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게이트와 게이트와 (16927)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
SN74LS09NSR Texas Instruments SN74LS09NSR 0.7700
RFQ
 ECAD 6400 0.00000000 텍사스 텍사스 74ls 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 오픈 오픈 74LS09 4 4.75V ~ 5.25V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 그리고 그리고 -, 8ma 2 35NS @ 5V, 15pf 0.8V 2V
5420DMQB National Semiconductor 5420dmqb 0.4700
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - 5420 2 4.5V ~ 5.5V 14-cerdip 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 400µA, 16MA 11 MA 4 22ns @ 5V, 15pf 0.8V 2V
SN74HCU04PW Texas Instruments SN74HCU04PW 1.0900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 74HCU 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HCU04 6 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 90 인버터 5.2MA, 5.2MA 2 µA 1 14ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.7V ~ 4.8V
MM74HCT08SJ Fairchild Semiconductor MM74HCT08SJ 0.2500
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74hct 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HCT08 4 2V ~ 6V 14-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 그리고 그리고 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 20ns @ 6v, 50pf 0.8V 2V
SN74ALVC08DRE4 Texas Instruments SN74ALVC08DRE4 -
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 텍사스 텍사스 74ALVC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74ALVC08 4 1.65V ~ 3.6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 24MA, 24MA 10 µA 2 2.9ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
M38510/17203BCA Texas Instruments M38510/17203BCA -
RFQ
 ECAD 2511 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 296-M38510/17203BCA 1
NC7S08P5 onsemi NC7S08P5 -
RFQ
 ECAD 6140 0.00000000 온세미 7S 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7S08 1 2V ~ 6V SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 그리고 그리고 2.6MA, 2.6MA 1 µA 2 17ns @ 6v, 50pf 0.5V 1.5V
74VHC27FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC27ft 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 74VHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74VHC27 3 2V ~ 5.5V 14-TSSSOPB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 게이트도 8ma, 8ma 2 µA 3 7.9ns @ 5V, 50pf 0.1V ~ 36V 2V ~ 4.5V
74LVC2GU04DCKRE4 Texas Instruments 74LVC2GU04DCKRE4 -
RFQ
 ECAD 5456 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - 74LVC2GU04 2 1.65V ~ 5.5V SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 32MA, 32MA 10 µA 2 3.5ns @ 5V, 50pf 0.41V ~ 1.38V 1.24V ~ 4.13V
74AHC00BQ-Q100X Nexperia USA Inc. 74AHC00BQ-Q100X 0.1788
RFQ
 ECAD 5768 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74AHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-vfqfn 노출 패드 - 74AHC00 4 2V ~ 5.5V 14-dhvqfn (2.5x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 8ma, 8ma 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
SN74HCS266DR Texas Instruments SN74HCS266DR 0.0990
RFQ
 ECAD 5731 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 슈미트 슈미트, 트리거 드레인 74HCS266 4 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 296-SN74HCS266DRTR 귀 99 8542.39.0001 2,500 xnor (독점 독점 아니오) -, 7.8ma 2 µA 2 16ns @ 6v, 50pf 1V ~ 3V 1.5V ~ 4.2V
SNJ54F40J Texas Instruments SNJ54F40J 1.2000
RFQ
 ECAD 2094 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 54F40 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
SN74AHCT132DR Texas Instruments SN74AHCT132DR 0.4400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 텍사스 텍사스 74AHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 슈미트 슈미트 74AHCT132 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 8ma, 8ma 2 µA 2 9NS @ 5V, 50pf 0.5V ~ 0.6V 1.9V ~ 2.1V
NLV14011BDR2G onsemi NLV14011BDR2G 0.1791
RFQ
 ECAD 5960 0.00000000 온세미 4000B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - NLV14011 4 3V ~ 18V 14 -Soic - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 8.8ma, 8.8ma 1 µA 2 80ns @ 15v, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
74LVX04MTCX Fairchild Semiconductor 74LVX04MTCX 0.1900
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74lvx 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LVX04 6 2V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,562 인버터 4MA, 4MA 2 µA 1 9.7ns @ 3.3v, 50pf 0.5V ~ 0.8V 1.5V ~ 2.4V
