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발진기 (651585)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 3QHTF22-44.21875-PD | 20.2500 |  | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 3QHTF22 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 44.21875 MHz | LVCMOS | 3.3v | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-3QHTF22-44.21875-PD | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 대기 (다운 전원) | 23MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
 | 3QHTF21-122.880-PD | 20.2500 | | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 3QHTF21 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 122.88 MHz | LVCMOS | 3.3v | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-3QHTF21-122.880-PD | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 대기 (다운 전원) | 28ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
 | AMPMGED-22.5792 | - | | 2081 | 0.00000000 | Abracon LLC | AMPM | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 22.5792 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | 160µA | ||||
 | SIT3373AI-1E3-33NX270.000000 | 8.5500 | | 6498 | 0.00000000 | 시민 | SIT3373, 7 플랫폼 ™ | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | VCXO | 270 MHz | lvpecl | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | MEMS | ± 50ppm | ± 345ppm | - | |||||||
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 | SIT3373AI-2B3-30NC625.000000 | 10.1900 | | 1561 | 0.00000000 | 시민 | SIT3373, 7 플랫폼 ™ | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 625 MHz | LVD | 3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | MEMS | ± 50ppm | - | - | |||||||
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 | SIT8208AI-81-18S-6.000000 | 3.5100 | | 3467 | 0.00000000 | 시민 | SIT8208 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 6MHz | lvcmos, lvttl | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 (다운 전원) | 31MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | |||||
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 | 532R14725ITT | 3.1783 | | 1236 | 0.00000000 | cts- 제어 주파수 | 532 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.065 "(1.65mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 532 | 14.7456 MHz | 사인파를 사인파를 | 3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 110-532R14725ITTTR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | - | 2MA | 결정 | ± 2.5ppm | - | - | - | ||
 | SG-8018CG 32.7750M-TJHPA0 | 0.5606 | | 2379 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 32.775 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CG32.7750M-TJHPA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 3.5MA | ||
 | DSC1001AI2-024.0000 | - | | 3266 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 24 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 6.3ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||
| SIT3373AC-2E2-30NE250.000000 | 13.0100 | | 4242 | 0.00000000 | 시민 | SIT3373, 7 플랫폼 ™ | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | VCXO | 250MHz | LVD | 3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | MEMS | ± 25ppm | ± 70ppm | - | |||||||
 | 25QHM53C2.0-32.000 | 20.2500 | | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | Quikxo | 조각 | 활동적인 | -45 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | SSXO | 32 MHz | CMOS (EMI) | 2.5V | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-25QHM53C2.0-32.000 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 활성화/비활성화 | 결정 | ± 50ppm | - | ± 2.00%, 00 스프레드 | ||||
 | 18QHTF57-12.7455-OE | 20.2500 | | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 18QHTF57 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 12.7455 MHz | LVCMOS | 1.8V | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-18QHTF57-12.7455-OE | 귀 99 | 8541.60.0050 | 5 | 활성화/비활성화 | 22MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
 | SIT3372AC-1B9-28NE61.440000 | 10.9200 | | 5693 | 0.00000000 | 시민 | Sit3372, 7 플랫폼 ™ | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 61.44 MHz | lvpecl | 2.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 92MA | MEMS | ± 35ppm | ± 60ppm | - | - | |||||
 | AMPMAEA-29.5000T3 | - | | 4271 | 0.00000000 | Abracon LLC | AMPM | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 29.5MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | ||||
| SIT3373AC-4E9-25NG256.000000 | 10.9200 | | 4258 | 0.00000000 | 시민 | SIT3373, 7 플랫폼 ™ | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | VCXO | 256 MHz | HCSL | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | MEMS | ± 35ppm | ± 110ppm | - | |||||||
 | ASVMX-212.500MHZ-3ABA | 7.6611 | | 5993 | 0.00000000 | Abracon LLC | ASVMX | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 212.5 MHz | lvpecl | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 535-12991 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 43 | 활성화/비활성화 | 120ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
| SIT3373AI-4B9-33NY445.500000 | 11.2100 | | 3504 | 0.00000000 | 시민 | SIT3373, 7 플랫폼 ™ | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 445.5 MHz | HCSL | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | MEMS | ± 35ppm | ± 760ppm | - | |||||||
| 18QHTF57-44.2368 -OE | 20.2500 | | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 18QHTF57 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 44.2368 MHz | LVCMOS | 1.8V | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-18QHTF57-44.2368 -OE | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 활성화/비활성화 | 23MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
| SIT9365AC-4E1-33N322.265625 | 13.7100 | | 3215 | 0.00000000 | 시민 | SIT9365, 6 플랫폼 ™ | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | 322.265625 MHz | HCSL | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | MEMS | ± 20ppm | - | - | ||||||
| 4MA13333Z4AACUGI8 | - | | 3978 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 4MA | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 133.333 MHz | LVD | 3.3v | - | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 활성화/비활성화 | 105ma (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | ||||||
 | SIT1602BI-22-XXE-200000 | 1.4100 | | 2863 | 0.00000000 | 시민 | SIT1602B | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 19.2 MHz | HCMOS, LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 4.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | ||||
 | 3QHTF57-173.230-PD | 20.2500 | | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 3QHTF57 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 173.23 MHz | LVCMOS | 3.3v | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-3QHTF57-173.230-PD | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 대기 (다운 전원) | 29ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
 | 3QHTF32-59.49767-PD | 20.2500 | | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 3QHTF32 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 59.49767 MHz | LVCMOS | 3.3v | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-3QHTF32-59.49767-PD | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 대기 (다운 전원) | 24MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
| SIT8208AI-G1-18E-4.096000X | 2.4360 | | 8321 | 0.00000000 | 시민 | SIT8208 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | SIT8208 | 4.096 MHz | lvcmos, lvttl | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 31MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 30ma | ||
 | 18QHTF32-50.0733-PD | 20.2500 | | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 18QHTF32 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 50.0733 MHz | LVCMOS | 1.8V | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-18QHTF32-50.0733-PD | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 대기 (다운 전원) | 24MA | 결정 | ± 50ppm | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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