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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
MOC8030300W onsemi MOC8030300W -
RFQ
 ECAD 6566 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MOC803 DC 1 달링턴 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8030300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 80V 1.15V 60 MA 5300VRMS 300% @ 10ma - 3.5µs, 95µs -
EL1018(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL1018 (TB) -
RFQ
 ECAD 7851 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL1018 DC 1 트랜지스터 4-SOP (2.54mm) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.45V 60 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA 4µs, 3µs 300MV
PS2913-1-K-AX CEL PS2913-1-K-AX -
RFQ
 ECAD 6458 0.00000000 셀 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 리드 DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 30ma 10µs, 10µs 120V 1.1V 50 MA 2500VRMS 100% @ 1ma 200% @ 1ma 80µs, 50µs 300MV
PC3H4AJ0001H SHARP/Socle Technology PC3H4AJ0001H -
RFQ
 ECAD 9767 0.00000000 날카로운/기술 소셜 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 - - - - - - - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 10,500 - - - - - - - - -
PS2861B-1Y-M-A CEL PS2861B-1Y-MA -
RFQ
 ECAD 1402 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 4µs, 5µs 70V 1.1V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA - 300MV
PS2765-1-F3 CEL PS2765-1-F3 -
RFQ
 ECAD 6243 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 AC, DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 3,500 40ma 4µs, 5µs 40V 1.1V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
H11AA4SD Fairchild Semiconductor H11AA4SD -
RFQ
 ECAD 8537 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 1 - - 30V 1.2V 100 MA 5300VRMS 100% @ 10ma - - 400MV
ISD5X Isocom Components 2004 LTD ISD5X 0.9900
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -25 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ISD5 DC 2 트랜지스터 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 2.6µs, 2.2µs 70V 1.2V 50 MA 5300VRMS 50% @ 10ma 400% @ 10ma - -
HCPL3700SD onsemi HCPL3700SD 5.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL3700 AC, DC 1 달링턴 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 30ma 45µs, 0.5µs 20V - 2500VRMS - - 6µs, 25µs -
TIL113 onsemi TIL113 -
RFQ
 ECAD 2672 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) TIL113 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TIL113-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 MA 5300VRMS 300% @ 10ma - 350ns, 55µs 1.25V
PS2561AL1-1-A CEL PS2561AL1-1-A -
RFQ
 ECAD 3970 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 30ma 3µs, 5µs 70V 1.2V 30 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
FODM8061R2V onsemi FODM8061R2V 3.0500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ FODM8061 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 3V ~ 5.5V 5- 미니 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 50 MA 10Mbps 20ns, 10ns 1.45V 50ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP719(D4FA1TPS,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp719 (d4fa1tps, f) -
RFQ
 ECAD 4873 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) TLP719 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-Sdip Gull Wing - 264-TLP719 (D4FA1TPSF) 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - 20V 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
H11G1TVM onsemi H11g1tvm 1.0900
RFQ
 ECAD 9631 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11G1 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 - - 100V 1.3V 60 MA 4170vrms 1000 @ 10ma - 5µs, 100µs 1V
HCNW2601-300E Broadcom Limited HCNW2601-300E 4.0800
RFQ
 ECAD 5409 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCNW2601 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 42 50 MA 10MBD 24ns, 10ns 1.64V 20MA 5000VRMS 1/0 10kV/µs 100ns, 100ns
EL3052M-V Everlight Electronics Co Ltd EL3052M-V 0.7368
RFQ
 ECAD 2292 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) EL3052 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903520009 귀 99 8541.49.8000 65 1.18V 60 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 250µA (() 아니요 1kv/µs 10MA -
PS2761B-1-V-F3-A CEL PS2761B-1-V-F3-A -
RFQ
 ECAD 1586 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,500 40ma 4µs, 5µs 70V 1.1V 25 MA 3750vrms 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
SFH6106-3T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-3T 0.9900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH6106 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
MOC3052S-TA1 Lite-On Inc. MOC3052S-TA1 0.2376
RFQ
 ECAD 9315 0.00000000 Lite-On Inc. moc305x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC305 CSA, Fimko, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.2V 50 MA 5000VRMS 600 v 400µA (() 아니요 1kv/µs 10MA -
TLP185(GR-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GR-TPR, SE 0.5900
RFQ
 ECAD 3461 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP185 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
PS2501L-4-A CEL PS2501L-4-A -
RFQ
 ECAD 2635 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SMD,, 날개 PS2501 DC 4 트랜지스터 16-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 20 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 600% @ 5mA - 300MV
HCPL-673K Broadcom Limited HCPL-673K 765.1780
RFQ
 ECAD 7226 0.00000000 Broadcom Limited - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 20-Clcc HCPL-673 DC 2 달링턴 20-LCCC (8.89x8.89) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A001A2C 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 8µs 110MV
MOC8050SD onsemi MOC8050SD -
RFQ
 ECAD 1441 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC805 DC 1 달링턴 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8050SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 80V 1.15V 60 MA 5300VRMS 500% @ 10ma - 3.5µs, 95µs -
H11B255S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd H11B255S1 (TA) -
RFQ
 ECAD 9598 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11B2 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) C130000007 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma - 25µs, 18µs 1V
EL817(S)(D)(TU)-G Everlight Electronics Co Ltd EL817 (s) (d) (tu) -g -
RFQ
 ECAD 5529 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL817 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 6µs, 8µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
HCPL-2400-060E Broadcom Limited HCPL-2400-060E 3.4303
RFQ
 ECAD 3622 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-2400 DC 1 트라이 트라이 4.75V ~ 5.25V 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 25 MA 40MBD 20ns, 10ns 1.3V 10MA 3750vrms 1/0 1kv/µs 55ns, 55ns
EL3051M Everlight Electronics Co Ltd EL3051M -
RFQ
 ECAD 6751 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) EL3051 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903510001 귀 99 8541.49.8000 65 1.18V 60 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 250µA (() 아니요 1kv/µs 15MA -
TLP781F(D4GRL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f (d4grl-t7, f -
RFQ
 ECAD 2410 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781F (d4grl-t7ftr 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
HCPL-261A#060 Broadcom Limited HCPL-261A#060 -
RFQ
 ECAD 6930 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 10MBD 42ns, 12ns 1.3V 10MA 3750vrms 1/0 1kv/µs 100ns, 100ns
PS2913-1-V-F3-K-AX CEL PS2913-1-V-F3-K-AX -
RFQ
 ECAD 2189 0.00000000 셀 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 리드 DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 PS2913-1-V-F3-K-AXTR 귀 99 8541.49.8000 3,500 30ma 10µs, 10µs 120V 1.1V 50 MA 2500VRMS 100% @ 1ma 200% @ 1ma 80µs, 50µs 300MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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