전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 온도 온도 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 저항 (옴) | 회로 회로 | 저항 저항 | 저항 저항 비율 | 저항-드리프트-비율 | 핀 핀 | 요소 요소 전원 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 77063103P | 0.5700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.600 "L x 0.098"W (15.24mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 6-sip | ± 100ppm/° C | 6-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 770-63-R10KP | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 10k | 외딴 | 3 | - | - | 6 | 100MW | ||
![]() | YC324-FK-0718K2L | 0.0697 | ![]() | 6946 | 0.00000000 | Yageo | YC324 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 | YC324-FK | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 18.2k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | ||
![]() | RT2460B7TR7 | - | ![]() | 8141 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM | 0.354 "L x 0.157"W (9.00mm x 4.00mm) | 0.053 "(1.34mm) | 표면 표면 | 36-lbga | ± 200ppm/° C | 36-BGA (9x4) | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 50 | 이중 이중 | 18 | - | - | 36 | 50MW | |||
768141123G | - | ![]() | 2760 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 튜브 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 768-141-R12K | 귀 99 | 8533.21.0010 | 48 | 12k | 버스 | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||
![]() | 766143682GP | 1.2910 | ![]() | 9595 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 56 | 6.8k | 외딴 | 7 | - | - | 14 | 160MW | |||
![]() | CRA06E083750RJTA | - | ![]() | 8868 | 0.00000000 | Vishay Dale | CRA06 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.126 "L x 0.059"W (3.20mm x 1.50mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 750 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||||
752105201APTR13 | 1.4938 | ![]() | 6508 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 10-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 3,000 | 220, 1.8k | 이중 이중 | 16 | - | - | 10 | 80MW | ||||
![]() | YC162-FR-0713RL | 0.0168 | ![]() | 6805 | 0.00000000 | Yageo | YC162 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0606,, | YC162-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 13 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | ||
![]() | AF122-FR-07499KL | 0.0592 | ![]() | 6887 | 0.00000000 | Yageo | AF122 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | DDRAM, SDRAM | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 499K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |||
![]() | ORNV50012502UF | 3.3600 | ![]() | 8679 | 0.00000000 | Vishay Dale ale | ornv | 튜브 | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.194 "L x 0.157"W (4.93mm x 3.99mm) | 0.068 "(1.73mm) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 25ppm/° C | - | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 98 | 5K, 25K | 전압 전압 | 5 | ± 0.05% | ± 5ppm/° C | 8 | 100MW | |||
![]() | EXB-Q16P153J | 0.9100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.150 "L x 0.063"W (3.80mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1506, 볼록, 긴 측면 터미널 | EXB-Q16 | ± 200ppm/° C | 1506 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 15k | 버스 | 15 | - | - | 16 | 25MW | ||
![]() | Y0094V0350BQ9L | 32.2272 | ![]() | 9119 | 0.00000000 | vpg 저항 포일 | VSR144 | 대부분 | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.295 "L x 0.100"W (7.49mm x 2.54mm) | 0.320 "(8.13mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 -3 리드 | ± 8ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 25 | 9.524K, 9.95K | 전압 전압 | 2 | ± 0.02% | ± 1.5ppm/° C | 3 | 100MW | ||||
![]() | 767163564GP | 1.2132 | ![]() | 1241 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 43 | 560K | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 200MW | |||
![]() | S41X043100FP | 0.0283 | ![]() | 2192 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043100FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 10 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
![]() | 4604x-102-101LF | 0.4200 | ![]() | 6592 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4600x | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.398 "L x 0.098"W (10.11mm x 2.49mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 4-sip | 4604X | ± 100ppm/° C | 4-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 100 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 300MW | ||
![]() | 753181221GP | 2.0794 | ![]() | 9646 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 753 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.270 "L x 0.080"W (6.86mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 18-DRT | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 250 | 220 | 버스 | 16 | - | - | 18 | 40MW | |||
![]() | RF064PJ160CS | 0.0776 | ![]() | 9673 | 0.00000000 | 삼성 삼성 기계 | RF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.055 "L x 0.024"W (1.40mm x 0.60mm) | 0.013 "(0.33mm) | 표면 표면 | 0502 (1406 메트릭), 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 20,000 | 16 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | |||
![]() | exb-v8v471jv | 0.2500 | ![]() | 72 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | exb-v8 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 470 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
![]() | 4310R-102-684LF | - | ![]() | 7824 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4300R | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.984 "L x 0.085"W (24.99mm x 2.16mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | 4310R | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 250 | 680K | 외딴 | 5 | - | 50ppm/° C | 10 | 300MW | ||
![]() | YC324-FK-0716K9L | 0.0697 | ![]() | 6752 | 0.00000000 | Yageo | YC324 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 | YC324-FK | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 16.9k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | ||
![]() | 4816P-2-332LF | 1.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4800p | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | 4816p | ± 100ppm/° C | 16-SOM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 3.3k | 버스 | 15 | - | - | 16 | 80MW | ||
![]() | Y4485V0071QT9W | 49.0500 | ![]() | 25 | 0.00000000 | vpg 저항 포일 | DSMZ | 쟁반 | 활동적인 | ± 0.02% | -65 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.160 "L x 0.106"W (4.06mm x 2.69mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 1610 J-Lead (3 터미널) | ± 0.2ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 25 | 1K, 10K | 전압 전압 | 2 | ± 0.01% | ± 0.1ppm/° C | 3 | 50MW | ||||
![]() | 744C083000XP | - | ![]() | 1762 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 744 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 점퍼 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 오목한, 오목한 측면 터미널 | 744C083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 0.0 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | ||
![]() | YC324-FK-07113KL | 0.0697 | ![]() | 5988 | 0.00000000 | Yageo | YC324 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 | YC324-FK | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 113k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | ||
![]() | RAVF102DJT13R0 | 0.0081 | ![]() | 3353 | 0.00000000 | Stackpole Electronics Inc | RAVF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 13 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |||
![]() | 4818P-2-104LF | 0.6355 | ![]() | 8655 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4800p | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.490 "L x 0.220"W (12.45mm x 5.59mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 18- SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | 4818p | ± 100ppm/° C | 18-SOM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.10.0057 | 2,000 | 100k | 버스 | 17 | - | - | 18 | 80MW | ||
![]() | CSC08A01330RGPA | 1.9538 | ![]() | 1663 | 0.00000000 | Vishay Dale | CSC | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.790 "L x 0.098"W (20.07mm x 2.49mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 330 | 버스 | 7 | - | ± 50ppm/° C | 8 | 200MW | |||
768141510G | - | ![]() | 9283 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 튜브 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 768-141-R51 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 48 | 51 | 버스 | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||
![]() | CRA12E083270RJTR | - | ![]() | 2984 | 0.00000000 | Vishay Dale | CRA12 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.200 "L x 0.120"W (5.08mm x 3.05mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 2,000 | 270 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | ||||
4608x-102-502LF | 0.0985 | ![]() | 4938 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4600x | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.798 "L x 0.098"W (20.27mm x 2.49mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | 4608x | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 5K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 300MW |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고