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게이트와 게이트와 (16927)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	전류 - 높음 출력, 낮음	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	cl	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음
NLVVHC1GT08DTT1G	0.4600	RFQ	7217	온세미	자동차, AEC-Q100, 74VHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5	-	NLVVHC1GT08	1	3V ~ 5.5V	5-TSP	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고	8ma, 8ma	1 µA	2	7.9ns @ 5V, 50pf	0.53V ~ 0.8V	1.4V ~ 2V
TC7WU04FK, LF	0.4200	RFQ	3	Toshiba 반도체 a 저장	tc7wu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비)	-	7wu04	3	2V ~ 6V	8-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	5.2MA, 5.2MA	1 µA	3	10NS @ 6V, 50pf	0.3V ~ 1.2V	1.7V ~ 4.8V
74HC132d, 653	0.4800	RFQ	46	Nexperia USA Inc.	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	슈미트 슈미트	74HC132	4	2V ~ 6V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	5.2MA, 5.2MA	2 µA	2	21ns @ 6v, 50pf	0.3V ~ 1.2V	1.5V ~ 4.2V
74AC00MTC	0.7000	RFQ	1	온세미	74AC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74AC00	4	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	94	NAND 게이트	24MA, 24MA	2 µA	2	8NS @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.1V ~ 3.85V
PI74ST1G08CEX	-	RFQ	5405	다이오드가 다이오드가	74st	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	74ST1G08	1	1.8V ~ 3.6V	SC-70-5	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고	24MA, 24MA	2 µA	2	3.8ns @ 3.3v, 50pf	-	-
74AC32SJX	-	RFQ	4761	페어차일드 페어차일드	74AC	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	-		4	2V ~ 6V	14-SOP	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-74AC32SJX-600039			1	또는 또는	24MA, 24MA	2 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.1V ~ 3.85V
SN74AS32D	1.5700	RFQ	30	텍사스 텍사스	74AS	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AS32	4	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	또는 또는	2MA, 20MA		2	5.8ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
MC74VHC1GT02DF1G	-	RFQ	4729	온세미	74VHC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	74VHC1GT02	1	3V ~ 5.5V	SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	게이트도	8ma, 8ma	1 µA	2	7.7ns @ 5V, 50pf	0.28V ~ 0.8V	1V ~ 2V
MC74VHC1G05DTT1G	0.3800	RFQ	11	온세미	74VHC	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5	열린 열린	74VHC1G05	1	2V ~ 5.5V	5-TSP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	-, 8ma	1 µA	1	7.5ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
74VHC08MX	0.6400	RFQ	3	온세미	74VHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74VHC08	4	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	그리고 그리고	8ma, 8ma	2 µA	2	7.9ns @ 5V, 50pf	0.5V	1.5V
74AHC3G14DP-Q100H	0.2375	RFQ	6889	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74AHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	슈미트 슈미트	74AHC3G14	3	2V ~ 5.5V	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	8ma, 8ma	1 µA	3	10.6ns @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.2V ~ 3.85V
NLV74HC02ADTR2G	0.5000	RFQ	6182	온세미	자동차, AEC-Q100, 74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74HC02	4	2V ~ 6V	14-tssop	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	게이트도	5.2MA, 5.2MA	1 µA	2	13ns @ 6v, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
74LVC1G10GM, 115	0.0600	RFQ	203	NXP USA Inc.	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn	-	74LVC1G10	1	1.65V ~ 5.5V	6-XSON (1.45X1)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	4,699	NAND 게이트	32MA, 32MA	4 µA	3	3.6ns @ 5V, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
SN74ALS08DB	0.1900	RFQ	15	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인									-					귀 99	8542.39.0001	1
