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게이트와 게이트와 (16927)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
74HCT11PW,118 Nexperia USA Inc. 74HCT11PW, 118 0.6000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HCT11 3 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 4MA, 4MA 2 µA 3 24ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
SN74LVC2G04DCK3 Texas Instruments SN74LVC2G04DCK3 0.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - 74LVC2G04 2 1.65V ~ 5.5V SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 32MA, 32MA 10 µA 2 3.7ns @ 5v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
SN74AUC1G14DCKRE4 Texas Instruments SN74AUC1G14DCKRE4 -
RFQ
 ECAD 5004 0.00000000 텍사스 텍사스 74AUC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 슈미트 슈미트 74AUC1G14 1 0.8V ~ 2.7V SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 9MA, 9MA 10 µA 1 2.5ns @ 2.5v, 30pf 0.22V ~ 0.58V 0.5V ~ 1.56V
74LVC2G08GF,115 NXP USA Inc. 74LVC2G08GF, 115 0.1900
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 NXP USA Inc. 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn - 74LVC2G08 2 1.65V ~ 5.5V 8-XSON (1.35X1) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,612 그리고 그리고 32MA, 32MA 4 µA 2 3.8ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 0.95V ~ 3.4V
74AC20SJX onsemi 74AC20SJX -
RFQ
 ECAD 9882 0.00000000 온세미 74AC 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74AC20 2 2V ~ 6V 14-SOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 24MA, 24MA 2 µA 4 7NS @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.1V ~ 3.85V
TC7SET00FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET00FU, LJ (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7 세트 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7 세트 00 1 4.5V ~ 5.5V 5-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 8ma, 8ma 2 µA 2 9NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
MC74HC14ADTR2G onsemi MC74HC14ADTR2G 0.6600
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 온세미 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 슈미트 슈미트 74HC14 6 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 5.2MA, 5.2MA 1 µA 1 13ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.5V ~ 4.2V
MC74VHC1G135DTT1 onsemi MC74VHC1G135DTT1 -
RFQ
 ECAD 5559 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 슈미트 슈미트, 트리거 드레인 74VHC1G135 1 2V ~ 5.5V 5-TSP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 -, 8ma 1 µA 2 9.7ns @ 5V, 50pf 0.65V ~ 1.45V 2.25V ~ 3.7V
XC7SH04GV,125 Nexperia USA Inc. XC7SH04GV, 125 0.2195
RFQ
 ECAD 9571 0.00000000 Nexperia USA Inc. 7SH 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 7SH04 1 2V ~ 5.5V SC-74A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 1 µA 1 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
74AHCT86BQ-Q100X Nexperia USA Inc. 74AHCT86BQ-Q100X 0.2046
RFQ
 ECAD 1896 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74AHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-vfqfn 노출 패드 - 74AHCT86 4 4.5V ~ 5.5V 14-dhvqfn (2.5x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 xor (또는 독점) 8ma, 8ma 2 µA 2 8.8ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
SN74LVC1G86YEPR Texas Instruments SN74LVC1G86YEPR -
RFQ
 ECAD 4668 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-XFBGA, DSBGA - 74LVC1G86 1 1.65V ~ 5.5V 5-DSBGA (1.4x0.9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 xor (또는 독점) 32MA, 32MA 10 µA 2 4NS @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
MC14025BCPG onsemi MC14025BCPG -
RFQ
 ECAD 8277 0.00000000 온세미 4000B 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - MC14025 3 3V ~ 18V 14-PDIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MC14025BCPGOS 귀 99 8542.39.0001 25 게이트도 8.8ma, 8.8ma 1 µA 3 100ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
SN74LVC14AD Texas Instruments SN74LVC14AD 0.9900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 슈미트 슈미트 74LVC14 6 1.65V ~ 3.6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 인버터 24MA, 24MA 1 µA 1 6.2ns @ 3.3v, 50pf 0.15V ~ 0.8V 1.3V ~ 2V
CD40107BM Texas Instruments CD40107BM 1.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 4000B 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 열린 열린 CD40107 2 3V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 NAND 게이트 -, 68ma 4 µA 2 100ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
74AHC2G00DC,125 Nexperia USA Inc. 74AHC2G00DC, 125 0.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 74AHC2G00 2 2V ~ 5.5V 8-VSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 8ma, 8ma 10 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
