- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
저항 저항, 네트워크 (38855)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 온도 온도 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 저항 (옴) | 회로 회로 | 저항 저항 | 저항 저항 비율 | 저항-드리프트-비율 | 핀 핀 | 요소 요소 전원 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DFNA5002FT1 | 1.3006 |  | 4260 | 0.00000000 | Vishay Dale ale | DFN | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.157 "L x 0.157"W (4.00mm x 4.00mm) | 0.037 "(0.95mm) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | ± 25ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 50k | 외딴 | 4 | ± 0.025% | ± 3ppm/° C | 8 | 50MW | ||||
 | RF062PJ362CS | 0.0646 | | 3260 | 0.00000000 | 삼성 삼성 기계 | RF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.031 "L x 0.024"W (0.80mm x 0.60mm) | 0.013 "(0.33mm) | 표면 표면 | 0302 (0805 메트릭), 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 20,000 | 3.6k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 31.25MW | |||
 | 4606H-102-121LF | 0.1467 | | 4477 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4600H | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.598 "L x 0.098"W (15.19mm x 2.49mm) | 0.350 "(8.89mm) | 구멍을 구멍을 | 6-sip | 4606H | ± 100ppm/° C | 6-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 120 | 외딴 | 3 | - | 50ppm/° C | 6 | 500MW | ||
 | RAVF164DJT11K0 | 0.0057 | | 6804 | 0.00000000 | Stackpole Electronics Inc | RAVF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 11k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW | |||
 | RN102PJ330CS | - | | 7535 | 0.00000000 | 삼성 삼성 기계 | RN | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 미터), 오목합니다 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 10,000 | 33 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |||
 | Y4485V0103QT0W | 38.1256 | | 5752 | 0.00000000 | vpg 저항 포일 | DSMZ | 쟁반 | 활동적인 | ± 0.02% | -65 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.160 "L x 0.106"W (4.06mm x 2.69mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 1610 J-Lead (3 터미널) | ± 0.2ppm/° C | - | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 25 | 2K, 3K | 전압 전압 | 2 | ± 0.01% | ± 0.1ppm/° C | 3 | 50MW | ||||
 | 4610x-AP1-473LF | 0.2001 | | 6046 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4600x | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.998 "L x 0.098"W (25.35mm x 2.49mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | 4610x | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 47K | 버스 | 9 | - | - | 10 | 200MW | ||
| Y1485V0004BT9R | 12.2875 | | 9626 | 0.00000000 | Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) | DSM | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 0.1% | -65 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.160 "L x 0.106"W (4.06mm x 2.69mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 1610 J-Lead (3 터미널) | ± 2ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 1K | 전압 전압 | 2 | ± 0.01% | ± 0.5ppm/° C | 3 | 50MW | ||||
 | exb-2hv433jv | 0.0348 | | 5195 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.150 "L x 0.063"W (3.80mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1506, 볼록, 긴 측면 터미널 | exb-2hv | ± 200ppm/° C | 1506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | exb2hv433jv | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 43K | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 62.5MW | |
 | EXB-V8V183JV | 0.2500 | | 24 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | exb-v8 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 18K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
| Y5076V0297BA0L | 52.1440 | | 7496 | 0.00000000 | vpg 저항 포일 | VHD200 | 대부분 | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.398 "LX 0.185"W (10.11mm x 4.70mm) | 0.525 "(13.33mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 -3 리드 | ± 2ppm/° C | - | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 25 | 3.4k, 6.4k | 전압 전압 | 2 | ± 0.05% | ± 0.1ppm/° C | 3 | - | ||||
 | 766141224GPTR7 | 1.2910 | | 5290 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 800 | 220K | 버스 | 13 | - | - | 14 | 80MW | |||
 | 1776-C481 | 17.6164 | | 2850 | 0.00000000 | Caddock Electronics Inc. | 1776 | 대부분 | 활동적인 | ± 0.1% | -40 ° C ~ 85 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 1.200 "L x 0.110"W (30.48mm x 2.79mm) | 0.550 "(13.97mm) | 구멍을 구멍을 | 12-sip, 7 7 리드 | ± 30ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 50 | 1k, 10k, 101k, 1m, 10m | 10 년간 저항 | 5 | ± 0.05% | ± 10ppm/° C | 7 | 62.5MW | |||
| exb-v8v471jv | 0.2500 | | 72 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | exb-v8 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 470 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
 | 767141121G | - | | 4910 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 튜브 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 48 | 120 | 버스 | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||
 | YC162-FR-0716R5L | 0.0168 | | 9940 | 0.00000000 | Yageo | YC162 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0606,, | YC162-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 16.5 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | ||
| Y4485V0071QT9W | 49.0500 | | 25 | 0.00000000 | vpg 저항 포일 | DSMZ | 쟁반 | 활동적인 | ± 0.02% | -65 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.160 "L x 0.106"W (4.06mm x 2.69mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 1610 J-Lead (3 터미널) | ± 0.2ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 25 | 1K, 10K | 전압 전압 | 2 | ± 0.01% | ± 0.1ppm/° C | 3 | 50MW | ||||
 | 768141123G | - | | 2760 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 튜브 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 768-141-R12K | 귀 99 | 8533.21.0010 | 48 | 12k | 버스 | 13 | - | - | 14 | 100MW | ||
 | 770103221 | - | | 5353 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 250 | 220 | 외딴 | 5 | - | - | 10 | 100MW | |||
 | 741X163120JP | 0.0655 | | 9737 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 741 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.156 "L x 0.063"W (3.95mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1506, 볼록, 긴 측면 터미널 | 741x163 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 12 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||
| AF122-FR-07825KL | 0.0562 | | 5415 | 0.00000000 | Yageo | AF122 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | DDRAM, SDRAM | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 825K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |||
 | MNR18E0APJ563 | - | | 2181 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.150 "L x 0.063"W (3.80mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1506, 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 56K | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 62.5MW | |||
 | YC324-FK-07240RL | 0.0697 | | 9004 | 0.00000000 | Yageo | YC324 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 | YC324-FK | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 240 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | ||
 | 766163474GPTR13 | 1.1757 | | 1232 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 3,000 | 470K | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 160MW | |||
 | ACASN5002S5002P1AT | 0.7400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 | aca- 정밀도 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, 전압 분배기 (TCR 일치) | 0.063 "L x 0.059"W (1.60mm x 1.50mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 25ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 50k | 외딴 | 2 | ± 0.05% | ± 15ppm/° C | 4 | 125MW | ||||
 | 4816P-4-121 | 0.5698 | | 8912 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4800p | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | 4816p | ± 100ppm/° C | 16-SOM | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 120 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 160MW | ||
 | 741C083563J | - | | 4666 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 741 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | 741C083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 56K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
 | 4608x-104-161/241L | 0.1200 | | 5169 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4600x | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.798 "L x 0.098"W (20.27mm x 2.49mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | 4608x | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 160, 240 | 이중 이중 | 12 | - | - | 8 | 200MW | ||
 | CRA04P08322R0JTD | - | | 9665 | 0.00000000 | Vishay Dale | CRA04 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 22 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||||
| Y1691V0167BT0L | 60.3188 | | 2866 | 0.00000000 | Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) | 300144z | 대부분 | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.295 "L x 0.100"W (7.49mm x 2.54mm) | 0.330 "(8.38mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 -3 리드 | ± 0.2ppm/° C | - | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 25 | 5k, 8.75k | 전압 전압 | 2 | ± 0.01% | ± 0.1ppm/° C | 3 | 100MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)