SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
SN74AUP1G08YEPR Texas Instruments Sn74aup1g08yepr -
RFQ
ECAD 1900 0.00000000 텍사스 텍사스 74AUP 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-XFBGA, DSBGA - 74AUP1G08 1 0.8V ~ 3.6V 5-DSBGA (1.4x0.9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 4MA, 4MA 500 NA 2 6.2ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
74HCT04T14-13 Diodes Incorporated 74HCT04T14-13 0.1202
RFQ
ECAD 9174 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74hct 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HCT04 6 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 4MA, 5.2MA 20 µA 1 22ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
CD4073BNSR Texas Instruments CD4073BNSR 0.8000
RFQ
ECAD 4808 0.00000000 텍사스 텍사스 4000B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - CD4073 3 3V ~ 18V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 그리고 그리고 3.4ma, 3.4ma 1 µA 3 90ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
TC7SZ14FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ14FU, LJ (CT 0.3400
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7SZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 슈미트 슈미트 7SZ14 1 1.65V ~ 5.5V 5-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 32MA, 32MA 1 µA 1 5.9ns @ 5V, 50pf 0.2V ~ 1.2V 1.4V ~ 3.6V
HEF4081BT,653 Nexperia USA Inc. HEF4081BT, 653 0.4800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 4000B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - Hef4081 4 3V ~ 15V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 3.4ma, 3.4ma 1 µA 2 40ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
MC74HC1G00DBVT1G onsemi MC74HC1G00DBVT1G -
RFQ
ECAD 1869 0.00000000 온세미 74HC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 74HC1G00 1 2V ~ 6V SC-74A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 2.6MA, 2.6MA 1 µA 2 17ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
SN74ALVC14DGVR Texas Instruments SN74ALVC14DGVR 0.4100
RFQ
ECAD 3282 0.00000000 텍사스 텍사스 74ALVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TFSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 슈미트 슈미트 74ALVC14 6 2.3V ~ 3.6V 14-TVSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 24MA, 24MA 10 µA 1 3.4ns @ 3.3v, 50pf 0.35V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
TC7SZ02FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ02FE, LJ (CT 0.3300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7SZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-553 - 7SZ02 1 1.65V ~ 5.5V ESV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 게이트도 32MA, 32MA 2 µA 2 4.3ns @ 5V, 50pf - -
DM74AS04MX Fairchild Semiconductor DM74AS04MX 0.1700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74AS 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74AS04 6 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 2MA, 20MA 1 5NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74HCT32N,652 NXP USA Inc. 74HCT32N, 652 -
RFQ
ECAD 9465 0.00000000 NXP USA Inc. 74hct 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74HCT32 4 4.5V ~ 5.5V 14-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 또는 또는 4MA, 4MA 2 µA 2 24ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
CD74HCT132EE4 Texas Instruments CD74HCT132EE4 0.2654
RFQ
ECAD 4260 0.00000000 텍사스 텍사스 74hct 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 슈미트 슈미트 4 4.5V ~ 5.5V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 296-CD74HCT132EE4 25 NAND 게이트 4MA, 4MA 2 µA 2 33ns @ 4.5v, 50pf 1.2V ~ 1.4V 1.9V ~ 2.1V
TC74VCX08FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74VCX08ftel 0.1292
RFQ
ECAD 2630 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC74VCX 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74VCX08 4 1.2V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,000 그리고 그리고 24MA, 24MA 20 µA 2 2.8ns @ 3.3v, 30pf 0.8V 2V
NL27WZ08US onsemi NL27WZ08US 0.1400
RFQ
ECAD 613 0.00000000 온세미 27wz 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 27WZ08 2 1.65V ~ 5.5V US8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 32MA, 32MA 1 µA 2 3.7ns @ 5v, 50pf - -
74AUP2G32RA3-7 Diodes Incorporated 74AUP2G32RA3-7 0.1459
RFQ
ECAD 4898 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74AUP 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-xfdfn - 74AUP2G32 2 0.8V ~ 3.6V X2-DFN1210-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 또는 또는 4MA, 4MA 500 NA 2 6.4ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
