전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | sic 프로그램 가능 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 채널 채널 | 구동 구동 | 드라이버 드라이버 | 게이트 게이트 | 논리 논리 - vil, vih | 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) | 상승 / 시간 낙하 (타이핑) | 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩) |
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![]() | UCC27424P | 1.6000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | UCC27424 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 4V ~ 15V | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 독립적인 | 낮은 낮은 | 2 | n-채널, p 채널 MOSFET | 1V, 2V | 4a, 4a | 20ns, 15ns | |||
![]() | UC3714D | 1.9869 | ![]() | 9549 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | UC3714 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 7V ~ 20V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 75 | 동기 | 낮은 낮은 | 2 | n-채널, p 채널 MOSFET | 0.8V, 2V | 500ma, 1a | 30ns, 25ns | |||
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![]() | ISL6594BCB | 0.7200 | ![]() | 662 | 0.00000000 | 인터 인터 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ISL6594 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 10.8V ~ 13.2v | 8-SOIC | 다운로드 | rohs 비준수 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 98 | 동기 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | - | 1.25A, 2A | 26ns, 18ns | 36 v | ||||
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![]() | IRS210614SPBF | - | ![]() | 6383 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRS210614 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 10V ~ 20V | 14 -Soic | 다운로드 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | SP001548520 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 55 | 독립적인 | 하프 하프 | 2 | IGBT, N-, MOSFET | 0.8V, 2.5V | 290ma, 600ma | 100ns, 35ns | 600 v | ||
![]() | MIC4420CN | - | ![]() | 5012 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | MIC4420 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 18V | 8-PDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 하나의 | 낮은 낮은 | 1 | n-채널, p 채널 MOSFET | 0.8V, 2.4V | 6A, 6A | 12ns, 13ns | |||
![]() | ISL6612BEIBZ-T | - | ![]() | 5697 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | ISL6612 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 7V ~ 13.2V | 8-SOIC-EP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 동기 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | - | 1.25A, 2A | 26ns, 18ns | 36 v | ||
![]() | ISL6613BECBZ-T | - | ![]() | 6490 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | ISL6613 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 7V ~ 13.2V | 8-SOIC-EP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 동기 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | - | 1.25A, 2A | 26ns, 18ns | 36 v | ||
![]() | MCP14A0304-E/MS | 1.1400 | ![]() | 418 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | MCP14A0304 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 18V | 8-MSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 독립적인 | 높은 높은 또는 쪽 쪽 | 2 | IGBT | 0.8V, 2V | 3A, 3A | 12ns, 12ns | |||
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![]() | TC4423VOE713 | 2.8300 | ![]() | 6070 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | TC4423 | 반전 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 18V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | TC4423VOE713-NDR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 독립적인 | 낮은 낮은 | 2 | n-채널, p 채널 MOSFET | 0.8V, 2.4V | 3A, 3A | 23ns, 25ns | ||
![]() | hip2100eibz | 4.5800 | ![]() | 9537 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | HIP2100 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 9V ~ 14V | 8-SOIC-EP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | -HIP2100eibz | 귀 99 | 8542.39.0001 | 98 | 독립적인 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | 4V, 7V | 2A, 2A | 10ns, 10ns | 114 v | |
![]() | ZXGD3113W6-7 | 0.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | ZXGD3113 | - | 확인되지 확인되지 | 3.5V ~ 40V | SOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 동기 | 낮은 낮은 | 1 | N- 채널 MOSFET | 1.5A, 3A | 360ns, 210ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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