SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
SG-8101CA 6.764380M-TCHPA0 EPSON SG-8101CA 6.764380M-TCHPA0 1.6842
RFQ
ECAD 6306 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 6.76438 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA6.764380M-TCHPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 3.5MA
SIT8208AI-21-28S-74.175824 SiTime SIT8208AI-21-28S-74.175824 3.3000
RFQ
ECAD 6176 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 74.175824 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 20ppm - -
3QHM53D3.0-16.9344 Mercury United Electronics, Inc. 3QHM53D3.0-16.9344 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -45 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 SSXO 16.9344 MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHM53D3.0-16.9344 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 결정 ± 50ppm - -3.00%,, 스프레드
18QHTF22-53.330-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-53.330-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 53.33 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-53.330-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 24MA 결정 ± 50ppm - -
SIT8208AI-GF-28S-4.096000T SiTime SIT8208AI-GF-28S-4.096000T 3.8969
RFQ
ECAD 8699 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4.096 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AC-2F-28S-33.330000T SiTime SIT8208AC-2F-28S-33.330000T 3.6149
RFQ
ECAD 6654 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.33 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SG-8101CE 11.059920M-TCHPA0 EPSON SG-8101CE 11.059920M-TCHPA0 0.7449
RFQ
ECAD 6753 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 11.05992 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CE11.059920M-TCHPA0TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 3.5MA
638V16115C2T CTS-Frequency Controls 638V16115C2T 5.8959
RFQ
ECAD 6130 0.00000000 cts- 제어 주파수 638 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.079 "(2.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 161.1328 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 25ppm - -
638V16115I2T CTS-Frequency Controls 638V16115I2T 6.0272
RFQ
ECAD 8814 0.00000000 cts- 제어 주파수 638 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.079 "(2.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 161.1328 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 25ppm - -
653E14856C3T CTS-Frequency Controls 653E14856C3T 3.3757
RFQ
ECAD 2814 0.00000000 cts- 제어 주파수 653 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 148.5 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 88ma 결정 ± 20ppm - -
SIT9365AC-2E1-33N133.333333 SiTime SIT9365AC-2E1-33N133.333333 13.7100
RFQ
ECAD 6798 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 133.333333 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 20ppm - -
SG-8101CG 6.4512M-TCHSA0 EPSON SG-8101CG 6.4512M-TCHSA0 2.0796
RFQ
ECAD 3500 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 6.4512 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-sg-8101cg6.4512m-tchsa0tr 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
530CB20M0000DG Skyworks Solutions Inc. 530CB20M0000DG 11.8800
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI530 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 530cb 20MHz CMOS 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 88ma 결정 ± 20ppm - - 75MA
18QHTF22-9.529-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-9.529-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 9.529 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-9.529-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 21ma 결정 ± 50ppm - -
SIT8208AI-G2-33E-74.175824X SiTime SIT8208AI-G2-33E-74.175824X 1.9722
RFQ
ECAD 1193 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 74.175824 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 25ppm - - 31MA
SIT8208AI-G2-33E-65.000000X SiTime SIT8208AI-G2-33E-65.000000X 1.9722
RFQ
ECAD 6983 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 65MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 25ppm - - 31MA
18QHTF21-27.480-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21-27.480-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27.48 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF21-27.480-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
18QHTF21-80.911-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21-80.911-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 80.911 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF21-80.911-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 26MA 결정 ± 50ppm - -
ASTMHTFL-16.000MHZ-AK-E Abracon LLC astmhtfl-16.000mhz-ak-e -
RFQ
ECAD 5406 0.00000000 Abracon LLC astmht 조각 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - MEMS ± 30ppm - -
25QHTF32-80.37225-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32-80.37225-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 80.37225 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF32-80.37225-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 26MA 결정 ± 50ppm - -
SIT1602BC-23-XXS-62.500000 SiTime SIT1602BC-23-XXS-62.500000 1.2600
RFQ
ECAD 1306 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 62.5 MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 50ppm - -
3QHTF57-150.428-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57-150.428-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 150.428 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF57-150.428-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 29ma 결정 ± 50ppm - -
SIT3373AC-4B9-30NC256.000000 SiTime SIT3373AC-4B9-30NC256.000000 10.9200
RFQ
ECAD 8466 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 256 MHz HCSL 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm - -
SIT3808AI-22-33NH-80.000000 SiTime SIT3808AI-22-33NH-80.000000 6.7900
RFQ
ECAD 5718 0.00000000 시민 SIT3808 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 VCXO SIT3808 80MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 33MA MEMS ± 25ppm - -
550CC19M4400DG Skyworks Solutions Inc. 550CC19M4400DG 11.7220
RFQ
ECAD 7379 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI550 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 550cc 19.44 MHz CMOS 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 98ma 결정 ± 50ppm ± 150ppm - 75MA
550CA49M1520DG Skyworks Solutions Inc. 550CA49M1520DG 11.3686
RFQ
ECAD 1656 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI550 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 550ca 49.152 MHz CMOS 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 98ma 결정 ± 100ppm ± 100ppm - 75MA
353LB5I388T CTS-Frequency Controls 353lb5i388t 1.8746
RFQ
ECAD 3006 0.00000000 cts- 제어 주파수 353 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 38.88 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 25ppm - -
SG-8101CE 103.8000M-TCHSA0 EPSON SG-8101CE 103.8000M-TCHSA0 0.7449
RFQ
ECAD 8675 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 103.8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-sg-8101ce103.8000m-tchsa0tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
SG-8101CB 49.9600M-TBGSA0 EPSON SG-8101CB 49.9600M-TBGSA0 1.8746
RFQ
ECAD 3009 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 49.96 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CB49.9600M-TBGSA0TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 1.1µA
18QHTF53-15.900-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF53-15.900-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 15.9 MHz LVCMOS 1.8V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF53-15.900-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고