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게이트 게이트 (7161)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	sic 프로그램 가능	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	채널 채널	구동 구동	드라이버 드라이버	게이트 게이트	논리 논리 - vil, vih	현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크)	상승 / 시간 낙하 (타이핑)	높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)
MAX628ESA+	6.9300	RFQ	17	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	MAX628	반전, 반전 비	확인되지 확인되지	4.5V ~ 18V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	독립적인	낮은 낮은	2	n-채널, p 채널 MOSFET	0.8V, 2.4V	2A, 2A	25ns, 20ns
MIC4102YM-TR	2.6500	RFQ	19	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	MIC4102	비 비	확인되지 확인되지	9V ~ 16V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	동기	하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	0.8V, 2.2V	2A, 3A	330ns, 200ns	118 v
ISL6608CBZ	-	RFQ	8384	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	ISL6608	비 비	확인되지 확인되지	4.5V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	980	동기	하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	-	2A, 2A	8ns, 8ns	22 v
MIC5014YM-TR	2.9100	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	MIC5014	비 비	확인되지 확인되지	2.75V ~ 30V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	하나의	높은 높은 또는 쪽 쪽	1	N- 채널 MOSFET	0.8V, 2V	-	-
ICL7667CBA+	4.4500	RFQ	403	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	ICL7667	반전	확인되지 확인되지	4.5V ~ 17V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-4941-ICL7667CBA+	귀 99	8542.39.0001	100	독립적인	-	2	N- 채널 MOSFET	0.8V, 2V	-	20ns, 20ns
EL7457CS-T13	-	RFQ	7698	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	EL7457	비 비	확인되지 확인되지	4.5V ~ 18V	16-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	독립적인	높은 높은 또는 쪽 쪽	4	n-채널, p 채널 MOSFET	0.8V, 2V	2A, 2A	13.5ns, 13ns
TC4428AVMF713	1.1700	RFQ	2242	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-vdfn d 패드	TC4428	반전, 반전 비	확인되지 확인되지	4.5V ~ 18V	8-DFN-S (6x5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	TC4428AVMF713-NDR	귀 99	8542.39.0001	3,300	독립적인	낮은 낮은	2	n-채널, p 채널 MOSFET	0.8V, 2.4V	1.5A, 1.5A	25ns, 25ns
SG1626Y	-	RFQ	7051	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-STD-883	쟁반	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	8-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	SG1626	반전	확인되지 확인되지	22V	8-cerdip	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-SG1626Y	귀 99	8542.39.0001	50	독립적인	하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	0.7V, 2V	3A	30ns, 30ns
IR20153SPBF	-	RFQ	6066	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IR20153	반전	확인되지 확인되지	5V ~ 20V	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	95	하나의	하이 하이	1	N- 채널 MOSFET	1.4V, 3V	1.5A, 1.5A	200ns, 100ns	150 v
LM5110-1SDX	-	RFQ	4675	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	10-wdfn n 패드	LM5110	비 비	확인되지 확인되지	3.5V ~ 14V	10) (4x4)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	4,500	독립적인	낮은 낮은	2	N- 채널 MOSFET	0.8V, 2.2V	3A, 5A	14ns, 12ns
TC1412COA713	1.8200	RFQ	3	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	TC1412	반전	확인되지 확인되지	4.5V ~ 16V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,300	하나의	낮은 낮은	1	n-채널, p 채널 MOSFET	0.8V, 2V	2A, 2A	18ns, 18ns
LTC4440AIMS8E-5#PBF	6.4600	RFQ	558	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드	LTC4440	비 비	확인되지 확인되지	4V ~ 15V	8-MSOP-EP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-2735-LTC4440AIMS8E-5#PBF	귀 99	8542.39.0001	50	하나의	하이 하이	1	N- 채널 MOSFET	1.2V, 1.6V	1.1a, 1.1a	10ns, 7ns	80 v
MIC4420CM-TR	-	RFQ	3996	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	MIC4420	비 비	확인되지 확인되지	4.5V ~ 18V	8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	하나의	낮은 낮은	1	n-채널, p 채널 MOSFET	0.8V, 2.4V	6A, 6A	12ns, 13ns
HIP6603BECB-T	-	RFQ	1184	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드	HIP6603	비 비	확인되지 확인되지	10.8V ~ 13.2v	8-SOIC-EP	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	동기	하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	-	-	20ns, 20ns	15 v
IR2181SPBF	4.0900	RFQ	2	인피온 인피온	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IR2181	비 비	확인되지 확인되지	10V ~ 20V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	SP001537992	귀 99	8542.39.0001	95	독립적인	하프 하프	2	IGBT, N-, MOSFET	0.8V, 2.7V	1.9a, 2.3a	40ns, 20ns	600 v