54LS32LM National Semiconductor 54LS32LM 3.2700
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 국가 국가 * 대부분 활동적인 54LS32 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1
5962-9758101Q2A Texas Instruments 5962-9758101Q2A -
RFQ
 ECAD 3513 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-5962-9758101Q2A 귀 99 8542.39.0001 1
SN74ACT10N Texas Instruments Sn74Act10n 0.7000
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 텍사스 텍사스 74ACT 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74ACT10 3 4.5V ~ 5.5V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 NAND 게이트 24MA, 24MA 4 µA 3 9NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74LVC1G386GW,125 Nexperia USA Inc. 74LVC1G386GW, 125 0.4600
RFQ
 ECAD 6484 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - 74LVC1G386 1 1.65V ~ 5.5V 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 xor (또는 독점) 32MA, 32MA 4 µA 3 5.5ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
SN74AHC1G08DBVRE4 Texas Instruments SN74AHC1G08DBVRE4 -
RFQ
 ECAD 6528 0.00000000 텍사스 텍사스 74AHC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 74AHC1G08 1 2V ~ 5.5V SOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 8ma, 8ma 1 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
SN74LVC1G04DCKTG4 Texas Instruments SN74LVC1G04DCKTG4 -
RFQ
 ECAD 1530 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74LVC1G04 1 1.65V ~ 5.5V SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 인버터 32MA, 32MA 10 µA 1 3.7ns @ 5v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
7401PC National Semiconductor 7401pc 0.1400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 오픈 오픈 7401 4 4.75V ~ 5.25V 14-PDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 250µA, 16MA 22 MA 2 45NS @ 5V, 15pf 0.8V 2V
TC7WH04FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH04FK, LJ (CT 0.3900
RFQ
 ECAD 1818 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7WH 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 7WH04 3 2V ~ 5.5V 8-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 2 µA 3 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
CD4030BM96G4 Texas Instruments CD4030BM96G4 -
RFQ
 ECAD 3616 0.00000000 텍사스 텍사스 4000B 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - CD4030 4 3V ~ 18V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 xor (또는 독점) 3.4ma, 3.4ma 1 µA 2 100ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
SN74HC14NS Texas Instruments SN74HC14NS 1.1400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 슈미트 슈미트 74HC14 6 2V ~ 6V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 296-53313 귀 99 8542.39.0001 50 인버터 5.2MA, 5.2MA 2 µA 1 21ns @ 6v, 50pf 0.1V ~ 0.26V 1.998V ~ 5.8V
SN74AHC2G86HDCT3 Texas Instruments SN74AHC2G86HDCT3 0.1500
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 74AHC2G86 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000
NL27WZ86MQ1TCG onsemi NL27WZ86MQ1TCG -
RFQ
 ECAD 8902 0.00000000 온세미 27wz 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-ufqfn - 27WZ86 2 1.65V ~ 5.5V 8-uqfn (1.6x1.6) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NL27WZ86MQ1TCGTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 xor (또는 독점) 32MA, 32MA 1 µA 2 4.2ns @ 5V, 50pf - -
74LVC32AS14-13 Diodes Incorporated 74LVC32AS14-13 0.1071
RFQ
 ECAD 1187 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LVC32 4 1.65V ~ 3.6V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 24MA, 24MA 40 µA 2 4.1ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
5962-8984502VDA Texas Instruments 5962-8984502VDA -
RFQ
 ECAD 4250 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-5962-8984502VDA 귀 99 8542.39.0001 1
MM74HCU04N National Semiconductor MM74HCU04N 0.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 국가 국가 74HCU 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74HCU04 6 2V ~ 6V 14-DIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 인버터 5.2MA, 5.2MA 2 µA 1 20ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.5V ~ 4.2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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