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논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	방향	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	비트 비트	입력 입력	데이터 데이터	메모리 메모리	다시 다시	타이밍	카운트 카운트	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	공급 공급
CD74HCT4075E	0.3500	RFQ	27	해리스 해리스	74hct	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)		-	74HCT4075				3	4.5V ~ 5.5V	14-PDIP	다운로드	rohs 비준수				귀 99	8542.39.0001	25	또는 또는			4MA, 4MA		2 µA		3							24ns @ 4.5v, 50pf										0.8V	2V
MC14490DW	-	RFQ	9985	온세미	4000	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			MC14490						16-	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MC14490DWOS	귀 99	8542.39.0001	47	바운스 바운스 문의하십시오						6																				3V ~ 18V
SSTV16859GX	1.6600	RFQ	2	페어차일드 페어차일드	74SSTV	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	96-LFBGA			SSTV16859						96-FBGA (13.5x5.5)	다운로드	rohs 비준수				귀 99	8542.39.0001	2,500	ddr 용 sstl_2 호환 I/O 가있는 등록 버퍼						13, 26																				2.3V ~ 2.7V
SN74LVC02ARGYRG4	0.0800	RFQ	4370	텍사스 텍사스	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-vfqfn 노출 패드		-	74LVC02				4	1.65V ~ 3.6V	14-VQFN (3.5x3.5)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	게이트도			24MA, 24MA		1 µA		2							4.2ns @ 3.3v, 50pf										0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
MC74ACT04D	0.0900	RFQ	16	온세미	74ACT	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74Act04				6	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	55	인버터			24MA, 24MA		4 µA		1							8.5ns @ 5V, 50pf										0.8V	2V
GTLP16617MTD	5.3400	RFQ	816	페어차일드 페어차일드	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)			GTLP16617					3.15V ~ 3.45V	56-tssop	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	34	보편적 보편적 버스 인			32MA, 32MA
CD4093BPWRG4	-	RFQ	8778	텍사스 텍사스	4000B	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		슈미트 슈미트	CD4093				4	3V ~ 18V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	NAND 게이트			3.4ma, 3.4ma		4 µA		2							130ns @ 15V, 50pf										0.9V ~ 4V	3.6V ~ 10.8V
MC100EL32D	1.6600	RFQ	10	온세미	100el	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MC100EL32			위로		4.2 v ~ 5.7 v	8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	98	2를 나누십시오	1	1								비동기	-	3GHz	긍정적이고 긍정적이고
NL27WZ14DFT2	-	RFQ	1349	온세미	27wz	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363		슈미트 슈미트	27WZ14				2	1.65V ~ 5.5V	SC-88/SC70-6/SOT-363	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터			32MA, 32MA		1 µA		1							4.9ns @ 5V, 50pf										0.4V ~ 1.2V	1.8V ~ 3.6V
74AUP1G17GW-Q100H	0.1077	RFQ	6288	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353				슈미트 슈미트	푸시 푸시			0.8V ~ 3.6V	5-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1727-74AUP1G17GW-Q100HTR			3,000	버퍼, 반전 비	1	1	4MA, 4MA
7202LA50LB	-	RFQ	7838	Renesas Electronics America Inc	7200	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	32-Clcc								4.5 V ~ 5.5 v	32-LCC (13.97x11.43)	-				800-7202LA50LB			1					비동기				15MHz	1k x 9							50ns	100ma	양방향	깊이, 너비	아니요	예	아니요
72211L25pfg	-	RFQ	7691	Renesas Electronics America Inc	7200	쟁반	마지막으로 마지막으로	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	32-LQFP								4.5 V ~ 5.5 v	32-TQFP (7x7)	-				800-72211L25PFG			1					비동기식, 동기				40MHz	512 x 9							15ns	35MA	단방향	깊이, 너비	예	아니요	아니요
72V215L10TFI8	-	RFQ	1397	Renesas Electronics America Inc	72v	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	64-LQFP								3 V ~ 3.6 v	64-TQFP (10x10)	-				800-72V215L10Tfi8tr			1					동기				100MHz	512 x 18							6.5ns	30ma	단방향	깊이, 너비	예	아니요	예
72v201l10pfi8	-	RFQ	5746	Renesas Electronics America Inc	72v	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	32-LQFP								3 V ~ 3.6 v	32-TQFP (7x7)	-				800-72v201l10pfi8tr			1					동기				100MHz	256 x 9							6.5ns	20MA	단방향	깊이, 너비	예	아니요	아니요
