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게이트와 게이트와 (16927)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
74HC4002DB,118 Nexperia USA Inc. 74HC4002dB, 118 -
RFQ
 ECAD 2687 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74HC 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HC4002 2 2V ~ 6V 14-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 게이트도 5.2MA, 5.2MA 2 µA 4 17ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
SN74AUC2G04DBVR Texas Instruments SN74AUC2G04DBVR 0.7100
RFQ
 ECAD 859 0.00000000 텍사스 텍사스 74AUC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-23-6 - 74AUC2G04 2 0.8V ~ 2.7V SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 9MA, 9MA 10 µA 2 1.5ns @ 2.5v, 30pf 0V ~ 0.7V 1.7V
SN74AHCT00DR Texas Instruments SN74AHCT00DR 0.4400
RFQ
 ECAD 1977 0.00000000 텍사스 텍사스 74AHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74AHCT00 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 8ma, 8ma 2 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
SN74HCT14QPWRQ1 Texas Instruments SN74HCT14QPWRQ1 0.5800
RFQ
 ECAD 1030 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100, 74HCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 슈미트 슈미트 74HCT14 6 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 4MA, 4MA 2 µA 1 30ns @ 5.5v, 50pf 0.5V ~ 0.6V 1.9V ~ 2.1V
NLVVHC1G86DFT1G onsemi nlvvhc1g86dft1g 0.3500
RFQ
 ECAD 1301 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100, 74VHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - NLVVHC1G86 1 2V ~ 5.5V SC-88A (SC-70-5/SOT-353) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 xor (또는 독점) 8ma, 8ma 1 µA 2 8.8ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
CD54AC32F3A Texas Instruments CD54AC32F3A -
RFQ
 ECAD 8965 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-CD54AC32F3A 1
74LV132D,112 NXP Semiconductors 74LV132d, 112 0.1500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74LV132 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74LV132d, 112-954 0000.00.0000 1
74AUP1G04GTR STMicroelectronics 74AUP1G04GTR -
RFQ
 ECAD 7140 0.00000000 stmicroelectronics 74AUP 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-665 - 74AUP1G04 1 1.2V ~ 3.6V SOT-665 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 10MA, 10MA 100 NA 1 3.8ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.8V 1.6V ~ 2V
74AHCU04D-Q100J Nexperia USA Inc. 74AHCU04D-Q100J 0.1521
RFQ
 ECAD 6219 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74AHCU 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74AHCU04 6 2V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 8ma, 8ma 2 µA 1 7NS @ 5V, 50pf 0.3V ~ 1.1V 1.7V ~ 4.4V
CD4001UBPWR Texas Instruments cd4001ubpwr 0.6300
RFQ
 ECAD 6820 0.00000000 텍사스 텍사스 4000B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - CD4001 4 3V ~ 18V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 게이트도 3.4ma, 3.4ma 1 µA 2 50ns @ 15V, 50pf 1V ~ 2.5V 4V ~ 12.5V
MC74VHCT32AMG onsemi MC74VHCT32AMG -
RFQ
 ECAD 3216 0.00000000 온세미 74VHCT 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74VHCT32 4 2V ~ 5.5V SOEIAJ-14 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MC74VHCT32AMGOS 귀 99 8542.39.0001 50 또는 또는 8ma, 8ma 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.53V ~ 0.8V 1.2V ~ 2V
NLV14001BDR2G onsemi NLV14001BDR2G 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 4000B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - NLV14001 4 3V ~ 18V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 게이트도 8.8ma, 8.8ma 1 µA 2 80ns @ 15v, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
NLX2GU04AMX1TCG onsemi NLX2GU04AMX1TCG -
RFQ
 ECAD 7824 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-XFLGA - NLX2GU0 2 1.65V ~ 5.5V 6- 룰가 (1.45x1) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 16MA, 16MA 1 µA 2 5.6ns @ 5V, 50pf - -
PI74STX1G86CX Diodes Incorporated PI74STX1G86CX -
RFQ
 ECAD 4375 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74STX 컷 컷 (CT) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74STX1G86 1 1.65V ~ 5.5V SC-70-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 xor (또는 독점) 32MA, 32MA 2 µA 2 3.6ns @ 5V, 50pf - -
74LVC2G132DCURG4 Texas Instruments 74LVC2G132DCURG4 -
RFQ
 ECAD 1037 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) 슈미트 슈미트 74LVC2G132 2 1.65V ~ 5.5V 8-VSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 32MA, 32MA 10 µA 2 6NS @ 5V, 50pf 0.39V ~ 1.87V 1.16V ~ 3.33V
