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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
PC4H520NIP Sharp Microelectronics PC4H520NIP -
RFQ
 ECAD 4215 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 1 달링턴 4- 미니 플랫 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 120ma 100µs, 20µs 350V 1.2V 50 MA 2500VRMS 1000% @ 1ma - - 1.4V
CNY17F-2SM Isocom Components 2004 LTD CNY17F-2SM 0.2012
RFQ
 ECAD 3138 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd CNY17F-2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 58-CNY17F-2SM 귀 99 8541.49.8000 65 50ma 3µs, 14µs 70V 1.2V 60 MA 7.5VPK 63% @ 10ma 125% @ 10ma 4.2µs, 23µs 400MV
HCPL-263L-300E Broadcom Limited HCPL-263L-300E 5.8500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-263 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 15MBD 24ns, 10ns 1.5V 15MA 3750vrms 2/0 10kV/µs 75ns, 75ns
HCPL-261A-500E Broadcom Limited HCPL-261A-500E 1.6834
RFQ
 ECAD 1507 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-261 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 10MBD 42ns, 12ns 1.3V 10MA 3750vrms 1/0 1kv/µs 100ns, 100ns
HCPL2530SDM Fairchild Semiconductor HCPL2530SDM 1.0700
RFQ
 ECAD 584 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 귀 99 8541.49.8000 280 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 7% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 300ns -
MOC206VM onsemi moc206vm -
RFQ
 ECAD 3279 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOC206 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 150ma 3.2µs, 4.7µs 30V 1.15V 60 MA 2500VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 7.5µs, 5.7µs 400MV
H11L3 onsemi H11L3 -
RFQ
 ECAD 4917 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11L DC 1 오픈 오픈 - 6-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 1MHz - - 5MA 5300VRMS 1/0 - -
PC81716NIP0F Sharp Microelectronics PC81716NIP0F -
RFQ
 ECAD 1297 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 10 MA 5000VRMS 160% @ 500µa 500% @ 500µa - 200MV
ACPL-268KL-300 Broadcom Limited ACPL-268KL-300 586.6886
RFQ
 ECAD 8148 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP ACPL-268 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 3V ~ 3.6V 16-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A001A2C 8541.49.8000 1 25 MA 10MBD 20ns, 8ns 1.55V 20MA 1500VDC 2/0 1kv/µs 100ns, 100ns
PC3SD11NTZBF SHARP/Socle Technology PC3SD11NTZBF -
RFQ
 ECAD 8184 0.00000000 날카로운/기술 소셜 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm), 5 리드 PC3SD11 CSA, ur 1 트라이크 6-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 425-2123-5 귀 99 8541.49.8000 50 1.2V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 3.5MA 아니요 1kv/µs 7ma 100µs (최대)
H11B2553S onsemi H11B2553S -
RFQ
 ECAD 4033 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11B DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11B2553S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 100 MA 5300VRMS 100% @ 10ma - 25µs, 18µs 1V
VO3063-X009T Vishay Semiconductor Opto Division VO3063-X009T 0.6186
RFQ
 ECAD 3520 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 VO306 CUR, ur 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 MA 5300VRMS 600 v 100 MA 200µA (유형) 예 1.5kV/µs 5MA -
PC4N330NSZX Sharp Microelectronics PC4N330NSZX -
RFQ
 ECAD 6705 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm), 5 리드 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP - rohs 비준수 1 (무제한) 425-1790-5 귀 99 8541.49.8000 50 100ma - 30V - 1500VRMS 100% @ 10ma - - 1V
HCPL0501R2V Fairchild Semiconductor HCPL0501R2V 1.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 귀 99 8541.49.8000 265 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 300ns -
BRT13H-X017 Vishay Semiconductor Opto Division BRT13H-X017 -
RFQ
 ECAD 6855 0.00000000 Vishay to Opto Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 BRT13 CQC, UL, VDE 1 트라이크 6-SMD - 751-BRT13H-X017 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.1V 20 MA 5300VRMS 800 v 300 MA 500µA 아니요 10kV/µs 2MA -
6N137S(TA) Everlight Electronics Co Ltd 6N137S (TA) 1.3100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 1 오픈 오픈 7V 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 10Mbps 40ns, 10ns 1.4V 50ma 5000VRMS 1/0 5kV/µs 75ns, 75ns
VO615A-2 Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-2 0.1105
RFQ
 ECAD 1995 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) VO615 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.43V 60 MA 5000VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 6µs, 5µs 300MV
IL420-X007 Vishay Semiconductor Opto Division IL420-X007 -
RFQ
 ECAD 2351 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD IL420 CQC, CSA, CUR, ur 1 트라이크 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 1.16V 60 MA 5300VRMS 600 v 300 MA 500µA 아니요 10kV/µs 2MA 35µs
6N136SV onsemi 6N136SV -
RFQ
 ECAD 5377 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 6N136 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 500ns -
TLP626(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (F) -
RFQ
 ECAD 6179 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP626 AC, DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 8µs, 8µs 55V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 1ma 1200% @ 1ma 10µs, 8µs 400MV
VOL617A-7X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOL617A-7X001T 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3.5µs, 5µs 80V 1.16V 60 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA 6µs, 5.5µs 400MV
PC3SD11NTZB Sharp Microelectronics PC3SD11NTZB -
RFQ
 ECAD 8639 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm), 5 리드 PC3SD11 CSA, ur 1 트라이크 6-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 425-1362-5 귀 99 8541.49.8000 50 1.2V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 3.5MA 아니요 1kv/µs 7ma 100µs (최대)
MOC3012XSM Isocom Components 2004 LTD MOC3012XSM 0.2954
RFQ
 ECAD 6543 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC301 ur, vde 1 트라이크 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 65 1.2V 50 MA 5300VRMS 250 v 100µA 아니요 10V/µS (유형) 5MA -
HCPL-263N#300 Broadcom Limited HCPL-263N#300 -
RFQ
 ECAD 6602 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 10MBD 42ns, 12ns 1.3V 10MA 3750vrms 2/0 15kV/µs 100ns, 100ns
HCPL0534 onsemi HCPL0534 2.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL05 DC 2 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 15% @ 16ma - 450ns, 300ns -
TLP2704(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2704 (D4, e 1.4400
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP2704 DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 30V 6- 형 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TLP2704 (D4E 귀 99 8541.49.8000 125 15 MA - - 1.55V 20MA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 400ns, 550ns
TLP2361(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361 (TPL, e 1.0300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비), 5 개의 리드 TLP2361 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 2.7V ~ 5.5V 6-5 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 10 MA 15MBD 3ns, 3ns 1.5V 10MA 3750vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
FOD2743BV Fairchild Semiconductor FOD2743BV 0.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 8-DIP 다운로드 귀 99 8541.49.8000 359 50ma - 70V 1.07V 5000VRMS 50% @ 1ma 100% @ 1ma - 400MV
HCPL-181-06BE Broadcom Limited HCPL-181-06BE 0.7200
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HCPL-181 DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
EL817(S)(D)(TD) Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S) (D) (TD) -
RFQ
 ECAD 1845 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL817 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 60 MA 5000VRMS 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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