74F04SJ onsemi 74F04SJ -
RFQ
ECAD 8170 0.00000000 온세미 74f 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74F04 6 4.5V ~ 5.5V 14-SOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 47 인버터 1ma, 20ma 1 5NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
SN74LV04ANSR Texas Instruments SN74LV04ANSR 0.6400
RFQ
ECAD 5067 0.00000000 텍사스 텍사스 74lv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74LV04 6 2V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 12MA, 12MA 20 µA 1 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
MC1905F Motorola MC1905F 15.7500
RFQ
ECAD 508 0.00000000 모토로라 MC930 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-cflatpack - MC1905 1 4.5V ~ 5.5V 14-cflatpack 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 500µA, 11mA 10 - 1.1V 2V
MC74ACT32M onsemi MC74ACT32M 0.1500
RFQ
ECAD 8701 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 74Act32 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
SN74LV1T86DCKR Texas Instruments SN74LV1T86DCKR 0.5300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 74lv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74LV1T86 1 1.6V ~ 5.5V SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 xor (또는 독점) 8ma, 8ma 10 µA 2 7NS @ 5V, 30pf 0.58V ~ 0.8V 0.94V ~ 2.1V
74LVC1G08GW,125 NXP USA Inc. 74LVC1G08GW, 125 -
RFQ
ECAD 1073 0.00000000 NXP USA Inc. 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74LVC1G08 1 1.65V ~ 5.5V 5-TSSOP 다운로드 0000.00.0000 1 그리고 그리고 32MA, 32MA 4 µA 2 4NS @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
SN74ACT08DRE4 Texas Instruments SN74ACT08DRE4 -
RFQ
ECAD 9788 0.00000000 텍사스 텍사스 74ACT 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74Act08 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 24MA, 24MA 2 µA 2 9NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
CD4011AD3 Texas Instruments CD4011AD3 -
RFQ
ECAD 2561 0.00000000 텍사스 텍사스 4000 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - 4 3V ~ 12V 14-CDIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-CD4011AD3 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 - 2 µA 2 40ns @ 10V, 15pf - -
SN74HC21DRG4 Texas Instruments SN74HC21DRG4 -
RFQ
ECAD 7229 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HC21 2 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 5.2MA, 5.2MA 2 µA 4 19NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
DM74ALS30ASJ onsemi DM74ALS30ASJ -
RFQ
ECAD 5724 0.00000000 온세미 74ALS 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74ALS30 1 4.5V ~ 5.5V 14-SOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 47 NAND 게이트 400µA, 8mA 8 12NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
MC907G Motorola MC907G 3.5900
RFQ
ECAD 100 0.00000000 모토로라 - 대부분 활동적인 MC907 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 1
HEC4023BT,112 NXP USA Inc. HEC4023BT, 112 -
RFQ
ECAD 5612 0.00000000 NXP USA Inc. 4000B 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - HEC4023 3 3V ~ 15V 14- - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 57 NAND 게이트 3.4ma, 3.4ma 4 µA 3 30NS @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
SN74AS00NSR Texas Instruments SN74AS00NSR 0.5940
RFQ
ECAD 4616 0.00000000 텍사스 텍사스 74AS 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74AS00 4 4.5V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 2MA, 20MA 2 4.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
SN74ALS08NS Texas Instruments SN74ALS08NS 0.9500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 74ALS 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74ALS08 4 4.5V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 296-53296 귀 99 8542.39.0001 50 그리고 그리고 400µA, 8mA 2 14ns @ 5V, 50pf 0.4V ~ 0.5V 2.5V
CD4082BF/3 Harris Corporation CD4082BF/3 -
RFQ
ECAD 3074 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - CD4082 2 3V ~ 18V 14-CDIP 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 그리고 그리고 6.8ma, 6.8ma 5 µA 4 90ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
SN74HC21DE4 Texas Instruments SN74HC21DE4 -
RFQ
ECAD 2195 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HC21 2 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 그리고 그리고 5.2MA, 5.2MA 2 µA 4 19NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고