74LV06AS14-13 Diodes Incorporated 74LV06AS14-13 0.4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74lv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 열린 열린 74LV06 6 2V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 -, 12MA 20 µA 1 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
MC74LCX02MELG onsemi MC74LCX02MELG -
RFQ
 ECAD 5398 0.00000000 온세미 74lcx 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74LCX02 4 2V ~ 3.6V SOEIAJ-14 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 게이트도 24MA, 24MA 10 µA 2 5.5ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
910HM Rochester Electronics, LLC 910hm 96.5600
RFQ
 ECAD 185 0.00000000 로체스터 로체스터 장치, LLC * 대부분 활동적인 910hm - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 4
CD4071BPWR Texas Instruments CD4071BPWR 0.6000
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 텍사스 텍사스 4000B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - CD4071 4 3V ~ 18V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 또는 또는 3.4ma, 3.4ma 1 µA 2 90ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
NLV74HC32ADTR2G onsemi NLV74HC32ADTR2G 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100, 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HC32 4 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 5.2MA, 5.2MA 1 µA 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
DM74LS14SJ Fairchild Semiconductor DM74LS14SJ -
RFQ
 ECAD 4293 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74ls 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 슈미트 슈미트 74LS14 6 4.75V ~ 5.25V 14-SOP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 인버터 400µA, 8mA 21 MA 1 33ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1V 1.4V ~ 1.9V
74ACT08PC onsemi 74Act08pc -
RFQ
 ECAD 1443 0.00000000 온세미 74ACT 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74Act08 4 4.5V ~ 5.5V 14-mdip 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 그리고 그리고 24MA, 24MA 4 µA 2 9NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74AUP1G06GW,125 Nexperia USA Inc. 74AUP1G06GW, 125 0.4600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AUP 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 열린 열린 74AUP1G06 1 0.8V ~ 3.6V 5-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 -, 4MA 500 NA 1 10.5ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
74F132SJ onsemi 74F132SJ -
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 온세미 74f 튜브 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 슈미트 슈미트 74F132 4 4.5V ~ 5.5V 14-SOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 47 NAND 게이트 1ma, 20ma 2 12.5ns @ 5V, 50pf 1.1V 2V
SN74AUC00RGYRG4 Texas Instruments sn74auc00rgyrg4 -
RFQ
 ECAD 3837 0.00000000 텍사스 텍사스 74AUC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-vfqfn 노출 패드 - 74AUC00 4 0.8V ~ 2.7V 14-VQFN (3.5x3.5) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 9MA, 9MA 10 µA 2 2NS @ 2.5V, 30pf 0V ~ 0.7V 1.7V
74AC05SCX onsemi 74AC05SCX -
RFQ
 ECAD 3914 0.00000000 온세미 74AC 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 열린 열린 74AC05 6 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 -, 24ma 4 µA 1 14ns @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.1V ~ 3.85V
SN74LV02APW Texas Instruments SN74LV02APW 1.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 74lv 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LV02 4 2V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 90 게이트도 12MA, 12MA 20 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
TC74VHC00FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC00ftelm -
RFQ
 ECAD 4613 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC74VHC 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74VHC00 4 2V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 8ma, 8ma 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
CD74HC30NS Texas Instruments CD74HC30NS 0.1400
RFQ
 ECAD 1663 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HC30 1 2V ~ 6V 14- - 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 2 µA 8 22ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
74LVC2G08DC,125 Nexperia USA Inc. 74LVC2G08DC, 125 0.5100
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 74LVC2G08 2 1.65V ~ 5.5V 8-VSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 32MA, 32MA 4 µA 2 3.8ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 0.95V ~ 3.4V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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