SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
NL27WZ02MU1TCG onsemi NL27WZ02MU1TCG -
RFQ
ECAD 2441 0.00000000 온세미 27wz 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-ufdfn - 27WZ02 2 1.65V ~ 5.5V 8-UDFN (1.95x1) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NL27WZ02MU1TCGTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 게이트도 32MA, 32MA 1 µA 2 3.7ns @ 5v, 50pf - -
SN74AC32DRG4 Texas Instruments SN74AC32DRG4 -
RFQ
ECAD 6871 0.00000000 텍사스 텍사스 74AC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74AC32 4 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 24MA, 24MA 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.1V ~ 3.85V
CD4093BMW/883 National Semiconductor CD4093BMW/883 8.2000
RFQ
ECAD 6493 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-cflatpack - CD4093 4 3V ~ 15V 14-cfp 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 4.2MA, 4.2MA 30 µA 2 335NS @ 15V, 50pf 2V ~ 6.3V 3.5V ~ 10.65V
MC74HCT20ADTR2G onsemi MC74HCT20ADTR2G 0.2793
RFQ
ECAD 7893 0.00000000 온세미 74hct 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HCT20 2 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 4MA, 4MA 10 µA 4 42ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74LVC2G14GN,132 NXP USA Inc. 74LVC2G14GN, 132 0.1600
RFQ
ECAD 73 0.00000000 NXP USA Inc. 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn 슈미트 슈미트 74LVC2G14 2 1.65V ~ 5.5V 6-XSON (0.9x1) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 인버터 32MA, 32MA 4 µA 2 4.3ns @ 5V, 50pf 0.25V ~ 1.2V 1.5V ~ 3.6V
SN74HC02NS Texas Instruments SN74HC02NS 1.3300
RFQ
ECAD 413 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HC02 4 2V ~ 6V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 게이트도 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 15NS @ 6V, 50pf 0.1V ~ 0.26V 1.998V ~ 5.8V
JD54LS05SDA National Semiconductor JD54LS05SDA 153.7200
RFQ
ECAD 85 0.00000000 국가 국가 * 대부분 활동적인 54LS05 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-JD54LS05SDA-14 1
MC74HC32AF onsemi MC74HC32AF 0.2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 74HC 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HC32 4 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 또는 또는 5.2MA, 5.2MA 1 µA 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
NC7WP00L8X onsemi NC7WP00L8X -
RFQ
ECAD 9104 0.00000000 온세미 7wp 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-ufqfn - 7WP00 2 0.9V ~ 3.6V 8-Micropak ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 NAND 게이트 2.6MA, 2.6MA 900 NA 2 7ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
CD4023BNSR Texas Instruments CD4023BNSR 0.4500
RFQ
ECAD 8395 0.00000000 텍사스 텍사스 4000B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - CD4023 3 3V ~ 18V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 3.4ma, 3.4ma 1 µA 3 90ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
XC74WL04AASR Torex Semiconductor Ltd XC74WL04AASR -
RFQ
ECAD 1837 0.00000000 Torex t ltd 74WL 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) - 74WL04 3 2V ~ 5.5V 8-MSOPB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 1 µA 3 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
SN74HCT04ANSRE4 Texas Instruments SN74HCT04ANSRE4 0.6300
RFQ
ECAD 5041 0.00000000 텍사스 텍사스 74hct 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HCT04 6 4.5V ~ 5.5V 14- - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 4MA, 4MA 2 µA 1 16ns @ 5.5v, 50pf 0.8V 2V
NC7WZ08K8X Fairchild Semiconductor NC7WZ08K8X -
RFQ
ECAD 3986 0.00000000 페어차일드 페어차일드 7wz 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 7WZ08 2 1.65V ~ 5.5V US8 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 그리고 그리고 32MA, 32MA 1 µA 2 3.7ns @ 5v, 50pf - -
SN74AHC1G86DCKT Texas Instruments SN74AHC1G86Dckt 0.8900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 텍사스 텍사스 74AHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 슈미트 슈미트 입력 74AHC1G86 1 2V ~ 5.5V SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 xor (또는 독점) 8ma, 8ma 1 µA 2 8.8ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
HEF4049BT/S401118 NXP USA Inc. HEF4049BT/S401118 -
RFQ
