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게이트 게이트 (7161)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 채널 채널 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩) sic 프로그램 가능
NCP4413P onsemi NCP4413P 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 NCP4413 확인되지 확인되지 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1
LTC7001HMSE#PBF Analog Devices Inc. LTC7001HMSE#PBF 8.9300
RFQ
 ECAD 7312 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 노출 패드 LTC7001 비 비 확인되지 확인되지 3.5V ~ 15V 10-msop-ep 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 하이 하이 1 N- 채널 MOSFET - - 90ns, 40ns 135 v
AUIRS20161S Infineon Technologies AUIRS20161S -
RFQ
 ECAD 3739 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q100 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AUIRS20161S 반전 확인되지 확인되지 4.4V ~ 6.5V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001515292 귀 99 8542.39.0001 95 하나의 하이 하이 1 IGBT, N-, MOSFET - 500ma, 500ma 200ns, 200ns 150 v
FAN3268TMX-F085 onsemi FAN3268TMX-F085 2.8200
RFQ
 ECAD 7626 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) fan3268 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2V 3A, 3A 12ns, 9ns
FAN7393M onsemi fan7393m -
RFQ
 ECAD 5249 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) fan7393 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 14-SOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 54 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 2.5A, 2.5A 40ns, 20ns 600 v
HIP2122FRTAZ Intersil HIP2122FRTAZ 3.3600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인터 인터 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-wdfn n 패드 HIP2122 반전 확인되지 확인되지 8V ~ 14V 10-TDFN (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 75 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 3.7V, 7.93V 2A, 2A 10ns, 10ns 114 v
ISL6614CBZA-T Renesas Electronics America Inc ISL6614CBZA-T -
RFQ
 ECAD 1922 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6614 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
NCV5703BDR2G onsemi NCV5703BDR2G 2.3300
RFQ
 ECAD 8730 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NCV5703 비 비 확인되지 확인되지 20V 8-SOIC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 하프 하프 1 IGBT 0.75V, 4.3V 1a, 1a 9.2ns, 7.9ns
FAN73832N onsemi FAN73832N -
RFQ
 ECAD 8275 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) FAN73832 비 비 확인되지 확인되지 15V ~ 20V 8-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 1.2V, 2.9V 350MA, 650MA 50ns, 30ns 600 v
IR2103PBF International Rectifier IR2103PBF 1.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IR2103 반전, 반전 비 10V ~ 20V 8-PDIP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 221 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 3V 210ma, 360ma 100ns, 50ns 600 v 확인되지 확인되지
IR2011STRPBF Infineon Technologies IR2011STPBF 3.4600
RFQ
 ECAD 522 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR2011 반전 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 높은 높은 또는 쪽 쪽 2 N- 채널 MOSFET 0.7V, 2.2V 1a, 1a 35ns, 20ns 200 v
MIC4605-2YMT-TR Microchip Technology MIC4605-2YMT-TR 1.1200
RFQ
 ECAD 6897 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-ufdfn 노출 패드 MIC4605 비 비 확인되지 확인되지 5.5V ~ 16V 10-TDFN (2.5x2.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1a, 1a 20ns, 20ns 108 v
IXDI514PI IXYS IXDI514PI -
RFQ
 ECAD 1887 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXDI514 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 1V, 2.5V 14a, 14a 25ns, 22ns
IXDN602SIATR IXYS Integrated Circuits Division IXDN602SIATR 1.7100
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDN602 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 2A, 2A 7.5ns, 6.5ns
TPS2817DBVT Texas Instruments TPS2817DBVT 2.1700
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 TPS2817 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 14V SOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 하나의 낮은 낮은 1 N- 채널 MOSFET 1V, 4V 2A, 2A 14ns, 14ns
UCC27536DBVR Texas Instruments UCC27536DBVR 1.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 UCC27536 반전 확인되지 확인되지 10V ~ 32V SOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-, MOSFET 1.2V, 2.2V 2.5A, 2.5A 15ns, 10ns
TC1411EUA Microchip Technology TC1411EUA 1.2200
RFQ
 ECAD 1983 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) TC1411 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 16V 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC1411EUA-NDR 귀 99 8542.39.0001 100 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2V 1a, 1a 25ns, 25ns
TC4420EOA Microchip Technology TC4420EOA 2.1300
RFQ
 ECAD 588 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TC4420 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC4420EOA-NDR 귀 99 8542.39.0001 100 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 6A, 6A 25ns, 25ns
MCP14A0451-E/MS Microchip Technology MCP14A0451-E/MS 1.4300
RFQ
 ECAD 978 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) MCP14A0451 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2V 4.5A, 4.5A 9.5ns, 9ns
FAN8811TMPX onsemi fan8811tmpx 3.2300
RFQ
 ECAD 3270 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-wdfn n 패드 FAN8811 비 비 확인되지 확인되지 8V ~ 16V 10MLP (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 1.3V, 2.5V 3A, 6A 6ns, 4ns 118 v
FAN7888M Fairchild Semiconductor fan7888m -
RFQ
 ECAD 7446 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) fan7888 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 20- 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 36 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 1V, 2.5V 350MA, 650MA 50ns, 30ns 200 v
FAN7393AMX onsemi FAN7393AMX 3.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) fan7393 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 14-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 2.5A, 2.5A 25ns, 15ns 600 v
E-L6569D STMicroelectronics E-L6569D -
RFQ
 ECAD 9854 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) E-L6569 RC 입력 회로 확인되지 확인되지 10V ~ 16.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET - 170ma, 270ma - 600 v
MIC4428BMM Microchip Technology MIC4428BMM -
RFQ
 ECAD 4472 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) MIC4428 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-MSOP - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 20ns, 29ns
HIP6603ACB Intersil HIP6603ACB 1.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인터 인터 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HIP6603 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 580ma, - 20ns, 20ns
HIP5015IS1 Harris Corporation HIP5015IS1 1.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 7-SSIP 형성 ip HIP5015 비 비 확인되지 확인되지 9.6V ~ 14.4V 7-sip 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 동기 하프 하프 1 N- 채널 MOSFET - 5a, 5a 20ns, 20ns
UC2709N Texas Instruments UC2709N 8.8662
RFQ
 ECAD 4249 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) UC2709 반전 확인되지 확인되지 5V ~ 40V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1.5A, 1.5A 20ns, 20ns
UCC27423DGN Unitrode UCC27423DGN -
RFQ
 ECAD 6002 0.00000000 유니트로 유니트로 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 UCC27423 반전 확인되지 확인되지 4V ~ 15V 8-msop-powerpad 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 1V, 2V 4a, 4a 20ns, 15ns
TC4424AVMF Microchip Technology TC4424AVMF 2.4500
RFQ
 ECAD 5725 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 TC4424 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-DFN-S (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 60 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 4.5A, 4.5A 12ns, 12ns
FL73293MX onsemi FL73293MX -
RFQ
 ECAD 5384 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 FL73293 확인되지 확인되지 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 488-FL73293MX 쓸모없는 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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