전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CA50P12507HNR | 4.2041 | ![]() | 4399 | 0.00000000 | cts- 제어 주파수 | CA50P | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | CA50 | 125MHz | lvpecl | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 110-CA50P12507HNRTR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 80ma | 결정 | ± 150ppm | - | - | 15µA | |
![]() | SIT8208AI-GF-25S-19.200000X | 4.6880 | ![]() | 6338 | 0.00000000 | 시민 | SIT8208 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 19.2 MHz | lvcmos, lvttl | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 대기 (다운 전원) | 33MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 70µA | |||
![]() | 3QHTF21-155.514-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 3QHTF21 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 155.514 MHz | LVCMOS | 3.3v | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-3QHTF21-155.514-PD | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 대기 (다운 전원) | 29ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
![]() | 25QHTF21-20.025-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 25QHTF21 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 20.025 MHz | LVCMOS | 2.5V | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-25QHTF21-20.025-OE | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 활성화/비활성화 | 22MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
![]() | VMQF326P33-95.573-1.0/-40+85 | 35.7500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | Quikxo | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.067 "(1.70mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | vctcxo | 95.573 MHz | lvpecl | 3.3v | 다운로드 | rohs 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-VMQF326P33-95.573-1.0/-40+85 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 3 | 진폭 진폭 | 38MA (유형) | 결정 | ± 1ppm | ± 8ppm | - | 18MA (유형) | ||
![]() | SG-8018CA 125.009375M-TJHSA0 | 0.7121 | ![]() | 1267 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 125.009375 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CA125.009375M-TJHSA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 1.1µA | ||
![]() | 25QHTF57-123.930-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 25QHTF57 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 123.93 MHz | LVCMOS | 2.5V | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-25QHTF57-123.930-OE | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 활성화/비활성화 | 28ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
![]() | 3QHTF21-3.319507-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 3QHTF21 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 3.319507 MHz | LVCMOS | 3.3v | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-3QHTF21-3.319507-PD | 귀 99 | 8541.60.0030 | 5 | 대기 (다운 전원) | 21ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
![]() | 533R10025ITT | 3.1783 | ![]() | 7132 | 0.00000000 | cts- 제어 주파수 | 533 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.065 "(1.65mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 533 | 10MHz | HCMOS | 3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 110-533R10025ITTTR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10MA | 결정 | ± 2.5ppm | - | - | 10µA | ||
![]() | 517R48020CTR | 1.9416 | ![]() | 2489 | 0.00000000 | cts- 제어 주파수 | 517 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 517 | 48MHz | HCMOS | 3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 110-517R48020CTR | 귀 99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 대기 (다운 전원) | 10MA | 결정 | ± 2ppm | - | - | 10µA | ||
![]() | SG-8018CE 44.2360M-TJHSA0 | 0.5909 | ![]() | 8637 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 44.236 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CE44.2360M-TJHSA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 1.1µA | ||
![]() | 25QHM53C0.5-34.7478 | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | Quikxo | 조각 | 활동적인 | -45 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | SSXO | 34.7478 MHz | CMOS (EMI) | 2.5V | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-25QHM53C0.5-34.7478 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 활성화/비활성화 | 결정 | ± 50ppm | - | ± 0.50%, 50 스프레드 | ||||
![]() | SG-8018CE 22.1180M-TJHPA0 | 0.5909 | ![]() | 4502 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 22.118 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CE22.1180M-TJHPA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 3.5MA | ||
![]() | SIT1602BC-21-28S-30.000000 | 1.4800 | ![]() | 3243 | 0.00000000 | 시민 | SIT1602B | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 30MHz | HCMOS, LVCMOS | 2.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 (다운 전원) | 4.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | ||||
![]() | 3QHTF22-9.746-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 3QHTF22 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 9.746 MHz | LVCMOS | 3.3v | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-3QHTF22-9.746-OE | 귀 99 | 8541.60.0050 | 5 | 활성화/비활성화 | 21ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
![]() | SG-8101CE 13.9513M-TCHSA0 | 0.7449 | ![]() | 1503 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | SG-8101 | 13.9513 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8101CE13.9513M-TCHSA0TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.8ma (유형) | 결정 | ± 20ppm | - | - | 1.1µA | |
![]() | 516N38410IT | 1.9416 | ![]() | 5273 | 0.00000000 | cts- 제어 주파수 | 516 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 38.4 MHz | 사인파를 사인파를 | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 2.5MA | 결정 | ± 1ppm | - | - | - | ||||
![]() | 25QHTF57-75.540-PD | 20.2500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 25QHTF57 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 75.54 MHz | LVCMOS | 2.5V | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-25QHTF57-75.540-PD | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 대기 (다운 전원) | 26MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
![]() | 25QHTF57-49.660-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 25QHTF57 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 49.66 MHz | LVCMOS | 2.5V | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-25QHTF57-49.660-OE | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 활성화/비활성화 | 23MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
![]() | 18QHTF22-108.108-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 18QHTF22 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 108.108 MHz | LVCMOS | 1.8V | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-18QHTF22-108.108-OE | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 활성화/비활성화 | 28ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
![]() | CE3391-1.843200 | 1.4749 | ![]() | 9292 | 0.00000000 | Crystek Corporation | C33 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.283 "L x 0.205"W (7.20mm x 5.20mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 1.8432 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | CE3391-1.843200MHz | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 18MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | |||
![]() | SIT1602BC-22-28S-28.636300 | 1.3800 | ![]() | 4310 | 0.00000000 | 시민 | SIT1602B | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 28.6363 MHz | HCMOS, LVCMOS | 2.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 (다운 전원) | 4.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | ||||
![]() | SIT1602BI-32-33E-25.000000 | 1.5000 | ![]() | 1831 | 0.00000000 | 시민 | SIT1602B | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25MHz | HCMOS, LVCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 4.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | ||||
![]() | DSC6003HA3B-016.0000 | - | ![]() | 1375 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 가방 | 활동적인 | - | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6003 | 16MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | - | - | - | - | ||
AMPMAFB-62.5000T | - | ![]() | 5330 | 0.00000000 | Abracon LLC | AMPM | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 62.5 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | 160µA | |||||
![]() | 25QHM53D1.0-34.4347 | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | Quikxo | 조각 | 활동적인 | -45 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | SSXO | 34.4347 MHz | CMOS (EMI) | 2.5V | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-25QHM53D1.0-34.4347 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 활성화/비활성화 | 결정 | ± 50ppm | - | -1.00%, 00 확산 | ||||
![]() | Twetlljanf-26.000000 | 26.9224 | ![]() | 3763 | 0.00000000 | Taitien | 트위 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.065 "(1.65mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 26 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 8ma | 결정 | ± 370ppb | - | - | ||||
![]() | 18QHTF53-48.896-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 18QHTF53 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 48.896 MHz | LVCMOS | 1.8V | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-18QHTF53-48.896-OE | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 활성화/비활성화 | 23MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
![]() | SIT3372AC-1B3-28NY35.328000 | 9.9000 | ![]() | 5841 | 0.00000000 | 시민 | Sit3372, 7 플랫폼 ™ | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 35.328 MHz | lvpecl | 2.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 92MA | MEMS | ± 50ppm | ± 745ppm | - | - | |||||
![]() | SIT3372AC-1B2-33NY173.370750 | 13.0000 | ![]() | 1422 | 0.00000000 | 시민 | Sit3372, 7 플랫폼 ™ | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 173.37075 MHz | lvpecl | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 92MA | MEMS | ± 25ppm | ± 770ppm | - | - |
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