전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 온도 온도 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 저항 (옴) | 회로 회로 | 저항 저항 | 저항 저항 비율 | 저항-드리프트-비율 | 핀 핀 | 요소 요소 전원 |
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![]() | CRC3A4E560JT | - | ![]() | 6138 | 0.00000000 | Kyocera avx | CRC, Kyocera | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 250ppm/° C | - | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 56 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||||
![]() | rp102pj394cs | - | ![]() | 1055 | 0.00000000 | 삼성 삼성 기계 | RP | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.46mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 10,000 | 390K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |||
![]() | RPS164PJ474CS | - | ![]() | 6801 | 0.00000000 | 삼성 삼성 기계 | RPS | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.61mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 5,000 | 470K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
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![]() | 744C083000XP | - | ![]() | 1762 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 744 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 점퍼 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 오목한, 오목한 측면 터미널 | 744C083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 0.0 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | ||
![]() | 77063103P | 0.5700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.600 "L x 0.098"W (15.24mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 6-sip | ± 100ppm/° C | 6-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 770-63-R10KP | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 10k | 외딴 | 3 | - | - | 6 | 100MW | ||
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![]() | RT2460B7TR7 | - | ![]() | 8141 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM | 0.354 "L x 0.157"W (9.00mm x 4.00mm) | 0.053 "(1.34mm) | 표면 표면 | 36-lbga | ± 200ppm/° C | 36-BGA (9x4) | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 50 | 이중 이중 | 18 | - | - | 36 | 50MW | |||
![]() | MNR14E0ABJ360 | - | ![]() | 1579 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 36 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
![]() | 752095171BP | 1.6251 | ![]() | 4531 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.515 "L x 0.080"W (13.08mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 9-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 250 | 330 | 이중 이중 | 14 | - | - | 9 | 80MW | |||
![]() | ACASA1002S3002P100 | 0.8600 | ![]() | 5231 | 0.00000000 | Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 | aca- 정밀도 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.126 "L x 0.059"W (3.20mm x 1.50mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 25ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 10K, 30K | 외딴 | 4 | ± 0.05% | ± 15ppm/° C | 8 | 100MW | ||||
752105201APTR13 | 1.4938 | ![]() | 6508 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 10-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 3,000 | 220, 1.8k | 이중 이중 | 16 | - | - | 10 | 80MW | ||||
![]() | CRA12E083120KJTR | - | ![]() | 1965 | 0.00000000 | Vishay Dale | CRA12 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.200 "L x 0.120"W (5.08mm x 3.05mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 2,000 | 120K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | ||||
![]() | 4604x-102-154LF | 0.0557 | ![]() | 8358 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4600x | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.398 "L x 0.098"W (10.11mm x 2.49mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 4-sip | 4604X | ± 100ppm/° C | 4-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 150K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 300MW | ||
![]() | 4814P-T01-272LF | 0.5607 | ![]() | 1334 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4800p | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | 4814p | ± 100ppm/° C | 14-SOM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 50 | 2.7k | 외딴 | 7 | - | - | 14 | 160MW | ||
![]() | YC324-FK-0716K9L | 0.0697 | ![]() | 6752 | 0.00000000 | Yageo | YC324 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 | YC324-FK | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 16.9k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | ||
![]() | AF122-FR-07499KL | 0.0592 | ![]() | 6887 | 0.00000000 | Yageo | AF122 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | DDRAM, SDRAM | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 499K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |||
![]() | ORNV50012502UF | 3.3600 | ![]() | 8679 | 0.00000000 | Vishay Dale ale | ornv | 튜브 | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.194 "L x 0.157"W (4.93mm x 3.99mm) | 0.068 "(1.73mm) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 25ppm/° C | - | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 98 | 5K, 25K | 전압 전압 | 5 | ± 0.05% | ± 5ppm/° C | 8 | 100MW | |||
![]() | CRA04S043270KJTD | - | ![]() | 7710 | 0.00000000 | Vishay Dale | CRA04 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 270K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | ||||
![]() | CSC08A01330RGPA | 1.9538 | ![]() | 1663 | 0.00000000 | Vishay Dale | CSC | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.790 "L x 0.098"W (20.07mm x 2.49mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 330 | 버스 | 7 | - | ± 50ppm/° C | 8 | 200MW | |||
768141510G | - | ![]() | 9283 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 튜브 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 768-141-R51 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 48 | 51 | 버스 | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||
![]() | Y1365V0019AT0W | 46.3152 | ![]() | 8142 | 0.00000000 | vpg 저항 포일 | SMN | 쟁반 | 활동적인 | ± 0.05% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.197 "LX 0.157"W (5.00mm x 3.99mm) | 0.073 "(1.86mm) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 2ppm/° C | - | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0010 | 25 | 5K | 외딴 | 4 | ± 0.01% | ± 0.5ppm/° C | 8 | 100MW |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고