7207LA15JG	-	RFQ	7079	Renesas Electronics America Inc	7200	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	32-LCC (J-Lead)								4.5 V ~ 5.5 v	32-PLCC (14x11.46)	-				800-7207LA15JG			1					비동기				40MHz	288K (32k x 9)							15ns	120ma	단방향	깊이, 너비	아니요	예	아니요
72v845l10pfi	-	RFQ	5735	Renesas Electronics America Inc	72v	쟁반	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	128-LQFP								3 V ~ 3.6 v	128-TQFP (14x20)	-				800-72v845L10pfi			1					동기				100MHz	144K (4K x 18 x 2)							6.5ns	60ma	양방향	깊이, 너비	예	아니요	예
7281L15PAG	-	RFQ	1838	Renesas Electronics America Inc	7200	튜브	마지막으로 마지막으로	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)								4.5 V ~ 5.5 v	56-tssop	-				800-7281L15PAG			1					비동기				40MHz	9k (512 x 9 x 2)							15ns	125MA	양방향	깊이, 너비	아니요	예	아니요
72v801L20pfg	-	RFQ	8361	Renesas Electronics America Inc	72v	쟁반	마지막으로 마지막으로	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	64-LQFP								3 V ~ 3.6 v	64-TQFP (14x14)	-				800-72V801L20PFG			1					동기				50MHz	4.5k (256 x 9 x 2)							12ns	40ma	양방향	깊이, 너비	예	아니요	아니요
72v211l20pfgi8	-	RFQ	8205	Renesas Electronics America Inc	72v	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	32-LQFP								3 V ~ 3.6 v	32-TQFP (7x7)	-				800-72V211L20PFGI8TR			1					동기				50MHz	512 x 9							12ns	20MA	단방향	깊이, 너비	예	아니요	아니요
72231L25pfg	-	RFQ	8877	Renesas Electronics America Inc	7200	쟁반	마지막으로 마지막으로	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	32-LQFP								4.5 V ~ 5.5 v	32-TQFP (7x7)	-				800-72231L25pfg			1					비동기식, 동기				40MHz	2k x 9							15ns	35MA	단방향	깊이, 너비	예	아니요	아니요
7203l15pdg	-	RFQ	5069	Renesas Electronics America Inc	7200	튜브	마지막으로 마지막으로	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	28-DIP (0.600 ", 15.24mm)								4.5 V ~ 5.5 v	28-PDIP	-				800-7203L15pdg			1					비동기				40MHz	2k x 9							15ns	120ma	단방향	깊이, 너비	아니요	예	아니요
74FCT574TQG	-	RFQ	3636	Renesas Electronics America Inc	74fct	쟁반	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)	D- 타입				트라이 트라이, 스테이트 반전			4.75V ~ 5.25V	20-QSOP	-				800-74FCT574TQG			1		1	8	15MA, 48MA	기준									긍정적 긍정적 가장자리	-	1 MA								6 pf
7202LA12JI8	-	RFQ	7152	Renesas Electronics America Inc	7200	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	32-LCC (J-Lead)								4.5 V ~ 5.5 v	32-PLCC (14x11.46)	-				800-7202LA12JI8TR			1					비동기				50MHz	1k x 9							12ns	80ma	양방향	깊이, 너비	아니요	예	아니요
72V245L20TFI	-	RFQ	1764	Renesas Electronics America Inc	72v	쟁반	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	64-LQFP								3 V ~ 3.6 v	64-TQFP (10x10)	-				800-72V245L20TFI			1					동기				50MHz	4K X 18							12ns	30ma	단방향	깊이, 너비	예	아니요	예
72245LBTFI8	-	RFQ	7194	Renesas Electronics America Inc	7200	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	64-LQFP								4.5 V ~ 5.5 v	64-TQFP (10x10)	-				800-72245LBTFI8tr			1					비동기식, 동기				-	4K X 18							-	60ma	단방향	깊이, 너비	예	아니요	아니요
72V851L15TFG8	-	RFQ	7610	Renesas Electronics America Inc	72v	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	64-LQFP								3 V ~ 3.6 v	64-TQFP (10x10)	-				800-72V851L15TFG8TR			1					동기				66.7MHz	144K (8k x 9 x 2)							10ns	40ma	양방향	깊이, 너비	예	아니요	아니요
72251L10PFGI8	-	RFQ	6990	Renesas Electronics America Inc	7200	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	32-LQFP								4.5 V ~ 5.5 v	32-TQFP (7x7)	-				800-72251L10pfgi8tr			1					비동기식, 동기				100MHz	8k x 9							6.5ns	50ma	단방향	깊이, 너비	예	아니요	아니요
72235L15TF	-	RFQ	2720	Renesas Electronics America Inc	-	쟁반	마지막으로 마지막으로													-				800-72235L15TF			1
72235L25J	-	RFQ	9976	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	마지막으로 마지막으로													-				800-72235L25J			1
72v845l10pfi8	-	RFQ	1147	Renesas Electronics America Inc	72v	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	128-LQFP								3 V ~ 3.6 v	128-TQFP (14x20)	-				800-72v845L10pfi8tr			1					동기				100MHz	144K (4K x 18 x 2)							6.5ns	60ma	양방향	깊이, 너비	예	아니요	예

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²