MPQ1925HR-LF-P	3.2500	RFQ	500	Monolithic Power Systems Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드		비 비		8V ~ 15V	8-QFN (4x4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지				500	독립적인	하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	-	4A, 5.9A	15ns, 10ns	115 v
UCC27200DRMT	3.1200	RFQ	500	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 140 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드	UCC27200	비 비	확인되지 확인되지	8V ~ 17V	8-vson (4x4)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	독립적인	하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	3V, 8V	3A, 3A	8ns, 7ns	120 v
MCP14A0305-E/SN	0.9450	RFQ	7270	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	MCP14A0305	반전, 반전 비	확인되지 확인되지	4.5V ~ 18V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	독립적인	하프 하프	2	IGBT	0.8V, 2V	3A, 3A	12ns, 12ns
ADP3413JR	-	RFQ	2850	아날로그 아날로그 Inc.	ADP3413	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	ADP3413	비 비	확인되지 확인되지	4.15V ~ 7.5V	8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1	동기	하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	0.8V, 2.3V	-	27ns, 19ns	30 v
TC4424VPA	3.1600	RFQ	7405	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)	TC4424	비 비	확인되지 확인되지	4.5V ~ 18V	8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	TC4424VPA-NDR	귀 99	8542.39.0001	60	독립적인	낮은 낮은	2	n-채널, p 채널 MOSFET	0.8V, 2.4V	3A, 3A	23ns, 25ns
UCC27200QDDARQ1	1.4160	RFQ	4111	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 140 ° C (TJ)	표면 표면	8-Powersoic (0.154 ", 3.90mm 너비)	UCC27200	비 비	확인되지 확인되지	8V ~ 17V	8- 파워 패드	다운로드	Rohs3 준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	독립적인	하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	3V, 8V	3A, 3A	8ns, 7ns	120 v
FAN3223TMX-F085	1.3182	RFQ	9080	온세미	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	fan3223	반전	확인되지 확인되지	4.5V ~ 18V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	독립적인	낮은 낮은	2	N- 채널 MOSFET	0.8V, 2V	5a, 5a	12ns, 9ns
RT7021AGS	-	RFQ	1050	Richtek USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	RT7021	비 비	확인되지 확인되지	13V ~ 20V	8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	독립적인	높은 높은 또는 쪽 쪽	2	IGBT, N-, MOSFET	0.8V, 2.5V	300ma, 600ma	70ns, 35ns	600 v
RT7021AGN	-	RFQ	7048	Richtek USA Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)	RT7021	비 비	확인되지 확인되지	13V ~ 20V	8-DIP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1	독립적인	높은 높은 또는 쪽 쪽	2	IGBT, N-, MOSFET	0.8V, 2.5V	300ma, 600ma	70ns, 35ns	600 v
MIC4420ZM-TR	2.0600	RFQ	6226	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	MIC4420	비 비	확인되지 확인되지	4.5V ~ 18V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	하나의	낮은 낮은	1	n-채널, p 채널 MOSFET	0.8V, 2.4V	6A, 6A	12ns, 13ns
EL7457CSZ	7.1400	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	EL7457	비 비	확인되지 확인되지	4.5V ~ 18V	16-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	47	독립적인	높은 높은 또는 쪽 쪽	4	n-채널, p 채널 MOSFET	0.8V, 2V	2A, 2A	13.5ns, 13ns
IRS2113PBF	2.7627	RFQ	6793	인피온 인피온	-	튜브	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	IRS2113	비 비	확인되지 확인되지	10V ~ 20V	14-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	독립적인	하프 하프	2	IGBT, N-, MOSFET	6V, 9.5V	2.5A, 2.5A	25ns, 17ns	600 v
HIP2100IR4T	-	RFQ	8603	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	12-vfdfn 노출 패드	HIP2100	비 비	확인되지 확인되지	9V ~ 14V	12-DFN (4x4)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	6,000	독립적인	하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	4V, 7V	2A, 2A	10ns, 10ns	114 v
TC4428CPA	2.0000	RFQ	783	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)	TC4428	반전, 반전 비	확인되지 확인되지	4.5V ~ 18V	8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	60	독립적인	낮은 낮은	2	n-채널, p 채널 MOSFET	0.8V, 2.4V	1.5A, 1.5A	25ns, 25ns
TC1410COA	1.6200	RFQ	1691	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	TC1410	반전	확인되지 확인되지	4.5V ~ 16V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	TC1410COA-NDR	귀 99	8542.39.0001	100	하나의	낮은 낮은	1	n-채널, p 채널 MOSFET	0.8V, 2V	500ma, 500ma	25ns, 25ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

게이트 게이트 (7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²