전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | sic 프로그램 가능 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 채널 채널 | 구동 구동 | 드라이버 드라이버 | 게이트 게이트 | 논리 논리 - vil, vih | 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) | 상승 / 시간 낙하 (타이핑) | 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRS2608DSPBF | 1.0800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRS2608 | 반전, 반전 비 | 확인되지 확인되지 | 10V ~ 20V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 독립적인 | 하프 하프 | 2 | IGBT, N-, MOSFET | 0.8V, 2.2V | 200ma, 350ma | 150ns, 50ns | 600 v | ||
![]() | LM5106SD | - | ![]() | 9113 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-wdfn n 패드 | LM5106 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 8V ~ 14V | 10) (4x4) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 동기 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | 0.8V, 2.2V | 1.2A, 1.8A | 15ns, 10ns | 118 v | ||
![]() | TC4431VOA | 3.9200 | ![]() | 8952 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TC4431 | 반전 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 30V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 하나의 | 높은 높은 또는 쪽 쪽 | 1 | n-채널, p 채널 MOSFET | 0.8V, 2.4V | 1.5A, 1.5A | 25ns, 33ns | |||
![]() | U6083B-M | - | ![]() | 4855 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | U6083B | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 25V (최대) | 8-PDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,800 | 하나의 | 하이 하이 | 1 | N- 채널 MOSFET | - | - | - | |||
![]() | IR2128STR | - | ![]() | 6041 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IR2128 | 반전 | 확인되지 확인되지 | 12V ~ 20V | 8-SOIC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 하나의 | 높은 높은 또는 쪽 쪽 | 1 | IGBT, N-, MOSFET | 0.8V, 3V | 250ma, 500ma | 80ns, 40ns | 600 v | ||
![]() | MIC4451ABM | - | ![]() | 7153 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MIC4451 | 반전 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 18V | 8-SOIC | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 570 | 하나의 | 낮은 낮은 | 1 | IGBT, N-, MOSFET | 0.8V, 2.4V | 12a, 12a | 20ns, 24ns | |||
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LTC3901EGN#TRPBF | 4.7100 | ![]() | 4691 | 0.00000000 | 아날로그 아날로그 Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비) | LTC3901 | 반전, 반전 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 11V | 16-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 동기 | 낮은 낮은 | 2 | N- 채널 MOSFET | - | 2A, 2A | 15ns, 15ns | ||||
![]() | EL7158IS | - | ![]() | 6209 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | EL7158 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 12V | 8-SOIC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 97 | 하나의 | 높은 높은 또는 쪽 쪽 | 1 | IGBT | 0.8V, 2.4V | 12a, 12a | 12ns, 12.2ns | |||
![]() | FAN7190M-F085 | - | ![]() | 8393 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q100 | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FAN7190 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 10V ~ 22V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 95 | 독립적인 | 하프 하프 | 2 | IGBT, N-, MOSFET | 1.2V, 2.5V | 4.5A, 4.5A | 25ns, 20ns | 600 v | |||
![]() | CMT-TIT8243A | 189.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | cissoid | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 기준 기준 | CMT-TIT8243 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 12V ~ 18V | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 3276-CMT-TIT8243A | 귀 99 | 8542.39.0000 | 1 | 독립적인 | 하프 하프 | 2 | IGBT, N-, MOSFET | - | 10A, 10A | - | 1200 v | ||
![]() | IRS2890DSTRPBF | 3.0200 | ![]() | 9253 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRS2890 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 10V ~ 20V | PG-DSO-14-903 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 독립적인 | 하프 하프 | 2 | IGBT, N-, MOSFET | 0.8V, 2.2V | 220ma, 480ma | 85ns, 30ns | 600 v | ||
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![]() | HIP2123FRTBZ | - | ![]() | 4147 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 9-wdfn n 패드 | HIP2123 | 반전 | 확인되지 확인되지 | 8V ~ 14V | 9-TDFN (4x4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | 독립적인 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | 1.4V, 2.2V | 2A, 2A | 10ns, 10ns | 114 v | ||
![]() | MIC4451CT | - | ![]() | 8271 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | TO-220-5 | MIC4451 | 반전 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 18V | TO-220-5 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 하나의 | 낮은 낮은 | 1 | IGBT, N-, MOSFET | 0.8V, 2.4V | 12a, 12a | 20ns, 24ns | |||
