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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
PS8101-V-K-AX Renesas PS8101-VK-AX -
RFQ
 ECAD 6222 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-PS8101-VK-AX 1
6N138SDM onsemi 6N138SDM 1.8500
RFQ
 ECAD 496 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 6N138 DC 1 베이스와 베이스와 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 60ma - 7V 1.3V 20 MA 5000VRMS 300% @ 1.6ma - 1µs, 7.3µs -
ACPL-W50L-060E Broadcom Limited ACPL-W50L-060E 3.2400
RFQ
 ECAD 8942 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) ACPL-W50 DC 1 트랜지스터 6- 너무 뻗어 너무 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 8ma - 24V 1.5V 20 MA 5000VRMS 93% @ 3ma 200% @ 3ma 200ns, 380ns -
TLP512(MBS-SZ,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (MBS-SZ, F) -
RFQ
 ECAD 5207 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP512 - 1 (무제한) 264-TLP512 (MBS-SZF) 귀 99 8541.49.8000 50
CNX39UW onsemi CNX39UW -
RFQ
 ECAD 8005 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNX39 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNX39UW-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 30V 1.15V 100 MA 5300VRMS 60% @ 10ma 100% @ 10ma 20µs, 20µs 400MV
MCT5211SVM onsemi MCT5211SVM -
RFQ
 ECAD 9109 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MCT5 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 30V 1.25V 50 MA 4170vrms 150% @ 1.6ma - 14µs, 2.5µs 400MV
5962-0822703KUC Broadcom Limited 5962-0822703KUC 643.6567
RFQ
 ECAD 9693 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SMD,, 관절 5962-0822703 DC 4 달링턴 16-smd 엉덩이 d 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 6µs -
HCPL-0500-560E Broadcom Limited HCPL-0500-560E 0.8189
RFQ
 ECAD 1856 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL-0500 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 8ma - 20V 1.5V 25 MA 3750vrms 5% @ 16ma - 200ns, 1.3µs -
HCPL-2430-020E Broadcom Limited HCPL-2430-020E 7.9172
RFQ
 ECAD 4099 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-2430 DC 2 푸시 푸시, 풀 기둥 4.75V ~ 5.25V 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 25 MA 40MBD 20ns, 10ns 1.3V 10MA 5000VRMS 2/0 1kv/µs 55ns, 55ns
FOD617BS onsemi FOD617BS -
RFQ
 ECAD 4249 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FOD617 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.35V 50 MA 5000VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma - 400MV
4N30S1(TB) Everlight Electronics Co Ltd 4N30S1 (TB) -
RFQ
 ECAD 4843 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907150023 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma - 5µs, 40µs (최대) 1V
TLP624-2(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 4288 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP624 - 1 (무제한) 264-TLP624-2 (TP1F) TR 귀 99 8541.49.8000 1,500
SFH617A-3 Vishay Semiconductor Opto Division SFH617A-3 0.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) SFH617 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 2µs 70V 1.35V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
CNY17-4X016 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-4x016 0.2509
RFQ
 ECAD 4063 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNY17 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.39V 60 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
HCNW4503 Broadcom Limited HCNW4503 2.4508
RFQ
 ECAD 9268 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) HCNW4503 DC 1 트랜지스터 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 516-1034-5 귀 99 8541.49.8000 42 8ma - 20V 1.68V 25 MA 5000VRMS 15% @ 16ma - 1µs, 1µs (최대) -
IL300-DEFG-X017 Vishay Semiconductor Opto Division IL300-DEFG-X017 2.1557
RFQ
 ECAD 8728 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 IL300 DC 1 태양 태양, 광 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 70µA (() 1µs, 1µs 500MV 1.25V 60 MA 5300VRMS - - - -
TLP754F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754F (F) -
RFQ
 ECAD 8479 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 30V 8-DIP 다운로드 264-TLP754F (F) 귀 99 8541.49.8000 1 15 MA 1Mbps - 1.55V 20MA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 550ns, 400ns
MOC3052M onsemi MOC3052M 1.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC305 ur 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 1.18V 60 MA 4170vrms 600 v 220µA (() 아니요 1kv/µs 10MA -
MOC3042TM onsemi MOC3042TM -
RFQ
 ECAD 4618 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MOC304 ul 1 트라이크 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC3042TM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.25V 60 MA 4170vrms 400 v 400µA (() 예 1kv/µs 10MA -
CNY17-2S(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd CNY17-2S (TB) -V -
RFQ
 ECAD 1559 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17-2 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907171757 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 6µs, 8µs 80V 1.65V (() 60 MA 5000VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 10µs, 9µs 300MV
PS2565L2-1-F3-A CEL PS2565L2-1-F3-A -
RFQ
 ECAD 4971 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
H11AA1X Isocom Components 2004 LTD H11AA1X 0.9000
RFQ
 ECAD 331 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11AA1 AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 65 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - - 400MV
MCT62W onsemi MCT62W -
RFQ
 ECAD 3630 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) MCT62 DC 2 트랜지스터 8-mdip 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCT62W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 30ma - 30V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA - 2.4µs, 2.4µs 400MV
SL5500 onsemi SL5500 -
RFQ
 ECAD 9666 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) SL5500 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SL5500-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 30V 1.23V 100 MA 5300VRMS 40% @ 10ma 300% @ 10ma 20µs, 50µs (최대) 400MV
IL300-X006 Vishay Semiconductor Opto Division IL300-X006 -
RFQ
 ECAD 4503 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) IL300 DC 1 태양 태양, 광 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 70µA (() 1µs, 1µs 500MV 1.25V 60 MA 5300VRMS - - - -
SFH608-4X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH608-4X001 0.4754
RFQ
 ECAD 9128 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) SFH608 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 5µs, 7µs 55V 1.1V 50 MA 5300VRMS 1MA 160% 320% @ 1ma 8µs, 7.5µs 400MV
EL3022M-V Everlight Electronics Co Ltd EL3022M-V -
RFQ
 ECAD 8486 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) EL3022 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903220009 귀 99 8541.49.8000 65 1.18V 60 MA 5000VRMS 400 v 100 MA 250µA (() 아니요 100v/µs (유형) 10MA -
MOC8101X Isocom Components 2004 LTD MOC8101X 0.6200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC8101 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 65 50ma 2µs, 2µs 30V 1.15V 60 MA 5300VRMS 50% @ 10ma 80% @ 10ma - 400MV
H11AG3SD onsemi H11AG3SD -
RFQ
 ECAD 3814 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11AG3SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.5V (최대) 50 MA 5300VRMS 20% @ 1ma - 5µs, 5µs 400MV
TLP624-2(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 6546 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP624 - 1 (무제한) 264-TLP624-2 (LF1F) 귀 99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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