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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
MOC3052M onsemi MOC3052M 1.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC305 ur 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 1.18V 60 MA 4170vrms 600 v 220µA (() 아니요 1kv/µs 10MA -
IL221AT Vishay Semiconductor Opto Division IL221AT 0.3781
RFQ
 ECAD 1473 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IL221 DC 1 베이스와 베이스와 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 - - 30V 1V 60 MA 4000VRMS 100% @ 1ma - - 1V
CNY171SM onsemi CNY171SM 0.8600
RFQ
 ECAD 540 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY171 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNY171SM-NDR 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
PS2532-1-V-A CEL PS2532-1-VA -
RFQ
 ECAD 9599 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 달링턴 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 150ma 100µs, 100µs 300V 1.15V 80 MA 5000VRMS 1500% @ 1ma 6500% @ 1ma - 1V
CNW85300 onsemi CNW85300 -
RFQ
 ECAD 9693 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNW85 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 100ma - 80V - 100 MA 5900VRMS 0.63% @ 10ma 3.20% @ 10ma - 400MV
CNY171FR2M onsemi CNY171FR2M -
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY171 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNY171FR2M-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
ACPL-560KL-100 Broadcom Limited ACPL-560KL-100 523.6525
RFQ
 ECAD 1678 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-SMD 엉덩이 d ACPL-560 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 3V ~ 3.6V 8-DIP 조인트 엉덩이 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A001A2C 8541.49.8000 1 25 MA 10MBD 20ns, 8ns 1.55V 20MA 1500VDC 1/0 1kv/µs 100ns, 100ns
PC3H411NIP Sharp Microelectronics PC3H411NIP -
RFQ
 ECAD 7696 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) AC, DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 10 MA 2500VRMS 100% @ 500µa 300% @ 500µa - 200MV
TLP118(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP118 (e 2.0200
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비), 5 개의 리드 TLP118 DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 6-5 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 125 25 MA - 30ns, 30ns - 25MA 3750vrms 1/0 15kV/µs 60ns, 60ns
PS9324L2-V-E3-AX Renesas Electronics America Inc PS9324L2-V-E3-AX 5.1300
RFQ
 ECAD 4222 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) PS9324 DC 1 오픈 오픈 2.7V ~ 5.5V 6-Sdip Gull Wing 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 25 MA 10Mbps 20ns, 5ns 1.55V 25MA 5000VRMS 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
ILQ620GB Vishay Semiconductor Opto Division ILQ620GB 4.2600
RFQ
 ECAD 947 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ILQ620 AC, DC 4 트랜지스터 16-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 25 50ma 20µs, 2µs 70V 1.15V 60 MA 5300VRMS 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 2.3µs 400MV
FODM8071 onsemi FODM8071 3.6400
RFQ
 ECAD 2093 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ FODM80 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 3V ~ 5.5V 5- 미니 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 10 MA 20Mbps 5.8ns, 5.3ns 1.35V 20MA 3750vrms 1/0 20kV/µs 55ns, 55ns
EL3051 Everlight Electronics Co Ltd EL3051 0.5339
RFQ
 ECAD 7083 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) EL305 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903510000 귀 99 8541.49.8000 65 1.18V 60 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 250µA (() 아니요 1kv/µs 15MA -
PS2561BL-1-A Renesas Electronics America Inc PS2561BL-1-A 0.3461
RFQ
 ECAD 1626 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2561 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 559-1306 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 40 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
PC81718NSZ0F Sharp Microelectronics PC81718NSZ0F -
RFQ
 ECAD 6125 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 10 MA 5000VRMS 120% @ 500µa 500% @ 500µa - 200MV
TIL195B Texas Instruments TIL195B 0.7300
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 1
CNY17-1-300E Broadcom Limited CNY17-1-300E 0.7000
RFQ
 ECAD 1221 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 65 150ma 5µs, 5µs 70V 1.4V 60 MA 5000VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma - 300MV
CNY17-3 Lite-On Inc. CNY17-3 0.5000
RFQ
 ECAD 258 0.00000000 Lite-On Inc. CNY17 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) CNY17 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 160-1312-5 귀 99 8541.49.8000 65 150ma 5µs, 5µs 70V 1.45V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 300MV
PS2532L-2 CEL PS2532L-2 -
RFQ
 ECAD 5538 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 2 달링턴 8-smd 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 45 150ma 100µs, 100µs 300V 1.15V 80 MA 5000VRMS 1500% @ 1ma 6500% @ 1ma - 1V
HCPL-553K-100 Broadcom Limited HCPL-553K-100 658.8671
RFQ
 ECAD 4444 0.00000000 Broadcom Limited - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-SMD 엉덩이 d HCPL-553 DC 2 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A001A2C 8541.49.8000 1 8ma - 20V 1.55V 20 MA 1500VDC 9% @ 16ma - 400ns, 1µs -
TLP385(D4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-TPR, e 0.5600
RFQ
 ECAD 6071 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP385 DC 1 트랜지스터 6-4 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
H11AA1-X007T Vishay Semiconductor Opto Division H11AA1-X007T 1.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 h11 AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 60 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - - 400MV
PC4N330YSZX Sharp Microelectronics PC4N330YSZX -
RFQ
 ECAD 2197 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm), 5 리드 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP - rohs 비준수 1 (무제한) 425-1791-5 귀 99 8541.49.8000 50 100ma - 30V - 1500VRMS 100% @ 10ma - - 1V
PS2561DL1-1Y-V-A Renesas Electronics America Inc PS2561DL1-1Y-VA 0.8700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) PS2561 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.2V 40 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
FODM3011R3V onsemi FODM3011R3V -
RFQ
 ECAD 9960 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 트라이크 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 MA 3750vrms 250 v 70 MA 300µA (() 아니요 10V/µS (유형) 10MA -
PC3SD12NTZAF Sharp Microelectronics PC3SD12NTZAF -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm), 5 리드 PC3SD12 CSA, ur 1 트라이크 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 425-2127-5 귀 99 8541.49.8000 50 1.2V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 3.5MA 아니요 1kv/µs 10MA 50 대 (최대)
HCPL0530 onsemi HCPL0530 -
RFQ
 ECAD 2277 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL05 DC 2 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 7% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 500ns -
JAN4N22A TT Electronics/Optek Technology JAN4N22A -
RFQ
 ECAD 9246 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 To-78-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 50ma 20µs, 20µs (최대) 40V 1.5V (최대) 40 MA 1000VDC 25% @ 10ma - - 300MV
MCT2ETM onsemi MCT2ETM -
RFQ
 ECAD 1255 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MCT2 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCT2ETM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2µs, 1.5µs 30V 1.25V 60 MA 7500VPK 20% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
4N22UTXV TT Electronics/Optek Technology 4N22UTXV -
RFQ
 ECAD 7245 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SMD,, 없음 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-LCC (6.22x4.32) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 - 15µs, 15µs 35V 1.3V (최대) 40 MA 1000VDC 25% @ 10ma - - 300MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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