SIC
close

광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
MOC212VM onsemi MOC212VM -
RFQ
 ECAD 6056 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOC212 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 150ma 3.2µs, 4.7µs 30V 1.15V 60 MA 2500VRMS 50% @ 10ma - 7.5µs, 5.7µs 400MV
EL815(S)(TD) Everlight Electronics Co Ltd EL815 (S) (TD) -
RFQ
 ECAD 4083 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL815 DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 80ma 60µs, 53µs 35V 1.2V 60 MA 5000VRMS 600% @ 1ma 7500% @ 1ma - 1V
4N38A(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N38A (Short, F) -
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4N38 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP - rohs 준수 1 (무제한) 4N38A (shortf) 귀 99 8541.49.8000 50 100ma - 80V 1.15V 80 MA 2500VRMS 10% @ 10ma - 3µs, 3µs 1V
FOD817 onsemi FOD817 0.5100
RFQ
 ECAD 458 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) FOD817 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2156-FOD817-488 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
BRT12-H Vishay Semiconductor Opto Division BRT12-H -
RFQ
 ECAD 4823 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) BRT12 CQC, UL 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 1.1V 20 MA 5300VRMS 600 v 300 MA 500µA 아니요 10kV/µs 2MA -
HCPL-7723-320E Broadcom Limited HCPL-7723-320E 3.6220
RFQ
 ECAD 7755 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-7723 논리 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 10 MA 50MBD 8ns, 6ns - - 5000VRMS 1/0 10kV/µs 22ns, 22ns
TIL111M Everlight Electronics Co Ltd TIL111M -
RFQ
 ECAD 2364 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) TIL111 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 65 - 6µs, 8µs 80V 1.22V 60 MA 5000VRMS - - - 400MV
EL816(S1)(X)(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd el816 (s1) (x) (ta) -v -
RFQ
 ECAD 8582 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 200MV
EL3043S1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL3043S1 (TB) -V -
RFQ
 ECAD 9620 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 EL3043 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903430015 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 400 v 100 MA 280µA (() 예 1kv/µs 5MA -
H11D1-X009 Vishay Semiconductor Opto Division H11D1-X009 0.6576
RFQ
 ECAD 5243 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 h11 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 100ma 2.5µs, 5.5µs 300V 1.1V 60 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - 5µs, 6µs 400MV
CNY173M_F132 onsemi CNY173M_F132 -
RFQ
 ECAD 4776 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) CNY173 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
IL300 Vishay Semiconductor Opto Division IL300 4.8400
RFQ
 ECAD 370 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IL300 DC 1 태양 태양, 광 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 70µA (() 1µs, 1µs 500MV 1.25V 60 MA 5300VRMS - - - -
EL816(M)(A) Everlight Electronics Co Ltd EL816 (m) (a) -
RFQ
 ECAD 3405 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) EL816 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 200MV
HCPL-0454#060 Broadcom Limited HCPL-0454#060 4.8300
RFQ
 ECAD 4243 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL-0454 DC 1 트랜지스터 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 8ma - 20V 1.5V 25 MA 3750vrms 21% @ 16MA - 200ns, 300ns -
PS2561BL1-1-D-A Renesas Electronics America Inc PS2561BL1-1-DA -
RFQ
 ECAD 6619 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) PS2561 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 559-1312 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 40 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
VOL617A-3X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOL617A-3X001T 0.5000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 Vol617 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3.5µs, 5µs 80V 1.16V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 200% @ 5mA 6µs, 5.5µs 400MV
FODM217B onsemi FODM217B 0.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 FODM217 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) FODM217 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 30 50ma 3µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
SFH615A-1X017T Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-1x017T 0.3631
RFQ
 ECAD 8976 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH615 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.35V 60 MA 5300VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
MOC8111 Vishay Semiconductor Opto Division MOC8111 -
RFQ
 ECAD 2264 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC81 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 - 2µs, 11µs 70V 1.3V 90 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - 3µs, 18µs 400MV
TLP292(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292 (Y-TPL, e 0.5200
RFQ
 ECAD 9731 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP292 AC, DC 1 트랜지스터 4- 자 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
6N137SDM onsemi 6N137SDM 2.0300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 6N137 DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 10Mbps 30ns, 10ns 1.45V 50ma 5000VRMS 1/0 10kv/µs (타이핑) 75ns, 75ns
H11D3-X007 Vishay Semiconductor Opto Division H11D3-X007 -
RFQ
 ECAD 3840 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 h11 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 100ma 2.5µs, 5.5µs 200V 1.1V 60 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - 5µs, 6µs 400MV
ACNU-250L-500E Broadcom Limited ACNU-250L-500E 2.0474
RFQ
 ECAD 8741 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.378 ", 9.60mm 너비) ACNU-250 DC 1 트랜지스터 8- 너무 뻗어 너무 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 516-ACNU-250L-500etr 귀 99 8541.49.8000 1,000 12MA - 24V 1.5V 20 MA 5000VRMS 23% @ 12ma 53% @ 12ma 700ns, 400ns -
ACPL-K24L-060E Broadcom Limited ACPL-K24L-060E 2.2944
RFQ
 ECAD 5086 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.268 ", 6.81mm 너비) ACPL-K24 DC 2 푸시 푸시, 풀 기둥 2.7V ~ 5.5V 8- 너무 뻗어 너무 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 80 10 MA 5MBD 11ns, 11ns 1.5V 8ma 5000VRMS 2/0 25kV/µs 250ns, 250ns
H11N1FM onsemi H11n1fm -
RFQ
 ECAD 9878 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11N DC 1 오픈 오픈 4V ~ 15V 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30ma 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
H11B1-X007 Vishay Semiconductor Opto Division H11B1-X007 -
RFQ
 ECAD 3946 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 h11 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 100ma - 25V 1.1V 60 MA 5300VRMS 500% @ 1ma - 5µs, 30µs 1V
PS8821-1-F3-A CEL PS8821-1-F3-A -
RFQ
 ECAD 3938 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 1 트랜지스터 8-ssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 1,500 8ma - 7V 1.7V 25 MA 2500VRMS 20% @ 16ma - 300ns, 500ns -
CNY17-4 Lite-On Inc. CNY17-4 0.5000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Lite-On Inc. CNY17 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) CNY17 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 160-1314-5 귀 99 8541.49.8000 65 150ma 5µs, 5µs 70V 1.45V 60 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma - 300MV
EL357NF(TB)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL357NF (TB) -VG -
RFQ
 ECAD 5468 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL357 DC 1 트랜지스터 4-SOP (2.54mm) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 4µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA - 200MV
EL212(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL212 (TB) -V -
RFQ
 ECAD 4291 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) EL212 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) C110000563 귀 99 8541.49.8000 2,000 - 1.6µs, 2.2µs 80V 1.3V 60 MA 3750vrms 50% @ 10ma - 3µs, 3µs 400MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다