NCD5701BDR2G | 3.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | NCD5701 | - | 확인되지 확인되지 | 20V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 하나의 | 낮은 낮은 | 1 | IGBT | - | 7.8A, 6.8A | 18ns, 19ns | ||||
![]() | IXDN609SI | 3.1300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ixys 회로 통합 부서 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | IXDN609 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 35V | 8-SOIC-EP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | CLA364 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 하나의 | 낮은 낮은 | 1 | IGBT, N-,, P 채널 MOSFET | 0.8V, 3V | 9a, 9a | 22ns, 15ns | ||
![]() | IXDE509PI | - | ![]() | 1276 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IXDE509 | 반전 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 30V | 8-DIP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 하나의 | 낮은 낮은 | 1 | IGBT, N-,, P 채널 MOSFET | 0.8V, 2.4V | 9a, 9a | 25ns, 23ns | ||||
![]() | IRS2108pbf | - | ![]() | 8822 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRS2108 | 반전, 반전 비 | 확인되지 확인되지 | 10V ~ 20V | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 독립적인 | 하프 하프 | 2 | IGBT, N-, MOSFET | 0.8V, 2.5V | 290ma, 600ma | 100ns, 35ns | 600 v | ||
![]() | EL7222CSZ | 3.8200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | EL7222 | 반전, 반전 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 15V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 97 | 독립적인 | 낮은 낮은 | 2 | n-채널, p 채널 MOSFET | 0.8V, 2.4V | 2A, 2A | 7.5ns, 10ns | |||
![]() | IR2136 | - | ![]() | 1654 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) | IR2136 | 반전 | 확인되지 확인되지 | 10V ~ 20V | 28-PDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 13 | 3 상 | 하프 하프 | 6 | IGBT, N-, MOSFET | 0.8V, 3V | 200ma, 350ma | 125ns, 50ns | 600 v | ||
![]() | IXDF502D1 | - | ![]() | 2936 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | IXDF502 | 반전, 반전 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 30V | 6-DFN (4x5) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 56 | 독립적인 | 낮은 낮은 | 2 | IGBT, N-,, P 채널 MOSFET | 0.8V, 3V | 2A, 2A | 7.5ns, 6.5ns | ||||
![]() | IRS2336SPBF | - | ![]() | 6279 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | IRS2336 | 반전 | 확인되지 확인되지 | 10V ~ 20V | 28 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 3 상 | 하프 하프 | 6 | IGBT, N-, MOSFET | 0.8V, 2.5V | 200ma, 350ma | 125ns, 50ns | 600 v | ||
ISL89163FRTAZ-T | 2.9559 | ![]() | 5795 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | ISL89163 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 16V | 8-TDFN (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 독립적인 | 낮은 낮은 | 2 | N- 채널 MOSFET | 1.22V, 2.08V | 6A, 6A | 20ns, 20ns | ||||
![]() | TC4423VMF713 | 1.9350 | ![]() | 9310 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | TC4423 | 반전 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 18V | 8-DFN-S (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | TC4423VMF713-NDR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 독립적인 | 낮은 낮은 | 2 | n-채널, p 채널 MOSFET | 0.8V, 2.4V | 3A, 3A | 23ns, 25ns | ||
![]() | UCC27425DGN | 1.6700 | ![]() | 134 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 | UCC27425 | 반전, 반전 비 | 확인되지 확인되지 | 4V ~ 15V | 8-HVSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 80 | 독립적인 | 낮은 낮은 | 2 | n-채널, p 채널 MOSFET | 1V, 2V | 4a, 4a | 20ns, 15ns | |||
![]() | MIC4605-1 YMT-TR | 1.1200 | ![]() | 6177 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-ufdfn 노출 패드 | MIC4605 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 5.5V ~ 16V | 10-TDFN (2.5x2.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 독립적인 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | 0.8V, 2.2V | 1a, 1a | 20ns, 20ns | 108 v | ||
![]() | 1SC0450E2B0-45 | 163.1700 | ![]() | 1185 | 0.00000000 | 전력 전력 | 스케일 ™ -2 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 기준 기준 | 1SC0450 | - | 확인되지 확인되지 | 14.5V ~ 15.5V | 기준 기준 | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 1810-1077 | 귀 99 | 8543.70.9860 | 12 | 하나의 | 높은 높은 또는 쪽 쪽 | 1 | IGBT | - | 50a, 50a | 30ns, 25ns | 4500 v | ||
![]() | IXG611S1 | - | ![]() | 5050 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IXG611 | - | 확인되지 확인되지 | - | 8-SOIC | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 470 | - | - | - | - | - | - | |||||
![]() | ISL6613IR-T | - | ![]() | 8846 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-vfdfn 노출 패드 | ISL6613 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 10.8V ~ 13.2v | 10-DFN (3x3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 동기 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | - | 1.25A, 2A | 26ns, 18ns | 36 v |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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