NC7WZ132K8X	-	RFQ	3933	온세미	7wz	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비)	슈미트 슈미트	7WZ132	2	1.65V ~ 5.5V	US8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	NAND 게이트	32MA, 32MA	1 µA	2	4.5ns @ 5V, 50pf	0.2V ~ 1.2V	1.4V ~ 3.6V
CD74ACT20M96	0.9100	RFQ	2	텍사스 텍사스	74ACT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74ACT20	2	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	24MA, 24MA	4 µA	4	13.5ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
CD4093BE	0.5600	RFQ	2	텍사스 텍사스	4000B	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	슈미트 슈미트	CD4093	4	3V ~ 18V	14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	NAND 게이트	3.4ma, 3.4ma	4 µA	2	130ns @ 15V, 50pf	0.9V ~ 4V	3.6V ~ 10.8V
74LV1T87GXH	0.4400	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	74lv	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	4-xfdfn 노출 패드	-	74LV1T87	1	1.6V ~ 5.5V	5-X2SON (0.80x0.80)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	10,000	xnor (독점 독점 아니오)	8ma, 8ma	1 µA	2	5.1ns @ 5V, 30pf	0.1V ~ 0.3V	1.28V ~ 4.6V
74LVC14APW	-	RFQ	4035	NXP USA Inc.	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	슈미트 슈미트	74LVC14	6	1.2V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드						0000.00.0000	1	인버터	24MA, 24MA	40 µA	1	6.4ns @ 3.3v, 50pf	0.12V ~ 0.8V	1V ~ 2V
SN74HCT32DRE4	-	RFQ	4363	텍사스 텍사스	74hct	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74HCT32	4	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	또는 또는	4MA, 4MA	2 µA	2	22ns @ 5.5v, 50pf	0.8V	2V
74LV00PW/C4J	0.0900	RFQ	25	Nexperia USA Inc.	74lv	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-		4	1V ~ 5.5V	14-tssop	-				2156-74LV00PW/C4J			3,242	NAND 게이트	12MA, 12MA	40 µA	2	14ns @ 5V, 50pf	0.3V ~ 0.8V	0.9V ~ 2V
MC74LVX02DTR2G	0.2320	RFQ	2948	온세미	74lvx	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74LVX02	4	2V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	게이트도	4MA, 4MA	2 µA	2	10.1ns @ 3.3v, 50pf	0.5V ~ 0.8V	1.5V ~ 2.4V
SN54HC08VTDF1	107.9925	RFQ	7424	텍사스 텍사스	54HC	튜브	활동적인	-	-	주사위	-	54HC08	4	-	주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	그리고 그리고	-		2	-	-	-
DM54S03J-MIL	-	RFQ	2991	국가 국가	*	대부분	활동적인					54S03				-	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지				1
54AC14/SDA-L	613.6000	RFQ	140	로체스터 로체스터 장치, LLC	*	대부분	활동적인					54AC14				다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받습니다	2156-54AC14/SDA-L-2156			1
CD4012AFB	13.7100	RFQ	6174	해리스 해리스	*	대부분	활동적인					CD4012				-	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
SN74LVC1G02DBVRG4	-	RFQ	6732	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753	-	74LVC1G02	1	1.65V ~ 5.5V	SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	게이트도	32MA, 32MA	10 µA	2	4.5ns @ 5V, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
74ATT11008NSR	-	RFQ	1772	텍사스 텍사스	74ACT	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	74ATT11008	4	4.5V ~ 5.5V	16- 형의 행위	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	그리고 그리고	24MA, 24MA	4 µA	2	8NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
MC74VHC1G14DTT1	0.1200	RFQ	57	온세미	74VHC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5	슈미트 슈미트	74VHC1G14	1	2V ~ 5.5V	5-TSP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	8ma, 8ma	1 µA	1	10.6ns @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.2V ~ 3.85V
74VHC02BQ-Q100X	0.1964	RFQ	8144	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74VHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-vfqfn 노출 패드	-	74VHC02	4	2V ~ 5.5V	14-dhvqfn (2.5x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	게이트도	8ma, 8ma	2 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

게이트와 게이트와 (16927)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²