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게이트와 게이트와 (16927)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	전류 - 높음 출력, 낮음	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	cl	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음
M38510/30302BCA	-	RFQ	6797	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									-	Rohs3 준수			296-M38510/30302BCA			1
CD74ACT08E	0.9500	RFQ	2	텍사스 텍사스	74ACT	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74Act08	4	4.5V ~ 5.5V	14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	그리고 그리고	24MA, 24MA	4 µA	2	12.9ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
SN74LVC32ADR	0.4500	RFQ	10	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LVC32	4	1.65V ~ 3.6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	또는 또는	24MA, 24MA	1 µA	2	3.6ns @ 3.3v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
74VHC14MTR	-	RFQ	1584	stmicroelectronics	74VHC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	슈미트 슈미트	74VHC14	6	2V ~ 5.5V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	인버터	8ma, 8ma	2 µA	1	10.6ns @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.2V ~ 3.85V
SN74AUC1G04DCKRG4	-	RFQ	5776	텍사스 텍사스	74AUC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	74AUC1G04	1	0.8V ~ 2.7V	SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	9MA, 9MA	10 µA	1	1.9ns @ 2.5v, 30pf	0V ~ 0.7V	1.7V
Hef4011ubt, 653	-	RFQ	9165	NXP USA Inc.	4000B	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	HEF4011	4	3V ~ 15V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	3MA, 3MA	4 µA	2	40ns @ 15V, 50pf	1V ~ 2.5V	4V ~ 12.5V
SN74LVC1G386DBVR	0.4200	RFQ	3	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SOT-23-6	-	74LVC1G386	1	1.65V ~ 5.5V	SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	xor (또는 독점)	32MA, 32MA	10 µA	3	4NS @ 5V, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
74LVC2G06GM, 115	-	RFQ	8525	NXP USA Inc.	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn	열린 열린	74LVC2G06	2	1.65V ~ 5.5V	6-XSON (1.45X1)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	인버터	-, 32MA	4 µA	2	2.9ns @ 5V, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
74HC00D/AU118	-	RFQ	1171	NXP USA Inc.	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74HC00	4	2V ~ 6V	14-	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	5.2MA, 5.2MA	20 µA	2	7NS @ 6V, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
7437DC	0.4400	RFQ	6	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인		구멍을 구멍을			7437	4			다운로드	rohs 비준수	2A (4 주)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트			2
MC74VHC1G01DFT2G-L22038	0.0498	RFQ	7267	온세미	74VHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	열린 열린	74VHC1G01	1	2V ~ 5.5V	SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	488-MC74VHC1G01DFT2G-L22038TR	귀 99	8542.39.0001	3,000	NAND 게이트	-, 8ma	1 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
4347805	-	RFQ	3321	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는		-	-		-			-	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1
MC74AC04DR2G	0.5700	RFQ	26	온세미	74AC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AC04	6	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	인버터	24MA, 24MA	4 µA	1	7NS @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.1V ~ 3.85V
74AC32SCX	0.8100	RFQ	2	온세미	74AC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AC32	4	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	또는 또는	24MA, 24MA	2 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.1V ~ 3.85V
74VCX86M	-	RFQ	2902	온세미	74VCX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74VCX86	4	1.2V ~ 3.6V	14 -Soic	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,100	xor (또는 독점)	24MA, 24MA	20 µA	2	3ns @ 3.3v, 30pf	0.7V ~ 0.8V	1.6V ~ 2V
SN74LVC08APW-P	-	RFQ	6049	텍사스 텍사스	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74LVC08	4	1.65V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수			296-SN74LVC08APW-P	귀 99	8542.39.0001	1	그리고 그리고	24MA, 24MA	10 µA	2	3.9ns @ 3.3v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
74lcx02m	0.9000	RFQ	150	온세미	74lcx	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LCX02	4	2V ~ 3.6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	55	게이트도	24MA, 24MA	10 µA	2	5.2ns @ 3.3v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
74LVC1G00GV, 125	-	RFQ	1973	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인					74LVC1G00				다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G00GV, 125-954			1
SN74LVC02ARGYRG4	0.0800	RFQ	4370	텍사스 텍사스	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-vfqfn 노출 패드	-	74LVC02	4	1.65V ~ 3.6V	14-VQFN (3.5x3.5)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	게이트도	24MA, 24MA	1 µA	2	4.2ns @ 3.3v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
SLV74HC14ADTR2G	-	RFQ	3027	온세미	자동차, AEC-Q100, 74HC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	슈미트 슈미트	74HC14	6	2V ~ 6V	14-tssop	-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)					1	인버터	5.2MA, 5.2MA	1 µA	1	19NS @ 6V, 50pf	-	-
NC7SZ38M5X	-	RFQ	8687	온세미	7SZ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753	열린 열린	7SZ38	1	1.65V ~ 5.5V	SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	NAND 게이트	-, 32MA	2 µA	2	4.3ns @ 5V, 50pf	-	-
SN74LS10N	0.9100	RFQ	930	텍사스 텍사스	74ls	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74LS10	3	4.75V ~ 5.25V	14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	NAND 게이트	400µA, 8mA		3	15ns @ 5v, 15pf	0.8V	2V
SN74AS1008ADRG4	-	RFQ	8333	텍사스 텍사스	74AS	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AS1008	4	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	그리고 그리고	48MA, 48MA		2	6NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
SN74LVC10ADG4	-	RFQ	5572	텍사스 텍사스	74LVC	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LVC10	3	1.65V ~ 3.6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	NAND 게이트	24MA, 24MA	1 µA	3	4.7ns @ 3.3v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
NC7SZ05M5X-L22090	0.4400	RFQ	3	온세미	7SZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753	열린 열린	7SZ05	1	1.65V ~ 5.5V	SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	-, 32MA	2 µA	1	4.3ns @ 5V, 50pf	-	-
MC74VHCT132AM	-	RFQ	4958	온세미	74VHCT	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	슈미트 슈미트	74VHCT132	4	4.5V ~ 5.5V	SOEIAJ-14	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	NAND 게이트	8ma, 8ma	2 µA	2	9.7ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 0.6V	2V
SNJ54AHCT86FK	-	RFQ	1599	텍사스 텍사스	54AHCT	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	20-Clcc	-	54AHCT86	4	4.5V ~ 5.5V	20-LCCC (8.89x8.89)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	xor (또는 독점)	8ma, 8ma	2 µA	2	8.8ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
V62/04704-01XE	1.2559	RFQ	3902	텍사스 텍사스	*	테이프 & tr (TR)	활동적인									-	Rohs3 준수			296-v62/04704-01xetr			2,500
74HC00D, 653	0.4200	RFQ	130	Nexperia USA Inc.	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74HC00	4	2V ~ 6V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	5.2MA, 5.2MA	40 µA	2	7NS @ 6V, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
SN74LVC2G08DCURG4	-	RFQ	3664	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비)	-	74LVC2G08	2	1.65V ~ 5.5V	8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고	32MA, 32MA	10 µA	2	3.8ns @ 5V, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

게이트와 게이트와 (16927)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²