SIC
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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SG-8018CB 4.433619M-TJHPA0 EPSON SG-8018CB 4.433619M-TJHPA0 0.6363
RFQ
 ECAD 2403 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4.433619 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CB4.433619M-TJHPA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3.5MA 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
SIT8208AI-32-18S-66.666000 SiTime SIT8208AI-32-18S-66.666000 3.1700
RFQ
 ECAD 1569 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.666 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 25ppm - -
SG-636PCE 14.3180MC3:ROHS EPSON SG-636PCE 14.3180MC3 : ROHS -
RFQ
 ECAD 3866 0.00000000 엡슨 SG-636 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.413 "L x 0.197"W (10.50mm x 5.00mm) 0.106 "(2.70mm) 표면 표면 4-SOJ, 5.08mm 피치 xo (표준) 14.318 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 9MA 결정 - - 5MA
SIT3373AI-2E3-28NU307.695484 SiTime SIT3373AI-2E3-28NU307.695484 10.2000
RFQ
 ECAD 4434 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 307.695484 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm ± 3145ppm -
SIT1602BI-72-33N-7.372800 SiTime SIT1602BI-72-33N-7.372800 1.4100
RFQ
 ECAD 1983 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 7.3728 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
3QHTF53-8.064-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF53-8.064-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8.064 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF53-8.064-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 21ma 결정 ± 50ppm - -
SIT8208AI-G3-18E-16.368000T SiTime SIT8208AI-G3-18E-16.368000T 1.3174
RFQ
 ECAD 7838 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 16.368 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 50ppm - - 30ma
18QHTF32-77.700-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32-77.700-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 77.7 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF32-77.700-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 26MA 결정 ± 50ppm - -
3QHTF57-176.095-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57-176.095-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 176.095 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF57-176.095-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 29ma 결정 ± 50ppm - -
VX-705-1025-155M520000 Microchip Technology VX-705-1025-155M520000 -
RFQ
 ECAD 7308 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VX-705 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.082 "(2.09mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 155.52 MHz - - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VX-705-1025-155M520000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
DSC6331CI2BA-008.0040T Microchip Technology DSC6331CI2BA-008.0040T -
RFQ
 ECAD 4302 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 8.004 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 150-DSC6331CI2BA-008.0040T 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 -
3QHTF21-32.512-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21-32.512-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32.512 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF21-32.512-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
SIT8208AI-G2-28S-33.333300X SiTime SIT8208AI-G2-28S-33.333300X 1.9722
RFQ
 ECAD 1854 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 33.3333 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 25ppm - - 70µA
25QHTF53-63.050-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53-63.050-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 63.05 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF53-63.050-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 24MA 결정 ± 50ppm - -
SIT9120AC-1C2-XXS156.250000 SiTime SIT9120AC-1C2-XXS156.250000 5.3500
RFQ
 ECAD 4088 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 69ma MEMS ± 25ppm - -
510BBA10M0000BAG Skyworks Solutions Inc. 510BBA10M0000 백 5.2018
RFQ
 ECAD 5849 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI510 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.050 "(1.28mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 510BBA 10MHz LVD 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 200 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 25ppm - - 18MA
XLH538155.520000X Renesas Electronics America Inc XLH538155.520000X 1.8203
RFQ
 ECAD 4381 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH538 155.52 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 800-XLH538155.520000XTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 20ppm - - -
ASTMHTA-12.000MHZ-AK-E-T3 Abracon LLC ASTMHTA-120MHZ-AK-E-T3 -
RFQ
 ECAD 2868 0.00000000 Abracon LLC astmht 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 - MEMS ± 30ppm - -
AMPMGFA-52.0000T Abracon LLC AMPMGFA-52.0000T -
RFQ
 ECAD 9016 0.00000000 Abracon LLC AMPM 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 52MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - -
18QHTF57-57.613667-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57-57.613667-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 57.613667 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF57-57.613667-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 24MA 결정 ± 50ppm - -
ASTMHTFL-13.000MHZ-XK-E-T3 Abracon LLC ASTMHTFL-13.000MHz-XK-E-T3 -
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 Abracon LLC astmht 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13MHz LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 - MEMS ± 30ppm - -
XUH735033.333000X Renesas Electronics America Inc XUH735033.333000X 1.9304
RFQ
 ECAD 6014 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 33.333 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 800-XUH735033.333000XTR 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 98ma 결정 ± 50ppm - - -
SIT1602BI-81-33N-66.600000 SiTime SIT1602BI-81-33N-66.600000 1.6000
RFQ
 ECAD 7724 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.6 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 4.5MA MEMS ± 20ppm - -
SIT3372AC-1E2-25NY80.000000 SiTime SIT3372AC-1E2-25NY80.000000 13.0100
RFQ
 ECAD 8808 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 80MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 770ppm - -
ASTMHTFL-13.000MHZ-AC-E-T Abracon LLC ASTMHTFL-13.000MHZ-AC-ET -
RFQ
 ECAD 5597 0.00000000 Abracon LLC astmht 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13MHz LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - MEMS ± 50ppm - -
VCC1-118-19M4400000 Microchip Technology VCC1-118-19M4400000 -
RFQ
 ECAD 9220 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
7X-11.2896MBD-T TXC CORPORATION 7X-11.2896MBD-T 1.0605
RFQ
 ECAD 7412 0.00000000 TXC Corporation 7x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 11.2896 MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-7X-11.2896MBD-TTR 귀 99 8541.60.0080 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 25ppm - - -
SIT1602BI-73-28N-4.096000 SiTime SIT1602BI-73-28N-4.096000 1.2900
RFQ
 ECAD 4417 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4.096 MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 4.5MA MEMS ± 50ppm - -
SIT3373AI-2E3-28NH250.000000 SiTime SIT3373AI-2E3-28NH250.000000 10.2000
RFQ
 ECAD 6907 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 250MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm ± 145ppm -
ASTMUPCV-33-212.500MHZ-LJ-E-T Abracon LLC ASTMUPCV-33-212.500MHZ-LJ-ET -
RFQ
 ECAD 5335 0.00000000 Abracon LLC astmupc 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 212.5 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 36MA MEMS ± 20ppm - 31MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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