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논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	입력 입력	출력 출력	전압 전압	메모리 메모리	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	슈미트 슈미트 입력	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	전파 전파	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널	-VCCA	-VCCB
9328fm	13.1400	RFQ	41	국가 국가	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-cflatpack			9328		보완 보완			4.5V ~ 5.5V	16-cflatpack	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	등록, 다중화	2	8		일련의 일련의
TCA9545APWR	1.5200	RFQ	1	텍사스 텍사스	TCA	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	버스 버스		TCA9545					1.65V ~ 5.5V	20-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000				-								단일 단일																2 x 1 : 4	1
MC74HC32ADT	0.1500	RFQ	3	온세미	74HC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		-	74HC32				4	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	또는 또는			5.2MA, 5.2MA		1 µA	2								13ns @ 6v, 50pf										0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
72245lb10pfg	36.9738	RFQ	8625	Renesas Electronics America Inc	7200	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	64-LQFP			72245			확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	64-TQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	90					동기			100MHz					72k (4k x 18)				6.5ns	60ma	단방향	깊이, 너비	예	아니요	아니요
SN700529N	0.3300	RFQ	3	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						SN700529							-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
74AHCT2G241GD, 125	0.1400	RFQ	25	nxp 반도체	74AHCT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-xfdfn			74AHCT2G241	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	8- Xson (2x3)	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74AHCT2G241GD, 125-954			1	버퍼, 반전 비	2	1	8ma, 8ma
72V233L7-5PF	-	RFQ	9541	Renesas Electronics America Inc	72v	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	80-LQFP			72v233			확인되지 확인되지		3.15 V ~ 3.45 v	80-TQFP (14x14)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	5					동기			133.3MHz					18k (1k x 18) (2k x 9)				5ns	35MA	단방향	깊이, 너비	예	예	예
NLVVHC244DTR2	-	RFQ	6729	온세미	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			NLVVHC244	-	3 국가			2V ~ 5.5V	20-tssop	-	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	버퍼, 반전 비	2	4	8ma, 8ma
MC74HC368ADG	-	RFQ	7254	온세미	74HC	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HC368	-	3 국가			2V ~ 6V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	48	버퍼, 반전	2	2, 4 (16 16)	7.8ma, 7.8ma
74LV123dB, 112	-	RFQ	9576	Nexperia USA Inc.	74lv	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74LV123					1 V ~ 5.5 v	16-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	78	모노스트 모노스트			12MA, 12MA																							아니요		2		14 ns
MM74HC221ASJ	1.6000	RFQ	966	페어차일드 페어차일드	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74HC221					2 V ~ 6 v	16-SOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	모노스트 모노스트			5.2MA, 5.2MA																							예		2		22 ns
SN74ABT533ANSRE4	-	RFQ	3334	텍사스 텍사스	74ABT	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74ABT533		트라이 트라이			4.5V ~ 5.5V	20- 의자	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	d- 타입 투명 타입			32MA, 64MA																								8 : 8	1	4.9ns
MC100LVEL90DWR2	6.0000	RFQ	1	온세미	100lvel	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			100lvel90		미분		1		20-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000								-		ECL	lvpecl																					혼합 혼합	단방향	3
TPS65680RSNT	4.7600	RFQ	250	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TJ)	표면 표면	32-wfqfn 노출 패드		-	TPS65680		프로그래밍 프로그래밍		1		32-QFN (4x4)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250								-		-	-																					전압 전압	양방향	18
TC7SZ07FE, LJ (CT	0.3700	RFQ	4153	Toshiba 반도체 a 저장	TC7SZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SOT-553			TC7SZ07	-	열린 열린			1.65V ~ 5.5V	ESV	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	4,000	버퍼, 반전 비	1	1	-, 32MA
5962-9754101QCA	11.1900	RFQ	46	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						5962-9754101							다운로드					귀 99	8542.39.0001	1
74LVTH245MSA	0.6800	RFQ	15	페어차일드 페어차일드	74lvth	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74LVTH245	-	3 국가			2.7V ~ 3.6V	20-ssop	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	66	트랜시버, 반전 비	1	8	32MA, 64MA
SN74LVC1G00MDBVREP	1.8300	RFQ	5	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753		-	74LVC1G00				1	1.65V ~ 5.5V	SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	NAND 게이트			32MA, 32MA		10 µA	2								5NS @ 5V, 50pf										0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
74AUP1G04GF	-	RFQ	4688	Nexperia USA Inc.	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn		-	74AUP1G04				1	0.8V ~ 3.6V	6- Xson (1x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지				1	인버터			4MA, 4MA		500 NA	1								5.4ns @ 3.3v, 30pf										0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V
MC74AC174N	-	RFQ	2826	모토로라	74AC	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)	D- 타입				비 비			2V ~ 6V	16-PDIP	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC74AC174N-600066			1		1	6	24MA, 24MA	마스터 마스터				125MHz					긍정적 긍정적 가장자리	8.5ns @ 5V, 50pf	8 µA								4.5 pf
PI74LVCC4245ALE	-	RFQ	8738	다이오드가 다이오드가	74LVCC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		-	74LVCC4245		트라이 트라이, 스테이트 반전		1		24-TSSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	62								-		-	-																					전압 전압	양방향	8	4.5 V ~ 5.5 v	2.7 V ~ 3.6 v
txu0102dttr	0.8200	RFQ	4	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-xfdfn 노출 패드		-			트라이 트라이		1		8-X2SON (1.35x0.8)	-					귀 99	8542.39.0001	5,000								200Mbps		-	-																					전압 전압	단방향	2	1.08 V ~ 5.5 v	1.08 V ~ 5.5 v
74LVC1G07GV, 125	0.0400	RFQ	372	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SC-74A, SOT-753			74LVC1G07	-	열린 열린			1.65V ~ 5.5V	SC-74A	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G07GV, 125-954	귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전 비	1	1	-, 32MA
QS74FCT163TS0	1.0600	RFQ	484	품질 품질	*	대부분	활동적인						74FCT163							-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
MC74VHC1G00DTT1	-	RFQ	1052	온세미	74VHC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5		-	74VHC1G00				1	2V ~ 5.5V	5-TSP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	NAND 게이트			8ma, 8ma		1 µA	2								7.5ns @ 5V, 50pf										0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
74AUP2G3404GF, 125-NEX	-	RFQ	6202	Nexperia USA Inc.	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn			74AUP2G3404		단일 단일		2	0.8V ~ 3.6V	6- Xson (1x1)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지				5,000	버퍼/인버터			4MA, 4MA			2) (1, 1)																				아니요
74VHCT245BQ, 115	-	RFQ	6820	nxp 반도체	74VHCT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-vfqfn 노출 패드			74VHCT245	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	20-DHVQFN (4.5x2.5)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	트랜시버, 반전 비	1	8	8ma, 8ma
SN74AC563NSR	-	RFQ	9545	텍사스 텍사스	74AC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74AC563		트라이 트라이			2V ~ 6V	20- 의자	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	d- 타입 투명 타입			24MA, 24MA																								8 : 8	1	4.6ns
NC7SZ14P5	-	RFQ	8430	온세미	7SZ	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353		슈미트 슈미트	7SZ14				1	1.65V ~ 5.5V	SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	인버터			32MA, 32MA		1 µA	1								5.9ns @ 5V, 50pf										0.2V ~ 1.2V	1.4V ~ 3.6V
74HCT157D-Q100,118	0.2635	RFQ	8120	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74HCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	멀티플렉서		74HCT157					4.5V ~ 5.5V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500				4MA, 4MA								단일 단일																4 x 2 : 1	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²