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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	전류 - 높음 출력, 낮음	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	cl	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음
sn74aup3g04yfpr	0.4410	RFQ	3116	텍사스 텍사스	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-XFBGA, DSBGA	-	74AUP3G04	3	0.8V ~ 3.6V	8-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	4MA, 4MA	500 NA	3	6.2ns @ 3.3v, 30pf	0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V
SN74AHC14NSR	0.6300	RFQ	7302	텍사스 텍사스	74AHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	슈미트 슈미트	74AHC14	6	2V ~ 5.5V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	인버터	8ma, 8ma	1 µA	1	10.6ns @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.2V ~ 3.85V
MC74ACT14NG	-	RFQ	3783	온세미	74ACT	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74ATT14	6	4.5V ~ 5.5V	14-PDIP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	500	인버터	24MA, 24MA	4 µA	1	11.5ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
74AC11032DRE4	-	RFQ	1563	텍사스 텍사스	74AC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AC11032	4	3V ~ 5.5V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	또는 또는	24MA, 24MA	4 µA	2	6.2ns @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.1V ~ 3.85V
74VHC14MX	-	RFQ	4803	페어차일드 페어차일드	74VHC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	슈미트 슈미트	74VHC14	6	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	인버터	8ma, 8ma	2 µA	1	10.6ns @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.2V ~ 3.85V
5962-9756101QCA	-	RFQ	4210	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-9756101QCA			1
sn74als27adr	0.6330	RFQ	9089	텍사스 텍사스	74ALS	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74ALS27	3	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	게이트도	400µA, 8mA		3	15NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
74HCT27PW, 112	-	RFQ	8075	Nexperia USA Inc.	74hct	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74HCT27	3	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	96	게이트도	4MA, 4MA	2 µA	3	21ns @ 4.5v, 50pf	0.8V	2V
7UL1G14FU, LF	0.3400	RFQ	2	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	슈미트 슈미트	7UL1G14	1	0.9V ~ 3.6V	USV	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		264-7UL1G14 -FLFCT	귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	8ma, 8ma	1 µA	1	5.2ns @ 3.3v, 30pf	0.75V ~ 2.48V	0.1V ~ 0.4V
SN74LVC1G06YZTR	-	RFQ	9744	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	4-UFBGA, DSBGA	열린 열린	74LVC1G06	1	1.65V ~ 5.5V	4-DSBGA (0.9x0.9)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	-, 32MA	10 µA	1	3.5ns @ 5V, 50pf	0.58V ~ 1.65V	1.07V ~ 3.85V
74HCT1G02GW, 125	0.4200	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	74hct	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	74HCT1G02	1	4.5V ~ 5.5V	5-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	게이트도	2MA, 2MA	20 µA	2	11ns @ 4.5v, 50pf	0.8V	2V
74AHC1G14GW, 125	0.4000	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	74AHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	슈미트 슈미트	74AHC1G14	1	2V ~ 5.5V	5-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	8ma, 8ma	1 µA	1	10.6ns @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.2V ~ 3.85V
74AUP1GU04GM, 115	0.5900	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn	-	74AUP1GU04	1	0.8V ~ 3.6V	6- XSON, SOT886 (1.45x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	인버터	4MA, 4MA	500 NA	1	4.3ns @ 3.3v, 30pf	-	-
CD74AC04M96	0.5900	RFQ	3686	텍사스 텍사스	74AC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AC04	6	1.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	인버터	24MA, 24MA	4 µA	1	6.5ns @ 5V, 50pf	0.3V ~ 1.65V	1.2V ~ 3.85V
DM74AS00M	-	RFQ	2993	온세미	74AS	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AS00	4	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DM74AS00M-NDR	귀 99	8542.39.0001	1,100	NAND 게이트	2MA, 20MA		2	4.5ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
XC7SH14GV, 125	0.6200	RFQ	1400	Nexperia USA Inc.	7SH	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753	슈미트 슈미트	7SH14	1	2V ~ 5.5V	SC-74A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	8ma, 8ma	1 µA	1	10.6ns @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.2V ~ 3.85V
MC74HC1GU04DFT1G	-	RFQ	8904	온세미	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	74HC1GU04	1	2V ~ 6V	SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	2.6MA, 2.6MA	1 µA	1	17ns @ 6v, 50pf	0.3V ~ 1.2V	1.7V ~ 4.8V
74AHC1G32GW, 125	-	RFQ	3463	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74AHC1G32				다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AHC1G32GW, 125-954			1
MC10H210L	-	RFQ	4350	온세미	10h	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 75 ° C	구멍을 구멍을	16-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	3 개의 출력	MC10H210	2	-4.94V ~ -5.46V	16-CDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	또는 또는	50MA, 50MA		3	1.55ns @ -5.2v, -	-1.48V	-1.13V
74HC04PW, 118	0.4500	RFQ	38	Nexperia USA Inc.	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74HC04	6	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	인버터	5.2MA, 5.2MA	2 µA	1	14ns @ 6v, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
SN74AUC1G14YEPR	-	RFQ	5635	텍사스 텍사스	74AUC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-XFBGA, DSBGA	슈미트 슈미트	74AUC1G14	1	0.8V ~ 2.7V	5-DSBGA (1.4x0.9)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	9MA, 9MA	10 µA	1	2.5ns @ 2.5v, 30pf	0.22V ~ 0.58V	0.5V ~ 1.56V
74F04SCX	-	RFQ	9595	온세미	74f	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74F04	6	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	인버터	1ma, 20ma		1	5NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
M74HC03RM13TR	-	RFQ	1858	stmicroelectronics	74HC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	열린 열린	74HC03	4	2V ~ 6V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	-, 5.2ma	1 µA	2	10NS @ 6V, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
74LVC1G14QSE-7	0.4400	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q100, 74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	슈미트 슈미트	74LVC1G14	1	1.65V ~ 5.5V	SOT-353	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	32MA, 32MA	4 µA	1	6.5ns @ 5V, 50pf	0.7V ~ 0.8V	0.95V ~ 3.4V
CD4078BEE4	0.1500	RFQ	2	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인					CD4078				다운로드					귀 99	8542.39.0001	2,248
84143012A	-	RFQ	5925	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-84143012A			1
74AUP1G04GN, 132	0.5600	RFQ	24	Nexperia USA Inc.	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn	-	74AUP1G04	1	0.8V ~ 3.6V	6-XSON (0.9x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	인버터	4MA, 4MA	500 NA	1	5.4ns @ 3.3v, 30pf	0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V
74lcx32ft (AJ)	0.0906	RFQ	7873	Toshiba 반도체 a 저장	74lcx	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74LCX32	4	1.65V ~ 3.6V	14-TSSSOPB	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	2,500	또는 또는	24MA, 24MA	10 µA	2	6.5ns @ 3.3v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
NLV14069ubdr2g	-	RFQ	9976	온세미	4000B	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	NLV14069	6	3V ~ 18V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	인버터	8.8ma, 8.8ma	1 µA	1	55NS @ 15V, 50pf	1V ~ 2.5V	4V ~ 12.5V
74ALVC04D, 112	-	RFQ	1709	Nexperia USA Inc.	74ALVC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74ALVC04	6	1.65V ~ 3.6V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	57	인버터	24MA, 24MA	20 µA	1	2ns @ 3.3v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

게이트와 게이트와 (16927)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²