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게이트와 게이트와 (16927)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
NC7WZ04FHX Fairchild Semiconductor NC7WZ04FHX 0.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 7wz 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn - 7WZ04 2 1.65V ~ 5.5V 6-Micropak2 ™ 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,099 인버터 32MA, 32MA 1 µA 2 3.6ns @ 5V, 50pf - -
74AHCT2G32GD,125 NXP USA Inc. 74AHCT2G32GD, 125 0.1400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. 74AHCT 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-xfdfn - 74AHCT2G32 2 4.5V ~ 5.5V 8- Xson (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 또는 또는 8ma, 8ma 1 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
MC74VHC1G14DFT2G-F22038 onsemi MC74VHC1G14DFT2G-F22038 0.3000
RFQ
 ECAD 1314 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 슈미트 슈미트 74VHC1G14 1 2V ~ 5.5V SC-88A (SC-70-5/SOT-353) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 1 µA 1 10.6ns @ 5V, 50pf 1.9V ~ 3.35V 2.2V ~ 3.85V
74AUP1G08GM,132 Nexperia USA Inc. 74AUP1G08GM, 132 0.1110
RFQ
 ECAD 9719 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AUP 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn - 74AUP1G08 1 0.8V ~ 3.6V 6- XSON, SOT886 (1.45x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 그리고 그리고 4MA, 4MA 500 NA 2 6.2ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
SN74ACT04D Texas Instruments SN74ACT04D 1.1600
RFQ
 ECAD 7460 0.00000000 텍사스 텍사스 74ACT 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74Act04 6 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 인버터 24MA, 24MA 2 µA 1 8.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74AHC86S14-13 Diodes Incorporated 74AHC86S14-13 0.1332
RFQ
 ECAD 7340 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74AHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74AHC86 4 2V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 xor (또는 독점) 8ma, 8ma 20 µA 2 8.8ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
74HC00PW,118 Nexperia USA Inc. 74HC00PW, 118 0.4100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HC00 4 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 40 µA 2 7NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
SN74AS8003PSRE4 Texas Instruments SN74AS8003PSRE4 -
RFQ
 ECAD 3246 0.00000000 텍사스 텍사스 74AS 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74AS8003 2 4.5V ~ 5.5V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 2MA, 20MA 2 4.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74LVC32ABQ-Q100115 NXP USA Inc. 74LVC32ABQ-Q100115 -
RFQ
 ECAD 2212 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-vfqfn 노출 패드 - 74LVC32 4 1.2V ~ 3.6V 14-dhvqfn (2.5x3) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 또는 또는 24MA, 24MA 40 µA 2 3.8ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74LVC06ADTR2G onsemi 74LVC06ADTR2G -
RFQ
 ECAD 1869 0.00000000 온세미 74LVC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 열린 열린 74LVC06 6 1.2V ~ 5.5V 14-tssop - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 -, 32MA 40 µA 1 6NS @ 5V, 50pf - -
CD4023BF3A Texas Instruments CD4023BF3A 10.0300
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 CD4023 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
74AUP1G09GW-Q100H Nexperia USA Inc. 74AUP1G09GW-Q100H 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74AUP 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 열린 열린 74AUP1G09 1 0.8V ~ 3.6V 5-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 -, 4MA 500 NA 2 12.7ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
MC5438L Motorola MC5438L 1.8200
RFQ
 ECAD 4486 0.00000000 모토로라 MC5400 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - MC5438 2 4.5V ~ 5.5V 14-CDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 1.2MA, 48MA 54 MA 4 - 0.4V 4.5V
CD74ACT10M96 Texas Instruments CD74ACT10M96 0.9300
RFQ
 ECAD 567 0.00000000 텍사스 텍사스 74ACT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74ACT10 3 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 24MA, 24MA 4 µA 3 13.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
DM74LS14N onsemi DM74LS14N -
RFQ
