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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
EL817(S1)(D)(TB)-G Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S1) (D) (TB) -G -
RFQ
 ECAD 4500 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 6µs, 8µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
4N25-X006 Vishay Semiconductor Opto Division 4N25-X006 0.2167
RFQ
 ECAD 2161 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) 4N25 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.36V 60 MA 5000VRMS 20% @ 10ma - - 500MV
Q817C QT Brightek (QTB) Q817C 0.5000
RFQ
 ECAD 718 0.00000000 QT Brightek (QTB) Q817 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) Q817 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 1516-1382 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 6µs, 8µs 35V 1.24V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
NTE3085 NTE Electronics, Inc NTE3085 6.1000
RFQ
 ECAD 431 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 MOSFET 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE3085 귀 99 8541.49.8000 1 - - - 1.3V 60 MA 7500VPK - - 25µs, 25µs -
IL4218-X019T Vishay Semiconductor Opto Division IL4218-X019T -
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 ECAD 9977 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD IL4218 BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR, VDE 1 트라이크 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.3V 60 MA 5300VRMS 800 v 300 MA 200µA 아니요 10kV/µs 700µA (() -
CNY173FM onsemi CNY173FM -
RFQ
 ECAD 8197 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY173 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNY173FM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
HCPL0601R1 Fairchild Semiconductor HCPL0601R1 -
RFQ
 ECAD 1502 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 199 50 MA 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (() 50ma 3750vrms 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
NTE3083 NTE Electronics, Inc NTE3083 3.5500
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE3083 귀 99 8541.49.8000 1 125MA 80µs, 80µs 30V 1.15V 60 MA 3550VDC 200% @ 10ma - 200µs, 400µs 1.2V
FODM3052R1 Fairchild Semiconductor FODM3052R1 -
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 ECAD 5074 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 BSI, CSA, UL 1 트라이크 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 MA 3750vrms 600 v 70 MA 300µA (() 아니요 1kv/µs 10MA -
PC357M2J000F Sharp Microelectronics PC357M2J000F -
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- 모니 플랫 DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 - 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
HMA121BR4 onsemi HMA121BR4 -
RFQ
 ECAD 2287 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HMA121 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA - 400MV
LTV-733 Lite-On Inc. LTV-733 -
RFQ
 ECAD 3057 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-733 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) LTV-733 AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 65 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
OLH7000.0011 Skyworks Solutions Inc. OLH7000.0011 -
RFQ
 ECAD 8111 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. - 대부분 쓸모없는 OLH7000 - 863-OLH7000.0011 귀 99 8541.49.8000 1
4N32VM onsemi 4N32VM 0.8700
RFQ
 ECAD 687 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4N32 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 150ma - 30V 1.2V 80 MA 4170vrms 500% @ 10ma - 5µs, 100µs (최대) 1V
TLP190B(C20TL,UC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (C20TL, UC, f -
RFQ
 ECAD 1639 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD (4 d), 갈매기 날개 DC 1 태양 태양 6-MFSOP, 4 리드 다운로드 264-TLP190B (C20TLUCF 귀 99 8541.49.8000 1 - - 8V 1.4V 50 MA 2500VRMS - - 200µs, 1ms -
VO4256D-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO4256D-X006 -
RFQ
 ECAD 3942 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) VO4256 CUR, fimko, ur 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 1.2V 60 MA 5300VRMS 600 v 300 MA - 아니요 5kV/µs 1.6MA -
OPI1290-080 TT Electronics/Optek Technology OPI1290-080 7.7771
RFQ
 ECAD 2101 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 대부분 활동적인 -20 ° C ~ 75 ° C 구멍을 구멍을 비표준, 5 리드 OPI1290 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 16V - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 - 25ns, 25ns 2.3V (최대) - - 1/0 - 5µs, 5µs (유형)
ILD5-X001 Vishay Semiconductor Opto Division ILD5-X001 0.8342
RFQ
 ECAD 8059 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ild5 DC 2 트랜지스터 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2.6µs, 2.2µs 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 50% @ 10ma 400% @ 10ma 1.1µs, 2.5µs 400MV
H11A617A300W onsemi H11A617A300W -
RFQ
 ECAD 4574 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11a DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.35V 50 MA 5300VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma - 400MV
4N32S(TB) Everlight Electronics Co Ltd 4N32S (TB) -
RFQ
 ECAD 6311 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907150053 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 60 MA 5000VRMS 500% @ 10ma - 5µs, 100µs (최대) 1V
PC123X2YUP1B SHARP/Socle Technology PC123X2YUP1B -
RFQ
 ECAD 7429 0.00000000 날카로운/기술 소셜 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS - - - 200MV
EL816(Y)-V Everlight Electronics Co Ltd EL816 (y) -v -
RFQ
 ECAD 6032 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) EL816 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 150% @ 5mA 300% @ 5mA - 200MV
EL817(S2)(A)(TU)-G Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S2) (A) (TU) -G 0.1038
RFQ
 ECAD 6072 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL817 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 6µs, 8µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
FOD8012R2 onsemi FOD8012R2 2.0270
RFQ
 ECAD 9971 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FOD8012 논리 2 푸시 푸시, 풀 기둥 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 10 MA 15Mbps 6.5ns, 6.5ns - - 3750vrms 1/1 20kV/µs 60ns, 60ns
PS9151-F3-AX Renesas Electronics America Inc PS9151-F3-AX 4.0800
RFQ
 ECAD 5930 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ PS9151 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 5.5V 5- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 2 MA 15Mbps 4NS, 4NS 1.65V 20MA 3750vrms 1/0 15kV/µs 60ns, 60ns
TLP292(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292 (GR-TPL, e 0.5600
RFQ
 ECAD 2009 년 년 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP292 AC, DC 1 트랜지스터 4- 자 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
5962-0824202KPC Broadcom Limited 5962-0824202KPC 616.0314
RFQ
 ECAD 8930 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 5962-0824202 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 3V ~ 3.6V 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 25 MA 10MBD 20ns, 8ns 1.55V 20MA 1500VDC 2/0 1kv/µs 100ns, 100ns
MOC8204300W onsemi MOC8204300W -
RFQ
 ECAD 6973 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MOC820 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 2MA - 400V 1.2V 60 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - 5µs, 5µs 400MV
SFH6345-X016 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6345-X016 2.1400
RFQ
 ECAD 1023 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) SFH6345 DC 1 트랜지스터 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 8ma - 25V 1.33V 25 MA 5300VRMS 19% @ 16ma - 300ns, 300ns 400MV
H11A13SD onsemi H11A13SD -
RFQ
 ECAD 9582 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11A13SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 MA 5300VRMS 50% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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