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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	전류 - 높음 출력, 낮음	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	cl	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음
74AUP2G08GM	-	RFQ	9906	Nexperia USA Inc.	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-xfqfn 노출 패드	-	74AUP2G08	2	0.8V ~ 3.6V	8-xqfn (1.6x1.6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지				4,000	그리고 그리고	4MA, 4MA	500 NA	2	6.2ns @ 3.3v, 30pf	0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V
74LVC32APW/AU118	0.0800	RFQ	57	NXP USA Inc.	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74LVC32	4	1.2V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,500	또는 또는	24MA, 24MA	40 µA	2	5ns @ 3.3v, 50pf	0.12V ~ 0.8V	1.08V ~ 2V
933pc	1.1900	RFQ	3	국가 국가	-	대부분	활동적인					933pc				다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
74HCT00PW, 118	-	RFQ	9656	NXP USA Inc.	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74HCT00	4	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	4MA, 4MA	40 µA	2	12ns @ 4.5v, 50pf	0.8V	2V
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HEF4070BT-Q100J	0.2195	RFQ	6063	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 4000B	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	HEF4070	4	3V ~ 15V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	xor (또는 독점)	3MA, 3MA	4 µA	2	55NS @ 15V, 50pf	1.5V ~ 4V	3.5V ~ 11V
74AHCT1G14GW-Q100125	-	RFQ	4322	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					74AHCT1G14				다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
NLV18SZ04DFT2G	-	RFQ	1797	온세미	자동차, AEC-Q100, 18SZ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	18SZ04	1	1.65V ~ 5.5V	SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	488-NLV18SZ04DFT2GTR	귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	32MA, 32MA	1 µA	1	5.9ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 1.9V	1.4V ~ 3.6V
74VHC04MTC	-	RFQ	6318	온세미	74VHC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74VHC04	6	2V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	94	인버터	8ma, 8ma	2 µA	1	7.5ns @ 5V, 50pf	0.5V	1.5V
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TC7SZ05FE, LJ (CT	0.3700	RFQ	8111	Toshiba 반도체 a 저장	TC7SZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SOT-553	열린 열린	7SZ05	1	1.65V ~ 5.5V	ESV	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	4,000	인버터	-, 32MA	2 µA	1	3.5ns @ 5V, 50pf	-	-
74AHCT32D/C118	-	RFQ	6741	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					74AHCT32				다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,500
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74HC02PW-Q100,118	0.4500	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74HC02	4	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	게이트도	5.2MA, 5.2MA	2 µA	2	15NS @ 6V, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
74LV1T08GXH	0.4700	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	74lv	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	4-xfdfn 노출 패드	-	74LV1T08	1	1.6V ~ 5.5V	5-X2SON (0.80x0.80)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	10,000	그리고 그리고	8ma, 8ma	1 µA	2	4.6ns @ 5V, 30pf	0.1V ~ 0.3V	1.28V ~ 4.6V
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74HC14D-Q100,118	0.5200	RFQ	17	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	슈미트 슈미트	74HC14	6	2V ~ 6V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	인버터	5.2MA, 5.2MA	2 µA	1	21ns @ 6v, 50pf	0.3V ~ 1.2V	1.5V ~ 4.2V
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74HC132D/C4118	-	RFQ	5826	NXP USA Inc.	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	슈미트 슈미트	74HC132	4	2V ~ 6V	14-	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트	5.2MA, 5.2MA	2 µA	2	21ns @ 6v, 50pf	0.3V ~ 1.2V	1.5V ~ 4.2V
SN74S10NSR	-	RFQ	2054	텍사스 텍사스	74S	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	74S10	3	4.75V ~ 5.25V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	NAND 게이트	1ma, 20ma		3	5NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
DM54L10J/883	-	RFQ	8146	국가 국가	*	대부분	활동적인					54L10				-	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
CD54HCT04F3A	-	RFQ	4748	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-CD54HCT04F3A			1
74S08pc	0.2500	RFQ	38	국가 국가	74S	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74S08	4	4.75V ~ 5.25V	14-PDIP	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	그리고 그리고	-	57 MA	2	-	-	-
SNJ54LS04W	-	RFQ	1320	텍사스 텍사스	54ls	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-cflatpack	-	54LS04	6	4.5V ~ 5.5V	14-cfp	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	인버터	400µA, 4MA	6.6 MA	1	15ns @ 5v, 15pf	0.7V	2V
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SN74LVC1G04DBVTG4	-	RFQ	1791	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753	-	74LVC1G04	1	1.65V ~ 5.5V	SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	인버터	32MA, 32MA	10 µA	1	3.7ns @ 5v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
MM74HCT05SJX	0.4100	RFQ	33	페어차일드 페어차일드	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	열린 열린	74HCT05	6	4.5V ~ 5.5V	14-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	인버터	-, 4.8ma	2 µA	1	15NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
MC14049BDR2G	0.6800	RFQ	68	온세미	4000B	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	MC14049	6	3V ~ 18V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	인버터	10MA, 40MA	4 µA	1	60ns @ 15V, 50pf	1.5V ~ 4V	3.5V ~ 11V
MC74ATT11M	0.1400	RFQ	12	모토로라	74ACT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	74ATT11	3	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	그리고 그리고	24MA, 24MA	4 µA	3	9.5ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

게이트와 게이트와 (16927)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²