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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
EL1110(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL1110 (TB) -V -
RFQ
ECAD 9082 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비), 5 개의 리드 EL1110 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 5-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 4µs, 3µs 400MV
MOC8020-M onsemi MOC8020-M -
RFQ
ECAD 6491 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC802 DC 1 달링턴 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8020-MQT 귀 99 8541.49.8000 50 150ma - 50V - 60 MA 5300VRMS 500% @ 10ma - - 2V
CNY117-2X007T Vishay Semiconductor Opto Division CNY117-2x007t 0.2997
RFQ
ECAD 2997 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY117 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.39V 60 MA 5000VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
PS2532L-4 CEL PS2532L-4 -
RFQ
ECAD 6936 0.00000000 NEPOC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SMD,, 날개 DC 4 달링턴 16-smd 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 20 150ma 100µs, 100µs 300V 1.15V 80 MA 5000VRMS 1500% @ 1ma 6500% @ 1ma - 1V
HCPL-J454 Broadcom Limited HCPL-J454 3.1426
RFQ
ECAD 8634 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-J454 DC 1 트랜지스터 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.59V 25 MA 3750vrms 19% @ 16ma 60% @ 16ma 500ns, 800ns -
ACPL-071L-060E Broadcom Limited ACPL-071L-060E 1.3499
RFQ
ECAD 1134 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ACPL-071 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V 키가 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 10 MA 15MBD 20ns, 25ns 1.5V 20MA 3750vrms 1/0 10kV/µs 50ns, 50ns
APT1221SZ Panasonic Electric Works APT1221SZ 0.8454
RFQ
ECAD 6768 0.00000000 Panasonic Electric Works 적절한 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 APT1221 CUR, VDE 1 트라이크 4-SOP 다운로드 rohs 준수 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.21V 50 MA 3750vrms 600 v 50 MA 3.5MA 아니요 500V/µs 10MA 100µs (최대)
PS2501L-1-A CEL PS2501L-1-A -
RFQ
ECAD 5843 0.00000000 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2501 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 600% @ 5mA - 300MV
PS2503L-1-A CEL PS2503L-1-A -
RFQ
ECAD 9542 0.00000000 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 30ma 20µs, 30µs 40V 1.1V 80 MA 5000VRMS 100% @ 1ma 400% @ 1ma - 250MV
74OL6011W onsemi 74OL6011W -
RFQ
ECAD 1900 0.00000000 온세미 Optologic ™ 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) 74OL601 논리 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 15V 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 40 MA 15MBD 50ns, 5ns - - 5300VRMS 1/0 5kV/µs 180ns, 120ns
MOC8021S onsemi MOC8021S -
RFQ
ECAD 7263 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC802 DC 1 달링턴 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8021S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 50V 1.15V 60 MA 5300VRMS 1000 @ 10ma - 3.5µs, 95µs 2V
MOC3042FM onsemi MOC3042FM -
RFQ
ECAD 1850 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC304 - 1 트라이크 6-SMD - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC3042FM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 60 MA 7500VPK 400 v 400µA (() - 10MA -
PS2845-4A-A CEL PS2845-4A-A -
RFQ
ECAD 7595 0.00000000 NEPOC 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 12-SOP (0.173 ", 4.40mm 너비) AC, DC 4 트랜지스터 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 PS2845-4AA 귀 99 8541.49.8000 20 20MA 20µs, 110µs 70V 1.1V 20 MA 1500VRMS 100% @ 1ma 400% @ 1ma - 300MV
SFH619A-X007 Vishay Semiconductor Opto Division SFH619A-X007 1.3300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH619 DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 125MA 3.5µs, 14.5µs 300V 1.2V 60 MA 5300VRMS 1000% @ 1ma - 4.5µs, 29µs 1.2V
EL817(S)(C)(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S) (C) (TA) -
RFQ
ECAD 2034 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
HMA2701R1 onsemi HMA2701R1 -
RFQ
ECAD 1577 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HMA270 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 80ma 3µs, 3µs 40V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
EL817(S1)(A)(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S1) (A) (TB) -V -
RFQ
ECAD 5957 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 60 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 200MV
H11A5-V Everlight Electronics Co Ltd H11A5-V -
RFQ
ECAD 7705 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11A5 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907171154 귀 99 8541.49.8000 65 - - 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 30% @ 10ma - 3µs, 3µs 400MV
TLP3083F(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp3083f (d4, f 1.7400
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm), 5 개의 리드 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 트라이크 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 1.15V 50 MA 5000VRMS 800 v 100 MA 600µA 2kv/µs (유형) 5MA -
HCPL-817-300E Broadcom Limited HCPL-817-300E 0.5200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HCPL-817 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
VO3052 Vishay Semiconductor Opto Division VO3052 1.3100
RFQ
ECAD 8469 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) VO305 CUR, ur 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 1.2V 60 MA 5300VRMS 600 v 100 MA 200µA (유형) 아니요 1.5kV/µs 10MA -
VOL618AT Vishay Semiconductor Opto Division Vol618AT 0.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay to Opto Division Vol618a 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 DO-214AB, SMC DC 1 트랜지스터 DO-214AB (SMC) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3.5µs, 5µs 80V 1.16V 60 MA 5000VRMS 50% @ 1ma 600% @ 1ma 6µs, 5.5µs 400MV
HCPL-4731-500E Broadcom Limited HCPL-4731-500E 6.9500
RFQ
ECAD 5567 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-4731 DC 2 달링턴 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 60ma - 18V 1.25V 10 MA 3750vrms 600% @ 500µa 8000% @ 500µa 3µs, 34µs -
H11AG2SD onsemi H11AG2SD -
RFQ
ECAD 8191 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11AG2SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.5V (최대) 50 MA 5300VRMS 50% @ 1ma - 5µs, 5µs 400MV
FOD2711S onsemi FOD2711S -
RFQ
ECAD 9256 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD271 DC 1 트랜지스터 8-smd 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.5V (최대) 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400MV
TLP292-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (la-tr, e 1.8100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP292 AC, DC 4 트랜지스터 16- 형의 행위 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 50% @ 500µa 600% @ 500µa 3µs, 3µs 300MV
JANTXV4N47 TT Electronics/Optek Technology jantxv4n47 30.3491
RFQ
ECAD 2642 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 jantxv4 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 To-78-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 365-1965 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 20µs, 20µs (최대) 40V 1.5V (최대) 40 MA 1000VDC 50% @ 1ma - - 300MV
TLP785(D4-BL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (d4-bl, f -
RFQ
ECAD 2555 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785 (D4-BLF 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
HCPL-0601#060 Broadcom Limited HCPL-0601#060 -
RFQ
ECAD 6536 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 키가 8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50 MA 10MBD 24ns, 10ns 1.5V 20MA 3750vrms 1/0 10kV/µs 100ns, 100ns
VO610A-3X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO610A-3X007T 0.4700
RFQ
ECAD 780 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 VO610 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.25V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 6µs, 5µs 300MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고