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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
MOC5007FR2M onsemi MOC5007FR2M -
RFQ
 ECAD 6423 0.00000000 온세미 GlobalOptoisolator ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC500 DC 1 오픈 오픈 - 6-SMD 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 1MHz - - 1.6MA 7500VPK 1/0 - -
VOL617A-1X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOL617A-1X001T 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 Vol617 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3.5µs, 5µs 80V 1.16V 60 MA 5000VRMS 40% @ 5mA 80% @ 5mA 6µs, 5.5µs 400MV
HCPL-263L-560 Broadcom Limited HCPL-263L-560 -
RFQ
 ECAD 5379 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 15MBD 24ns, 10ns 1.5V 15MA 3750vrms 2/0 10kV/µs 75ns, 75ns
PS2561L-1-E3-D-A CEL PS2561L-1-E3-DA -
RFQ
 ECAD 2653 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
EL816(S)(B)(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL816 (S) (B) (TA) -
RFQ
 ECAD 2858 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
LTV-827S-TA Lite-On Inc. LTV-827S-TA 0.1472
RFQ
 ECAD 3712 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-8X7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 LTV-827 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) LTV827STA 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
FODM3022-NF098 onsemi FODM3022-NF098 1.5300
RFQ
 ECAD 4985 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 CUR, ur 1 트라이크 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 1.2V 60 MA 3750vrms 400 v 70 MA 300µA (() 아니요 10V/µS (유형) 10MA -
ACPL-M484-500E Broadcom Limited ACPL-M484-500E 1.6197
RFQ
 ECAD 1574 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ ACPL-M484 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 30V 5- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 50 MA - 6ns, 6ns 1.5V 10MA 3750vrms 1/0 30kV/µs 120ns, 150ns
TLP781F(BL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (BL-LF7, F) -
RFQ
 ECAD 6707 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781F DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781F (BL-LF7F) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
FODM121FR1 onsemi FODM121FR1 -
RFQ
 ECAD 1788 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM12 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400MV
HCPL-2631-020E Broadcom Limited HCPL-2631-020E 2.2173
RFQ
 ECAD 8497 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-2631 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 10MBD 24ns, 10ns 1.5V 15MA 5000VRMS 2/0 10kV/µs 100ns, 100ns
4N26(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N26 (Short, F) -
RFQ
 ECAD 5618 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4N26 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 100ma 2µs, 200µs 30V 1.15V 80 MA 2500VRMS 20% @ 10ma - - 500MV
HCPL-0531-500E Broadcom Limited HCPL-0531-500E 4.4100
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL-0531 DC 2 트랜지스터 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 8ma - 20V 1.5V 25 MA 3750vrms 19% @ 16ma 50% @ 16ma 200ns, 600ns -
PS2811-1-M-A CEL PS2811-1-MA -
RFQ
 ECAD 5018 0.00000000 셀 NEPOC 조각 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 PS28111MA 귀 99 8541.49.8000 50 40ma 4µs, 5µs 40V 1.15V 50 MA 2500VRMS 100% @ 1ma 200% @ 1ma - 300MV
5962-8981001PA Broadcom Limited 5962-8981001PA 102.0995
RFQ
 ECAD 5401 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 5962-8981001 DC 1 달링턴 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 8µs 110MV
JAN4N24A TT Electronics/Optek Technology JAN4N24A 31.7400
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 JAN4N24 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 To-78-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 365-1960 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 20µs, 20µs (최대) 40V 1.5V (최대) 40 MA 1000VDC 100% @ 10ma - - 300MV
ACNV2601-500E Broadcom Limited ACNV2601-500E 6.3600
RFQ
 ECAD 6932 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 10-smd,, 날개 ACNV2601 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 10 날개 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 500 50 MA 10MBD 25ns, 10ns 1.64V 20MA 7500VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
VO3023-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO3023-X006 -
RFQ
 ECAD 7071 0.00000000 Vishay to Opto Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) VO302 CQC, CSA, CUL, FIMKO, UL, VDE 1 트라이크 6-DIP - 751-VO3023-X006 귀 99 8541.49.8000 2,000 1.3V 50 MA 5000VRMS 400 v 100 MA 200µA (유형) 아니요 100V/µs 5MA -
HCPL-261A#300 Broadcom Limited HCPL-261A#300 2.2076
RFQ
 ECAD 8596 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-261 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 10MBD 42ns, 12ns 1.3V 10MA 3750vrms 1/0 1kv/µs 100ns, 100ns
FOD4208V onsemi FOD4208V 4.4500
RFQ
 ECAD 7808 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) FOD4208 Cul, Fimko, UL, vde 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.28V 30 MA 5000VRMS 800 v 500µA 아니요 10kV/µs 2MA 60µs
PS2381-1Y-F3-AX Renesas Electronics America Inc PS2381-1Y-F3-AX 1.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 115 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2381 DC 1 트랜지스터 4-LSOP (2.54mm) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 4µs, 5µs 80V 1.1V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
LTV-816 Lite-On Inc. LTV-816 0.3900
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-816 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) LTV-816 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
QTM3063T1 QT Brightek (QTB) QTM3063T1 1.4600
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 QT Brightek (QTB) qtm306x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 QTM3063 ul, vde 1 트라이크 4- 미니 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 1.5V (최대) 60 MA 3750vrms 600 v 250µA 예 1kv/µs 5MA -
TLP293(GRL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (GRL-TPL, e 0.5000
RFQ
 ECAD 4454 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP293 DC 1 트랜지스터 4- 자 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 100% @ 500µa 200% @ 500µa 3µs, 3µs 300MV
MCT2ES1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd MCT2ES1 (TB) -V -
RFQ
 ECAD 4788 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MCT2 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 390717T231 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 3µs, 3µs 80V 1.23V 60 MA 5000VRMS 20% @ 10ma - 3µs, 3µs 400MV
PS2701-1-P-A CEL PS2701-1-PA -
RFQ
 ECAD 6296 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 PS27011PA 귀 99 8541.49.8000 100 80ma 3µs, 5µs 40V 1.1V 50 MA 3750vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
HCPL-253L-000E Broadcom Limited HCPL-253L-000E 1.5365
RFQ
 ECAD 1094 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-253 DC 2 트랜지스터 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 7V 1.5V 25 MA 3750vrms 19% @ 16ma 50% @ 16ma 200ns, 600ns -
HCPL-270L Broadcom Limited HCPL-270L 1.1316
RFQ
 ECAD 3651 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-270 DC 1 달링턴 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 60ma - 7V 1.5V 20 MA 3750vrms 300% @ 1.6ma 2600% @ 1.6ma 25µs, 50µs -
EL1116(TA)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL1116 (TA) -VG 0.2689
RFQ
 ECAD 8302 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비), 5 개의 리드 EL1116 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 5-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 300% @ 5mA 4µs, 3µs 400MV
H11A817C300W onsemi H11A817C300W -
RFQ
 ECAD 5268 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11a DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11A817C300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.2V 50 MA 5300VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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