RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

게이트와 게이트와 (16927)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	전류 - 높음 출력, 낮음	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	cl	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음
74LVC1G332DBVRG4	-	RFQ	2249	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SOT-23-6	-	74LVC1G332	1	1.65V ~ 5.5V	SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	또는 또는	32MA, 32MA	10 µA	3	3.5ns @ 5V, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
SN74HCU04APW	0.1200	RFQ	24	텍사스 텍사스	74HCU	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74HCU04	6	2V ~ 6V	14-tssop	-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	인버터	5.2MA, 5.2MA	2 µA	1	20ns @ 6v, 50pf	0.3V ~ 1.2V	1.5V ~ 4.2V
NLX2G08MUTCG	-	RFQ	7083	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-ufqfn	-	NLX2G08	2	1.65V ~ 5.5V	8-uqfn (1.6x1.6)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고	32MA, 32MA	1 µA	2	3.7ns @ 5v, 50pf	-	-
SN74LVC1G08 세일	-	RFQ	1981	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	5-XFBGA, DSBGA	-	74LVC1G08	1	1.65V ~ 5.5V	5-DSBGA (1.4x0.9)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고	32MA, 32MA	10 µA	2	4NS @ 5V, 50pf	-	-
CD74ACT05EE4	0.4848	RFQ	3387	텍사스 텍사스	74ACT	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	열린 열린		6	4.5V ~ 5.5V	14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수			296-CD74Act05EE4	귀 99	8542.39.0001	25	인버터	-, 24ma	4 µA	6	10.8ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
74HCT03PW, 118	0.2242	RFQ	1952	Nexperia USA Inc.	74hct	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	열린 열린	74HCT03	4	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	-, 4MA	2 µA	2	24ns @ 4.5v, 50pf	0.8V	2V
DM54LS05J/883	1.9300	RFQ	5108	국가 국가	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	오픈 오픈	54LS05	6	4.5V ~ 5.5V	14-CDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	인버터	100µa, 4ma	6.6 MA	1	45NS @ 5V, 50pf	0.7V	2V
PI74STX1GU04CEX	-	RFQ	6952	다이오드가 다이오드가	74STX	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	74STX1GU04	1	1.65V ~ 5.5V	SC-70-5	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	16MA, 16MA	2 µA	1	3.4ns @ 5V, 50pf	-	-
74LVC00ABQ-Q100X	0.1520	RFQ	6389	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-vfqfn 노출 패드	-	74LVC00	4	1.2V ~ 3.6V	14-dhvqfn (2.5x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	NAND 게이트	24MA, 24MA	40 µA	2	4.3ns @ 3.3v, 50pf	0.12V ~ 0.8V	1.08V ~ 2V
Hef4011ubt, 652	-	RFQ	4788	NXP USA Inc.	4000B	튜브	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	HEF4011	4	3V ~ 15V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	57	NAND 게이트	3MA, 3MA	4 µA	2	40ns @ 15V, 50pf	1V ~ 2.5V	4V ~ 12.5V
SN74AHCT14-W	-	RFQ	9466	텍사스 텍사스	74AHCT	대부분	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	주사위	슈미트 슈미트	74AHCT14	6	4.5V ~ 5.5V	wafersale	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	19,368	인버터	8ma, 8ma	2 µA	1	8.1ns @ 5v, 50pf	0.5V ~ 0.6V	1.9V ~ 2.1V
74HCT08D/C4118	-	RFQ	6642	NXP USA Inc.	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74HCT08	4	4.5V ~ 5.5V	14-	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,500	그리고 그리고	4MA, 4MA	2 µA	2	24ns @ 4.5v, 50pf	0.8V	2V
MC74LVX00DT	0.0700	RFQ	16	온세미	*	대부분	활동적인					74LVX00				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
74AC11SJX	0.2300	RFQ	12	페어차일드 페어차일드	74AC	대부분	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	74AC11	3	2V ~ 6V	14-SOP	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	2,000	그리고 그리고	24MA, 24MA	2 µA	3	8NS @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.1V ~ 3.85V
