RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	비트 비트	입력 입력	데이터 데이터	입력 입력	출력 출력	전압 전압	메모리 메모리	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널	-VCCA	-VCCB	공급 공급
ST2329AQTR	-	RFQ	6049	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	10-ufqfn		자동 자동 감지 감지, 파워 오프 보호	ST2329		열린 열린, 배수구 스테이트		1		10-QFN (1.8x1.4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000								18Mbps	-	-																			전압 전압	양방향	2	1.65 V ~ 3.6 v	1.8 V ~ 5.5 v
SN74ALS04BDE4	0.2900	RFQ	1	텍사스 텍사스	74ALS	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74ALS04				6	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	인버터			400µA, 8mA			1							11ns @ 5V, 50pf										0.8V	2V
SSTVA32852AHT	-	RFQ	1121	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	114-LFBGA			SSTVA32852						114-LFBGA (16x5.5)	-	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	ddr 용 sstl_2 호환 I/O 가있는 등록 버퍼					24, 48																												2.3V ~ 2.7V
74LV595D, 118	0.5800	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	74lv	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74LV595		트라이 트라이			1V ~ 3.6V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	시프트 시프트	1	8		일련의 일련의, 평행
MC74VHCU04D	0.0700	RFQ	6	온세미	*	대부분	활동적인						74VHCU04							다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
74CBTLVD3861BQ, 118	0.3529	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	24-vfqfn 노출 패드	버스 버스		74CBTLVD3861					3V ~ 3.6V	24-dhvqfn (5.5x3.5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	935294094118	귀 99	8542.39.0001	3,000				-							단일 단일															10 x 1 : 1	1
SN74ABTR2245NSRE4	-	RFQ	6371	텍사스 텍사스	74ABTR	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74ABTR2245	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	20- 의자	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	트랜시버, 반전 비	1	8	12MA, 12MA
SNJ54ABT533FK	-	RFQ	6446	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-SNJ54ABT533FK			1
MM54HC14W/883	5.4000	RFQ	6429	국가 국가	*	대부분	활동적인						54HC14							-	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	2156-MM54HC14W/883			1
MC100E416FNG	-	RFQ	8263	온세미	100e	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	28-LCC (J-Lead)			100e416						28-PLCC (11.51x11.51)	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	37	차동 차동					5																												4.2V ~ 5.7V
5962-8955001CA	-	RFQ	4151	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-8955001CA			1
74HC126PW, 118	0.5000	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74HC126	-	3 국가			2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	버퍼, 반전 비	4	1	7.8ma, 7.8ma
SN74BCT245NSR	2.8695	RFQ	6474	텍사스 텍사스	74bct	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74BCT245	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	20- 의자	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	트랜시버, 반전 비	1	8	3MA, 24MA; 15MA, 64MA
SN74HC365PWG4	-	RFQ	2516	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74HC365	-	3 국가			2V ~ 6V	16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	90	버퍼, 반전 비	1	6	7.8ma, 7.8ma
MC74VHC259DG	0.6700	RFQ	469	온세미	74VHC	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74VHC259		기준			2V ~ 5.5V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	48	d- 타입, 타입			8ma, 8ma																						1 : 8	1	4.9ns
SN74AC374NS	0.3400	RFQ	2	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						74AC374							-					귀 99	8542.39.0001	1
CBT3384PW, 118	0.3069	RFQ	5328	Nexperia USA Inc.	74CBT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	버스 버스		CBT3384					4.5V ~ 5.5V	24-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500				-							단일 단일															5 x 1 : 1	2
SN74ALVC16244DL	0.7500	RFQ	4	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						74ALVC16244							다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
MC74LVX573DTR2	-	RFQ	4958	온세미	74lvx	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74LVX573		트라이 트라이			2V ~ 3.6V	20-tssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	d- 타입 투명 타입			4MA, 4MA																						8 : 8	1	6.4ns
74VHC126PW, 118	-	RFQ	4555	nxp 반도체	74VHC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74VHC126	-	3 국가			2V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74VHC126PW, 118-954			1	버퍼, 반전 비	4	1	8ma, 8ma
74LVCH32245AEC551	5.9500	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						74LVCH322245							다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
SN74LS38NG4	-	RFQ	9463	텍사스 텍사스	74ls	튜브	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)		오픈 오픈	74LS38				4	4.75V ~ 5.25V	14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	NAND 게이트			-, 24ma			2							32ns @ 5v, 45pf										0.8V	2V
74AUP1T34SE-7	0.4600	RFQ	6318	다이오드가 다이오드가	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353				-	3 국가			0.9V ~ 3.6V	SOT-353	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000	버퍼, 반전 비	1	1	6MA, 6MA
74HC1G125GW, 125	0.4400	RFQ	886	Nexperia USA Inc.	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			74HC1G125	-	3 국가			2V ~ 6V	5-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	버퍼, 반전 비	1	1	7.8ma, 7.8ma
72251L10JG	-	RFQ	8640	Renesas Electronics America Inc	7200	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	32-LCC (J-Lead)			72251			확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	32-PLCC (14x11.46)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	32					동기			100MHz				72k (8k x 9)				6.5ns	35MA	단방향	깊이, 너비	예	아니요	아니요
74AUP1G07GF/S500132	0.0800	RFQ	568	NXP USA Inc.	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn			74AUP1G07	-	열린 열린			0.8V ~ 3.6V	6- Xson (1x1)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	5,000	버퍼, 반전 비	1	1	-, 4MA
74LV132d, 112	0.1500	RFQ	17	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LV132							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LV132d, 112-954		0000.00.0000	1
Cy74FCT162374ATPVC	0.8800	RFQ	7	Cypress Semiconductor Corp	74fct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)	D- 타입		74FCT162374		트라이 트라이, 스테이트 반전			4.5V ~ 5.5V	48-ssop	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		2	8	24MA, 24MA	기준								긍정적 긍정적 가장자리	-	500 µA								4.5 pf
CD74HCT164EX	0.2400	RFQ	4	해리스 해리스	74hct	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			74HCT164		푸시 푸시			4.5V ~ 5.5V	14-PDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	시프트 시프트	1	8		일련의 일련의
SSTVF16857AGT	-	RFQ	1436	Renesas Electronics America Inc	74SSTVF	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)			SSTVF16857						48-tssop	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	ddr 용 sstl_2 호환 I/O 가있는 등록 버퍼					14																												2.3V ~ 2.7V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²