SN74LV21ADR Texas Instruments SN74LV21ADR 0.8600
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 텍사스 텍사스 74lv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LV21 2 2V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 12MA, 12MA 20 µA 4 7NS @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
74LCX08MX onsemi 74LCX08MX -
RFQ
 ECAD 9903 0.00000000 온세미 74lcx 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LCX08 4 2V ~ 3.6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 24MA, 24MA 10 µA 2 5.5ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
NLU1G08AMX1TCG onsemi nlu1g08amx1tcg -
RFQ
 ECAD 9227 0.00000000 온세미 Minigate ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-XFLGA - NLU1G08 1 1.65V ~ 5.5V 6- 룰가 (1.45x1) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 8ma, 8ma 1 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf - -
SN74LVC02AMPWREP Texas Instruments SN74LVC02AMPWREP 1.0020
RFQ
 ECAD 8805 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LVC02 4 2V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 게이트도 24MA, 24MA 10 µA 2 5.5ns @ 3.3v, 50pf 0.8V 2V
CD74ACT86M Texas Instruments CD74ACT86M 1.3600
RFQ
 ECAD 844 0.00000000 텍사스 텍사스 74ACT 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74Act86 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 xor (또는 독점) 24MA, 24MA 4 µA 2 14.6ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74LV06AT14-13 Diodes Incorporated 74LV06AT14-13 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74lv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 열린 열린 74LV06 6 2V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 -, 12MA 20 µA 1 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
SN74HC132NG4 Texas Instruments SN74HC132NG4 -
RFQ
 ECAD 1744 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 슈미트 슈미트 74HC132 4 2V ~ 6V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 21ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.5V ~ 4.2V
DM74LS27M Fairchild Semiconductor DM74LS27M -
RFQ
 ECAD 4921 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74ls 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LS27 3 4.75V ~ 5.25V 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 게이트도 400µA, 8mA 6.8 MA 3 18NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
MC74VHCU04DR2 onsemi MC74VHCU04DR2 -
RFQ
 ECAD 2930 0.00000000 온세미 74VHCU 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74VHCU04 6 2V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 8ma, 8ma 2 µA 1 7NS @ 5V, 50pf 0.3V 1.7V
SN74AC08PW Texas Instruments SN74AC08PW 1.1400
RFQ
 ECAD 459 0.00000000 텍사스 텍사스 74AC 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74AC08 4 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 90 그리고 그리고 24MA, 24MA 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.1V ~ 3.85V
74AHC04T14-13 Diodes Incorporated 74AHC04T14-13 0.1202
RFQ
 ECAD 3718 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74AHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74AHC04 6 2V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 8ma, 8ma 20 µA 1 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
MC10H210MELG onsemi MC10H210MELG -
RFQ
 ECAD 6584 0.00000000 온세미 10h 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 75 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 3 개의 출력 MC10H210 2 -4.94V ~ -5.46V 16- Ooeaj 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 또는 또는 50MA, 50MA 3 1.55ns @ -5.2v, - -1.48V -1.13V
HEF4049BT,653 Nexperia USA Inc. HEF4049BT, 653 0.5200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 4000B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - HEF4049 6 3V ~ 15V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 3ma, 20ma 16 µA 1 40ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
DM74ALS1005M onsemi DM74ALS1005m -
RFQ
 ECAD 5941 0.00000000 온세미 74ALS 튜브 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 오픈 오픈 74ALS1005 6 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 55 인버터 -, 24ma 1 30NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74HCT2G32DP-Q100H Nexperia USA Inc. 74HCT2G32DP-Q100H 0.1954
RFQ
 ECAD 5798 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74HCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) - 74HCT2G32 2 4.5V ~ 5.5V 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 또는 또는 4MA, 4MA 1 µA 2 24ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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