ
ECAD 3403 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI531 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 531NB 161.132 MHz LVD 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 98ma 결정 ± 20ppm - - 75MA
SIT3373AI-1B9-28NZ622.080000 SiTime SIT3373AI-1B9-28NZ622.080000 11.2100
RFQ
ECAD 4252 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 622.08 MHz lvpecl 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 1560ppm -
FCO5C012987A3CCU00 Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited FCO5C012987A3CCU00 0.6105
RFQ
ECAD 6655 0.00000000 후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한 FCO-5C 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.9876 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4972-FCO5C012987A3CCU00tr 귀 99 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - -
HG-2150CA 1.0000M-BXH EPSON HG-2150CA 1.0000M-BXH -
RFQ
ECAD 4418 0.00000000 엡슨 HG-2150CA 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 1MHz CMOS 5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 25ppm - 15MA
SIT9120AC-1C2-25S166.000000 SiTime SIT9120AC-1C2-25S166.000000 5.3500
RFQ
ECAD 6379 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 166 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 69ma MEMS ± 25ppm - -
550CH48M8281DGR Skyworks Solutions Inc. 550CH48M8281DGR 12.9942
RFQ
ECAD 7363 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI550 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 550CH 48.8281 MHz CMOS 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 98ma 결정 ± 20ppm ± 185ppm - 75MA
18QHTF57-116.480-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57-116.480-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 116.48 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF57-116.480-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 28ma 결정 ± 50ppm - -
SG-8018CA 15.5500M-TJHPA0 EPSON SG-8018CA 15.5500M-TJHPA0 0.7121
RFQ
ECAD 3487 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 15.55 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CA15.5500M-TJHPA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3.5MA 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
3QHTF22-73.144-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-73.144-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 73.144 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-73.144-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 26MA 결정 ± 50ppm - -
SG-8101CA 28.636360M-TBGSA0 EPSON SG-8101CA 28.636360M-TBGSA0 1.6842
RFQ
ECAD 5160 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 28.63636 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA28.636360M-TBGSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 1.1µA
AMPMGFB-2.097152T Abracon LLC AMPMGFB-2.097152T -
RFQ
ECAD 1162 0.00000000 Abracon LLC AMPM 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 2.0972 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - 160µA
510CABM400000BAGR Skyworks Solutions Inc. 510CABM400000BAGR 3.3542
RFQ
ECAD 4970 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI510 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.050 "(1.28mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 510cab 400 kHz CMOS 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 26MA 결정 ± 50ppm - - 18MA
580R24C02CTT CTS-Frequency Controls 580R24C02CTT 16.8594
RFQ
ECAD 6392 0.00000000 cts- 제어 주파수 580 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.079 "(2.00mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 TCXO 580 24.576 MHz 사인파를 사인파를 3V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 110-580R24C02CTTTR 귀 99 8541.60.0080 1,000 - 6MA 결정 ± 200ppb - - -
8NJ-75.000MDJ-T TXC CORPORATION 8NJ-75.000MDJ-T 0.9828
RFQ
ECAD 2732 0.00000000 TXC Corporation 8nj 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.033 "(0.83mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 75MHz CMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 887-8NJ-75.000MDJ-TTR 귀 99 8541.60.0080 3,000 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - - 18MA
SIT8208AC-G2-25E-33.300000Y SiTime SIT8208AC-G2-25E-33.300000Y 1.5196
RFQ
ECAD 9852 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 33.3 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 25ppm - - 31MA
510CABM600000BAGR Skyworks Solutions Inc. 510CABM600000BAGR 3.3542
RFQ
ECAD 2377 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI510 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.050 "(1.28mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 510cab 600 kHz CMOS 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 26MA 결정 ± 50ppm - - 18MA
SIT1602BI-81-33E-27.000000 SiTime SIT1602BI-81-33E-27.000000 1.6000
RFQ
ECAD 1188 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 20ppm - -
AMPMAGA-12.2880T Abracon LLC AMPMAGA-12880T -
RFQ
ECAD 3970 0.00000000 Abracon LLC AMPM 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.288 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - -
SIT3373AC-1E3-33NH364.800000 SiTime SIT3373AC-1E3-33NH364.800000 9.9000
RFQ
ECAD 3411 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 364.8 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm ± 145ppm -
AX7DCF2-640.0000 Abracon LLC AX7DCF2-640.0000 -
RFQ
ECAD 2216 0.00000000 Abracon LLC ClearClock ™ AX7 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 640MHz LVD 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 70ma 결정 ± 25ppm - 65MA
3QHTF22-24.100-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-24.100-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.1 MHz LVCMOS 3.3v - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-24.100-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고