CD4075BM	1.3000	RFQ	2	텍사스 텍사스	4000B	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	CD4075	3	3V ~ 18V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	또는 또는	3.4ma, 3.4ma	1 µA	3	90ns @ 15V, 50pf	1.5V ~ 4V	3.5V ~ 11V
74LVC2G86DP-Q100H	0.2313	RFQ	9296	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	-	74LVC2G86	2	1.65V ~ 5.5V	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	xor (또는 독점)	32MA, 32MA	4 µA	2	3.6ns @ 5V, 50pf	0.58V ~ 1.65V	1.07V ~ 3.85V
5962-89550012A	-	RFQ	3048	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-89550012A			1
74LVC86ADTR2G	-	RFQ	2211	온세미	74LVC	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74LVC86	4	1.2V ~ 3.6V	14-tssop	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	xor (또는 독점)	24MA, 24MA	40 µA	2	6ns @ 3.3v, 50pf	0.12V ~ 0.8V	1.08V ~ 2V
MC74AC04M	-	RFQ	3444	온세미	*	대부분	활동적인					74AC04				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
74LS11DC	0.2300	RFQ	1	국가 국가	74ls	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74LS11	3	4.5V ~ 5.5V	14-CDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	그리고 그리고	400µA, 8mA	6.6 MA	3	18NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
MC14081BFL1	0.0700	RFQ	4720	모토로라	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	MC14081	4	3V ~ 18V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1,000	그리고 그리고	8.8ma, 8.8ma	1 µA	2	100ns @ 15V, 50pf	1.5V ~ 4V	2.75V ~ 8.25V
V62/04652-01XE	0.9963	RFQ	8017	텍사스 텍사스	*	테이프 & tr (TR)	활동적인									-	Rohs3 준수			296-v62/04652-01xetr			2,500
DM74AS27N	0.2700	RFQ	6	페어차일드 페어차일드	74AS	튜브	쓸모 쓸모	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74AS27	3	4.5V ~ 5.5V	14-DIP	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	25	게이트도	2MA, 20MA		3	5.5ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
SN74AHC04DE4	-	RFQ	5295	텍사스 텍사스	74AHC	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AHC04	6	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	인버터	8ma, 8ma	2 µA	1	7.5ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
74LCX38SJ	0.3300	RFQ	3	페어차일드 페어차일드	74lcx	튜브	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	열린 열린	74LCX38	4	2V ~ 3.6V	14-SOP	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	47	NAND 게이트	-, 24ma	10 µA	2	5ns @ 3.3v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
74AHCT1G04QW5-7	0.4100	RFQ	6545	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q100, 74AHCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753	-	74AHCT1G04	1	4.5V ~ 5.5V	SOT-25	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	8ma, 8ma	1 µA	1	7.7ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
Sn74AHCT32PWR	0.3800	RFQ	5560	텍사스 텍사스	74AHCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74AHCT32	4	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	또는 또는	8ma, 8ma	2 µA	2	7.9ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
CD74HCT32M96	0.1700	RFQ	12	해리스 해리스	74hct	대부분	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74HCT32	4	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	rohs 비준수				귀 99	8542.39.0001	2,500	또는 또는	4MA, 4MA	2 µA	2	24ns @ 4.5v, 50pf	0.8V	2V
74LV04D, 112	0.4400	RFQ	40	Nexperia USA Inc.	74lv	튜브	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LV04	6	1V ~ 5.5V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	57	인버터	12MA, 12MA	40 µA	1	8ns @ 3.3v, 50pf	0.3V ~ 0.8V	0.9V ~ 2V
74LS37pc	0.1500	RFQ	5	국가 국가	74ls	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74LS37	4	4.75V ~ 5.25V	14-PDIP	다운로드	rohs 비준수	2A (4 주)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트	1.2MA, 48MA	12 MA	2	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

게이트와 게이트와 (16927)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²