ECAD 1062 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 HEF4049 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,500
74LCX02FT(AJ) Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX02FT (AJ) 0.0906
RFQ
ECAD 1468 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 74lcx 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LCX02 4 1.65V ~ 3.6V 14-TSSSOPB - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 게이트도 24MA, 24MA 10 µA 2 6ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
SN74LVC1G00DBVTE4 Texas Instruments SN74LVC1G00DBVTE4 -
RFQ
ECAD 1076 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 74LVC1G00 1 1.65V ~ 5.5V SOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 NAND 게이트 32MA, 32MA 10 µA 2 4.3ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74LVC2G32DP,125 Nexperia USA Inc. 74LVC2G32DP, 125 0.4900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) - 74LVC2G32 2 1.65V ~ 5.5V 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 또는 또는 32MA, 32MA 4 µA 2 3.2ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74HCT1G08GW/C4125 NXP USA Inc. 74HCT1G08GW/C4125 -
RFQ
ECAD 1018 0.00000000 NXP USA Inc. 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74HCT1G08 1 4.5V ~ 5.5V 5-TSSOP 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 그리고 그리고 2MA, 2MA 20 µA 2 27ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
SNJ54HC27FK Texas Instruments SNJ54HC27FK 28.7500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 54HC27 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
CD74HCT04M96 Texas Instruments CD74HCT04M96 0.5000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 텍사스 텍사스 74hct 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HCT04 6 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 4MA, 4MA 2 µA 1 19NS @ 4.5V, 50pf 0.8V 2V
74AHCT1G04GW/S400125 NXP USA Inc. 74AHCT1G04GW/S400125 0.0300
RFQ
ECAD 105 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 74AHCT1G04 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000
9S42PC National Semiconductor 9S42pc 2.6000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 국가 국가 - 대부분 쓸모없는 9S42pc 다운로드 rohs 비준수 2A (4 주) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1
NLV74HCT132ADR2G onsemi NLV74HCT132ADR2G 0.1689
RFQ
ECAD 5799 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100, 74HCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 슈미트 슈미트 74HCT132 4 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 4MA, 4MA 1 µA 2 25NS @ 5V, 50pf 0.5V ~ 0.6V 1.9V ~ 2.1V
74LVT32PW/AUJ NXP USA Inc. 74LVT32PW/AUJ -
RFQ
ECAD 9689 0.00000000 NXP USA Inc. 74LVT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LVT32 4 2.7V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935302057118 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 20MA, 32MA 2 µA 2 3.8ns @ 3.3v, 50pf 0.8V 2V
SN74HCU04DRE4 Texas Instruments SN74HCU04DRE4 -
RFQ
ECAD 9430 0.00000000 텍사스 텍사스 74HCU 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HCU04 6 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 5.2MA, 5.2MA 2 µA 1 14ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.7V ~ 4.8V
M74VHC1GT04DFT2G onsemi M74VHC1GT04DFT2G 0.3300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74VHC1GT04 1 3V ~ 5.5V SC-88A (SC-70-5/SOT-353) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 1 µA 1 7.7ns @ 5V, 50pf 0.53V ~ 0.8V 1.4V ~ 2V
MM74HCT32MTCX onsemi MM74HCT32MTCX 0.5700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 온세미 74hct 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HCT32 4 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 4.8ma, 4.8ma 2 µA 2 20NS @ 5V, 15pf 0.8V 2V
NL17SZ32DFT2GH onsemi NL17SZ32DFT2GH -
RFQ
ECAD 4735 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 17SZ32 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000
CD74ACT08M Texas Instruments CD74ACT08M 0.9800
RFQ
ECAD 54 0.00000000 텍사스 텍사스 74ACT 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74Act08 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 그리고 그리고 24MA, 24MA 4 µA 2 12.9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고