SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
CA50P12507HNR CTS-Frequency Controls CA50P12507HNR 4.2041
RFQ
ECAD 4399 0.00000000 cts- 제어 주파수 CA50P 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) CA50 125MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 110-CA50P12507HNRTR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 80ma 결정 ± 150ppm - - 15µA
SIT8208AI-GF-25S-19.200000X SiTime SIT8208AI-GF-25S-19.200000X 4.6880
RFQ
ECAD 6338 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 19.2 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
3QHTF21-155.514-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21-155.514-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 155.514 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF21-155.514-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 29ma 결정 ± 50ppm - -
25QHTF21-20.025-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21-20.025-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20.025 MHz LVCMOS 2.5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF21-20.025-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
VMQF326P33-95.573-1.0/-40+85 Mercury United Electronics, Inc. VMQF326P33-95.573-1.0/-40+85 35.7500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 vctcxo 95.573 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 2425-VMQF326P33-95.573-1.0/-40+85 귀 99 8541.60.0060 3 진폭 진폭 38MA (유형) 결정 ± 1ppm ± 8ppm - 18MA (유형)
SG-8018CA 125.009375M-TJHSA0 EPSON SG-8018CA 125.009375M-TJHSA0 0.7121
RFQ
ECAD 1267 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 125.009375 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CA125.009375M-TJHSA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 1.1µA
25QHTF57-123.930-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57-123.930-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 123.93 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF57-123.930-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 28ma 결정 ± 50ppm - -
3QHTF21-3.319507-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21-3.319507-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 3.319507 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF21-3.319507-PD 귀 99 8541.60.0030 5 대기 (다운 전원) 21ma 결정 ± 50ppm - -
533R10025ITT CTS-Frequency Controls 533R10025ITT 3.1783
RFQ
ECAD 7132 0.00000000 cts- 제어 주파수 533 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.065 "(1.65mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 533 10MHz HCMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 110-533R10025ITTTR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 10MA 결정 ± 2.5ppm - - 10µA
517R48020CTR CTS-Frequency Controls 517R48020CTR 1.9416
RFQ
ECAD 2489 0.00000000 cts- 제어 주파수 517 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 517 48MHz HCMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 110-517R48020CTR 귀 99 8541.60.0060 3,000 대기 (다운 전원) 10MA 결정 ± 2ppm - - 10µA
SG-8018CE 44.2360M-TJHSA0 EPSON SG-8018CE 44.2360M-TJHSA0 0.5909
RFQ
ECAD 8637 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 44.236 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CE44.2360M-TJHSA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 1.1µA
25QHM53C0.5-34.7478 Mercury United Electronics, Inc. 25QHM53C0.5-34.7478 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -45 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 SSXO 34.7478 MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHM53C0.5-34.7478 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 결정 ± 50ppm - ± 0.50%, 50 스프레드
SG-8018CE 22.1180M-TJHPA0 EPSON SG-8018CE 22.1180M-TJHPA0 0.5909
RFQ
ECAD 4502 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 22.118 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CE22.1180M-TJHPA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
SIT1602BC-21-28S-30.000000 SiTime SIT1602BC-21-28S-30.000000 1.4800
RFQ
ECAD 3243 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 30MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 20ppm - -
3QHTF22-9.746-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-9.746-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 9.746 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-9.746-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 21ma 결정 ± 50ppm - -
SG-8101CE 13.9513M-TCHSA0 EPSON SG-8101CE 13.9513M-TCHSA0 0.7449
RFQ
ECAD 1503 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 13.9513 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CE13.9513M-TCHSA0TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
516N38410ITR CTS-Frequency Controls 516N38410IT 1.9416
RFQ
ECAD 5273 0.00000000 cts- 제어 주파수 516 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 38.4 MHz 사인파를 사인파를 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 2.5MA 결정 ± 1ppm - - -
25QHTF57-75.540-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57-75.540-PD 20.2500
RFQ
ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 75.54 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF57-75.540-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 26MA 결정 ± 50ppm - -
25QHTF57-49.660-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57-49.660-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 49.66 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF57-49.660-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
18QHTF22-108.108-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-108.108-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 108.108 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-108.108-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 28ma 결정 ± 50ppm - -
CE3391-1.843200 Crystek Corporation CE3391-1.843200 1.4749
RFQ
ECAD 9292 0.00000000 Crystek Corporation C33 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.283 "L x 0.205"W (7.20mm x 5.20mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 1.8432 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CE3391-1.843200MHz 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 18MA 결정 ± 25ppm - -
SIT1602BC-22-28S-28.636300 SiTime SIT1602BC-22-28S-28.636300 1.3800
RFQ
ECAD 4310 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 28.6363 MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
SIT1602BI-32-33E-25.000000 SiTime SIT1602BI-32-33E-25.000000 1.5000
RFQ
ECAD 1831 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
DSC6003HA3B-016.0000 Microchip Technology DSC6003HA3B-016.0000 -
RFQ
ECAD 1375 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 활동적인 - AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6003 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS - - - -
AMPMAFB-62.5000T Abracon LLC AMPMAFB-62.5000T -
RFQ
ECAD 5330 0.00000000 Abracon LLC AMPM 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 62.5 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - 160µA
25QHM53D1.0-34.4347 Mercury United Electronics, Inc. 25QHM53D1.0-34.4347 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -45 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 SSXO 34.4347 MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHM53D1.0-34.4347 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 결정 ± 50ppm - -1.00%, 00 확산
TWETLLJANF-26.000000 Taitien Twetlljanf-26.000000 26.9224
RFQ
ECAD 3763 0.00000000 Taitien 트위 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.065 "(1.65mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 26 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 100 - 8ma 결정 ± 370ppb - -
18QHTF53-48.896-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF53-48.896-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 48.896 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF53-48.896-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
SIT3372AC-1B3-28NY35.328000 SiTime SIT3372AC-1B3-28NY35.328000 9.9000
RFQ
ECAD 5841 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 35.328 MHz lvpecl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 50ppm ± 745ppm - -
SIT3372AC-1B2-33NY173.370750 SiTime SIT3372AC-1B2-33NY173.370750 13.0000
RFQ
ECAD 1422 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 173.37075 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 770ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고