 ECAD 6929 0.00000000 온세미 74ls 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 슈미트 슈미트 74LS14 6 4.75V ~ 5.25V 14-mdip 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 인버터 400µA, 8mA 1 33ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.9V
74V1G08STR STMicroelectronics 74V1G08STR -
RFQ
 ECAD 5621 0.00000000 stmicroelectronics 74V 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 74V1G08 1 2V ~ 5.5V SOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 8ma, 8ma 1 µA 2 7NS @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
74HC86PW-Q100/AUJ Nexperia USA Inc. 74HC86PW-Q100/AUJ -
RFQ
 ECAD 6544 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 4 2V ~ 6V 14-tssop - 2156-74HC86PW-Q100/AUJ 1 xor (또는 독점) 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 20ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.2V ~ 3.2V
54ALS32E/883 National Semiconductor 54ALS32E/883 3.6200
RFQ
 ECAD 694 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 54als32 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
5962-8404501VDA Texas Instruments 5962-8404501VDA -
RFQ
 ECAD 1024 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-5962-8404501VDA 1
74HCT2G86GD,125 Nexperia USA Inc. 74HCT2G86GD, 125 0.3600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-xfdfn - 74HCT2G86 2 4.5V ~ 5.5V 8- Xson (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 xor (또는 독점) 4MA, 4MA 1 µA 2 19NS @ 4.5V, 50pf 0.8V 2V
BU4584B Rohm Semiconductor BU4584B -
RFQ
 ECAD 9878 0.00000000 Rohm 반도체 4000B 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 슈미트 슈미트 BU4584 6 3V ~ 16V 14-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 인버터 3MA, 3MA 4 µA 1 50ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
CD4081BE-NG Texas Instruments CD4081BE-NG -
RFQ
 ECAD 2143 0.00000000 텍사스 텍사스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 4 3V ~ 18V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 296-CD4081BE-NG 1 그리고 그리고 6.8ma, 6.8ma 5 µA 2 90ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
74LVC1G32GF,132 NXP Semiconductors 74LVC1G32GF, 132 0.0600
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74LVC1G32 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74LVC1G32GF, 132-954 1
NL17SZ00DFT2G-L22038 onsemi NL17SZ00DFT2G-L22038 0.3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 17SZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 17SZ00 1 1.65V ~ 5.5V SC-88A (SC-70-5/SOT-353) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 32MA, 32MA 1 µA 2 4.3ns @ 5V, 50pf - -
SN74LVC2G02YZAY Texas Instruments SN74LVC2G02YZAY 0.1400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 74LVC2G02 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000
74VHCT04ATTR STMicroelectronics 74VHCT04ATTR -
RFQ
 ECAD 7098 0.00000000 stmicroelectronics 74VHCT 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74VHCT04 6 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 8ma, 8ma 2 µA 1 7.7ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74VHCT08PW,118 Nexperia USA Inc. 74VHCT08PW, 118 0.4300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74VHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74VHCT08 4 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 8ma, 8ma 2 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74HCT9114N,112 NXP USA Inc. 74HCT9114N, 112 -
RFQ
 ECAD 5410 0.00000000 NXP USA Inc. 74hct 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 20-DIP (0.300 ", 7.62mm) 슈미트 슈미트, 트리거 드레인 74HCT9114 9 4.5V ~ 5.5V 20 딥 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 18 인버터 -, 4MA 8 µA 1 17ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 2V
NLVHC1G32DFT2 onsemi nlvhc1g32dft2 -
RFQ
 ECAD 3424 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100, 74HC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - NLVHC1G32 1 2V ~ 6V SC-88A (SC-70-5/SOT-353) - rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 또는 또는 2.6MA, 2.6MA 1 µA 2 17ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
NL27WZ14DTT1G onsemi NL27WZ14DTT1G 0.4200
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 온세미 27wz 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 슈미트 슈미트 27WZ14 2 1.65V ~ 5.5V 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 32MA, 32MA 1 µA 2 4.9ns @ 5V, 50pf 0.4V ~ 1.2V 1.8V ~ 3.6V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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