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게이트와 게이트와 (16927)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	전류 - 높음 출력, 낮음	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	cl	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음
SNJ54LS86AFK	-	RFQ	5104	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-SNJ54LS86AFK			1
SN74S09DR	-	RFQ	4170	텍사스 텍사스	74S	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	오픈 오픈	74S09	4	4.75V ~ 5.25V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	그리고 그리고	-, 20ma		2	9NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
74VHC27N	-	RFQ	6316	온세미	74VHC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74VHC27	3	2V ~ 5.5V	14-mdip	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	게이트도	8ma, 8ma	2 µA	3	7.9ns @ 5V, 50pf	0.5V	1.5V
74LVC00AD, 118	0.4500	RFQ	14	Nexperia USA Inc.	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LVC00	4	1.2V ~ 3.6V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	24MA, 24MA	40 µA	2	4.3ns @ 3.3v, 50pf	0.12V ~ 0.8V	1.08V ~ 2V
5400/BCA	-	RFQ	4648	로체스터 로체스터 장치, LLC	5400	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	-		4	4.5V ~ 5.5V	14-cerdip	-				2156-5400/BCA			1	NAND 게이트	400µA, 16MA		2	22ns @ 5V, 15pf	0.8V	2V
74HCT00DB, 112	-	RFQ	9104	Nexperia USA Inc.	74hct	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	74HCT00	4	4.5V ~ 5.5V	14-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	78	NAND 게이트	4MA, 4MA	40 µA	2	12ns @ 4.5v, 50pf	0.8V	2V
CD74HCT11E	0.1500	RFQ	9	해리스 해리스	74hct	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74HCT11	3	4.5V ~ 5.5V	14-PDIP	다운로드	rohs 비준수				귀 99	8542.39.0001	25	그리고 그리고	4MA, 4MA	2 µA	3	28ns @ 4.5v, 50pf	0.8V	2V
74AHCT3G14DP, 125	0.6100	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	74AHCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	슈미트 슈미트	74AHCT3G14	3	4.5V ~ 5.5V	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	8ma, 8ma	1 µA	3	8.5ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 0.6V	2V
74AHC86BQ, 115	0.4600	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	74AHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-vfqfn 노출 패드	-	74AHC86	4	2V ~ 5.5V	14-dhvqfn (2.5x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	xor (또는 독점)	8ma, 8ma	2 µA	2	8.8ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
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74AUP1T86GXH	0.4500	RFQ	1539	Nexperia USA Inc.	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	4-xfdfn 노출 패드	슈미트 슈미트	74AUP1T86	1	2.3V ~ 3.6V	5-X2SON (0.80x0.80)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	10,000	xor (또는 독점)	4MA, 4MA	1.2 µA	2	7.1ns @ 3.3v, 30pf	0.1V ~ 0.44V	1.9V ~ 2.6V
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SNJ54AS805BFK	49.0700	RFQ	27	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인					54AS805				다운로드					귀 99	8542.39.0001	1
74LVC1G86GV, 125	0.5100	RFQ	62	Nexperia USA Inc.	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753	-	74LVC1G86	1	1.65V ~ 5.5V	SC-74A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	xor (또는 독점)	32MA, 32MA	4 µA	2	4NS @ 5V, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
74HC14DB, 112	-	RFQ	7557	Nexperia USA Inc.	74HC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	슈미트 슈미트	74HC14	6	2V ~ 6V	14-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	78	인버터	5.2MA, 5.2MA	2 µA	1	21ns @ 6v, 50pf	0.3V ~ 1.2V	1.5V ~ 4.2V
74HCT132dB, 118-NXP	-	RFQ	6532	NXP USA Inc.	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	슈미트 슈미트	74HCT132	4	4.5V ~ 5.5V	14-ssop	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지				2,000	NAND 게이트	4MA, 4MA	2 µA	2	33ns @ 4.5v, 50pf	0.5V ~ 0.6V	1.9V ~ 2.1V
MC1230L	13.4500	RFQ	195	로체스터 로체스터 장치, LLC	*	대부분	활동적인					MC1230				다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받습니다	2156-MC1230L-2156			1
SN74AUP1G04DSFR	0.5600	RFQ	11	텍사스 텍사스	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-xfdfn	-	74AUP1G04	1	0.8V ~ 3.6V	6) (1x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	인버터	4MA, 4MA	500 NA	1	5.4ns @ 3.3v, 30pf	0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V
CD54HC4075F3A	-	RFQ	4906	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-CD54HC4075F3A			1
74HCT00D-Q100,118	0.4800	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74HCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74HCT00	4	4.5V ~ 5.5V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	4MA, 4MA	40 µA	2	12ns @ 4.5v, 50pf	0.8V	2V
CD74HC08M	0.4800	RFQ	11	해리스 해리스	74HC	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74HC08	4	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	rohs 비준수				귀 99	8542.39.0001	50	그리고 그리고	5.2MA, 5.2MA	2 µA	2	15NS @ 6V, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
74LVT08PW, 112	-	RFQ	1632	Nexperia USA Inc.	74LVT	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74LVT08	4	2.7V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	96	그리고 그리고	20MA, 32MA		2	3.4ns @ 3.3v, 50pf	0.8V	2V
74VHC86M	0.3400	RFQ	253	페어차일드 페어차일드	74VHC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74VHC86	4	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드					귀 99	8542.39.0001	896	xor (또는 독점)	8ma, 8ma	2 µA	2	8.8ns @ 5V, 50pf	0.5V	1.5V
74axp1g14gxh	0.1283	RFQ	6911	Nexperia USA Inc.	74axp	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	4-xfdfn 노출 패드	슈미트 슈미트	74axp1g14	1	0.7V ~ 2.75V	5-X2SON (0.80x0.80)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	10,000	인버터	8ma, 8ma	600 NA	1	3.2ns @ 2.5v, 5pf	-	-
74AUP1G86FZ4-7	0.1882	RFQ	8493	다이오드가 다이오드가	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn	-	74AUP1G86	1	0.8V ~ 3.6V	X2-DFN1410-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	xor (또는 독점)	4MA, 4MA	500 NA	2	7.1ns @ 3.3v, 30pf	0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V
SN74LVC08ADG4	-	RFQ	3423	텍사스 텍사스	74LVC	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LVC08	4	1.65V ~ 3.6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	그리고 그리고	24MA, 24MA	1 µA	2	3.9ns @ 3.3v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

게이트와 게이트와 (16927)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²