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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
EL3082S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL3082S1 (TA) 0.4506
RFQ
 ECAD 7534 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 EL3082 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903820006 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 800 v 100 MA 280µA (() 예 600V/µs 10MA -
PS2532-2 CEL PS2532-2 -
RFQ
 ECAD 7255 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 2 달링턴 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 45 150ma 100µs, 100µs 300V 1.15V 80 MA 5000VRMS 1500% @ 1ma 6500% @ 1ma - 1V
ILD66-4X007T Vishay Semiconductor Opto Division ILD66-4X007T -
RFQ
 ECAD 8279 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 ILD66 DC 2 달링턴 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 200µs, 200µs (최대) 60V 1.25V 60 MA 5300VRMS 500% @ 2MA - - 1V
TLP161J(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (U, C, F) -
RFQ
 ECAD 3279 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP161J ur 1 트라이크 6-MFSOP, 4 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 150 1.15V 50 MA 2500VRMS 600 v 70 MA 600µA (() 예 200V/µs 10MA -
FODM3021 onsemi FODM3021 -
RFQ
 ECAD 2436 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 BSI, CSA, UL 1 트라이크 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 1.2V 60 MA 3750vrms 400 v 70 MA 300µA (() 아니요 10V/µS (유형) 15MA -
HCPL-2219#500 Broadcom Limited HCPL-2219#500 -
RFQ
 ECAD 9784 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 1 트라이 트라이 4.5V ~ 20V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 25 MA 2.5MBD 55ns, 15ns 1.5V 10MA 3750vrms 1/0 2.5kV/µs 300ns, 300ns
PS9013-Y-F3-AX Renesas Electronics America Inc PS9013-y-f3-AX 2.5100
RFQ
 ECAD 8206 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비), 5 개의 리드 PS9013 DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 25V 5-LSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 15 MA 1Mbps - 1.56V 25MA 5000VRMS 1/0 50kV/µs 750ns, 500ns
5962-0822703KUA Broadcom Limited 5962-0822703KUA 656.4033
RFQ
 ECAD 1562 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SMD,, 관절 5962-0822703 DC 4 달링턴 16-smd 엉덩이 d 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 6µs -
HCPL-563K#200 Broadcom Limited HCPL-563K#200 569.7643
RFQ
 ECAD 9178 0.00000000 Broadcom Limited - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-563 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 25 MA 10MBD 35ns, 35ns 1.5V 20MA 1500VDC 2/0 1kv/µs 100ns, 100ns
HWXX58238 Vishay Semiconductor Opto Division HWXX58238 -
RFQ
 ECAD 8105 0.00000000 Vishay to Opto Division - 대부분 쓸모없는 hwxx5 - 751-HWXX58238 쓸모없는 1,000
FODM3051R3 Fairchild Semiconductor FODM3051R3 -
RFQ
 ECAD 9412 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 BSI, CSA, UL 1 트라이크 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 500 1.2V 60 MA 3750vrms 600 v 70 MA 300µA (() 아니요 1kv/µs 15MA -
HCPL2531SV onsemi HCPL2531SV -
RFQ
 ECAD 2277 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL25 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 300ns -
PC3SD21NTZBF SHARP/Socle Technology PC3SD21NTZBF -
RFQ
 ECAD 6844 0.00000000 날카로운/기술 소셜 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm), 5 리드 PC3SD21 CSA, ur 1 트라이크 6-DIP - rohs 준수 1 (무제한) 425-2129-5 귀 99 8541.49.8000 50 1.2V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 3.5MA 예 1kv/µs 7ma 50 대 (최대)
ACNV260E-300E Broadcom Limited ACNV260E-300E 6.5313
RFQ
 ECAD 6980 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 10-smd,, 날개 ACNV260 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 10 날개 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 175 50 MA 10MBD 25ns, 10ns 1.64V 20MA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
MOC81113SD onsemi MOC81113SD -
RFQ
 ECAD 6116 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC811 DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC81113SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 2µs, 11µs 70V 1.15V 90 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - 3µs, 18µs 400MV
HCPL0530R1 onsemi HCPL0530R1 -
RFQ
 ECAD 3946 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL05 DC 2 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 7% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 500ns -
MOCD207R2M onsemi MOCD207R2M 1.0800
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOCD207 DC 2 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 150ma 3.2µs, 4.7µs 70V 1.25V 60 MA 2500VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 7.5µs, 5.7µs 400MV
TLP182(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (GB, e 0.5600
RFQ
 ECAD 2272 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP182 AC, DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TLP182 (GBE 귀 99 8541.49.8000 125 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
HCPL0452R2V onsemi HCPL0452R2V -
RFQ
 ECAD 8907 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL04 DC 1 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 300ns -
MOC3023XSMT/R Isocom Components 2004 LTD MOC3023XSMT/R 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 ul, vde 1 트라이크 - - 5009-MOC3023XSMT/RTR 귀 99 8541.49.8000 1 1.2V 50 MA 7500VPK 400 v 100µA 아니요 10V/µS (유형) 5MA -
APT1222WAY Panasonic Electric Works apt1222way 2.1600
RFQ
 ECAD 989 0.00000000 Panasonic Electric Works 적절한 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD (5 d), 갈매기 날개 APT1222 CUR, VDE 1 트라이크 6-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.21V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 3.5MA 아니요 500V/µs 10MA 100µs (최대)
TLP732(D4-GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4-GRL, F) -
RFQ
 ECAD 7537 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP732 - 1 (무제한) 264-TLP732 (D4-GRLF) 귀 99 8541.49.8000 50
HMA2701BR2V onsemi HMA2701BR2V -
RFQ
 ECAD 5992 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HMA270 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 80ma 3µs, 3µs 40V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300MV
HCPL-260L-300E Broadcom Limited HCPL-260L-300E 3.1800
RFQ
 ECAD 447 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-260 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 15MBD 24ns, 10ns 1.5V 20MA 3750vrms 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
EL1118-G Everlight Electronics Co Ltd EL1118-G -
RFQ
 ECAD 1407 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비), 5 개의 리드 EL1118 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 5-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA 4µs, 3µs 400MV
EL121N(BC)(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL121N (BC) (TA) -V 0.1368
RFQ
 ECAD 6402 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd EL121N 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SOP (2.54mm) 다운로드 1080 -EL121N (BC) (TA) -VTR 귀 99 8541.41.0000 3,000 50ma 6µs, 8µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 130% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
TLP388(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (D4GB-TL, e 0.7900
RFQ
 ECAD 7358 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP388 DC 1 트랜지스터 6-4 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 350V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
H11AA1SD onsemi H11AA1SD -
RFQ
 ECAD 7308 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11AA1SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - - 400MV
EL817(S)(A)(TU) Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S) (A) (TU) -
RFQ
 ECAD 6275 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL817 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 60 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 200MV
IL4208-X009T Vishay Semiconductor Opto Division IL4208-X009T -
RFQ
 ECAD 5364 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD IL4208 CQC, CSA, CUR, ur 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.16V 60 MA 5300VRMS 800 v 300 MA 500µA 아니요 10kV/µs 2MA 35µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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