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트랜지스터 (100539)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	빈도	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재 현재 (amp)	테스트 테스트	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	노이즈 노이즈	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	전압 - 테스트	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
GTRB097152FC-V1-R2	142.7251	RFQ	1565	Wolfspeed, Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	48 v		표면 표면	H-37248C-4	GTRB097152		758MHz ~ 960MHz	헴			H-37248C-4	-				1697-GTRB097152FC-V1-R2TR			250	-		-			900W	18db											-
AOWF10N60_GV_001#M.	-	RFQ	7231	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	마지막으로 마지막으로					AOWF10							-			영향을받지 영향을받지	785-Aowf10N60_GV_001#m			1
PJQ5546V-AU_R2_002A1	1.0400	RFQ	8220	Panjit International Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	PJQ5546			MOSFET (금속 (()			DFN5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널						40 v	17.7A (TA), 79A (TC)	7V, 10V	5.9mohm @ 20a, 10V	3.5V @ 50µA	23 nc @ 10 v	± 20V	1283 pf @ 25 v	-	3.3W (TA), 65W (TC)
IPQC65R040CFD7XTMA1	7.4950	RFQ	3363	인피온 인피온	Coolmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	22-powerbsop op	IPDQ65			MOSFET (금속 (()			PG-HDSOP-22	-	Rohs3 준수				귀 99	8541.29.0095	750		n 채널						650 v	64A (TC)	10V	40mohm @ 24.8a, 10V	4.5V @ 1.24ma	97 NC @ 10 v	± 20V	4975 pf @ 400 v	-	357W (TC)
TSM300NB06LDCR	0.9850	RFQ	9547	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	TSM300			MOSFET (금속 (()	2W (TA), 40W (TC)		8-PDFNU (5x6)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TSM300NB06LDCRTR	귀 99	8541.29.0095	5,000	2 n 채널 (채널)							60V	5A (TA), 24A (TC)		30mohm @ 5a, 10V	2.5V @ 250µA	17nc @ 10V		966pf @ 30v	논리 논리 게이트
TSM180P03CS	0.6100	RFQ	5273	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	TSM180			MOSFET (금속 (()			8-SOP	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TSM180P03CSTR	귀 99	8541.29.0095	5,000		p 채널						30 v	10A (TC)	4.5V, 10V	18mohm @ 8a, 10V	2.5V @ 250µA	14.6 NC @ 4.5 v	± 20V	1730 pf @ 15 v	-	2.5W (TC)
BC338-16	0.0661	RFQ	7080	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	BC338				625 MW		To-92	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BC338-16TB	귀 99	8541.21.0075	4,000																					25 v	800 MA							100NA (ICBO)		NPN	700mv @ 50ma, 500ma	100 @ 100ma, 5V	100MHz
TSM500P02DCQ	0.4623	RFQ	7294	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-vdfn d 패드	TSM500			MOSFET (금속 (()	620MW (TC)		6-TDFN (2x2)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TSM500P02DCQTR	귀 99	8541.21.0095	12,000	2 p 채널							20V	4.7A (TC)		50mohm @ 3a, 4.5v	0.8V @ 250µA	13NC @ 4.5V		1230pf @ 10V	기준
MXB12R600DPHFC	-	RFQ	5426	ixys	-	튜브	활동적인		-	구멍을 구멍을	isoplusi5-pak ™	MXB12			MOSFET (금속 (()			Isoplus i4-Pac ™	-	Rohs3 준수			238-MXB12R600DPHFC			1		n 채널						650 v	13A (TC)	-	-	-		-		-	-
G75P04T	-	RFQ	4272	goford 반도체	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				MOSFET (금속 (()			TO-220	다운로드	rohs 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0000	50		p 채널						40 v	70A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	106 NC @ 10 v	± 20V	6985 pf @ 20 v	-	277W (TC)
IXA20I1200HB	-	RFQ	3887	ixys	-	튜브	활동적인					IXA20							-	Rohs3 준수	1 (무제한)		238-IXA20I1200HB			1
ut6ke5tcr	0.6800	RFQ	3681	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	6-powerudfn	UT6KE5			MOSFET (금속 (()	2W (TA)		HUML2020L8	-		1 (무제한)					3,000	2 n 채널							100V	2A (TA)		207mohm @ 2a, 10V	2.5V @ 1mA	2.8NC @ 10V		90pf @ 50V	기준
VS-GT100TS065S	85.9800	RFQ	5207	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	상자	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준					517 w	기준		-	Rohs3 준수	1 (무제한)		112-VS-GT100TS065S			15	하프 하프 인버터																			도랑	650 v	247 a							100 µa	아니요
jantxv2n2906aubc/tr	26.2050	RFQ	3641	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/291	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	3-smd,, 없음					500MW		UBC	-				150-jantxv2n2906aubc/tr			100																					60 v	600 MA							50NA		PNP	1.6V @ 50MA, 500MA	40 @ 500ma, 10V	-
GPI65030TO5L	15.0000	RFQ	90	ganpower	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면					Ganfet ((갈륨)				다운로드	rohs 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	4025-gpi65030to5ltr	3A001	8541.49.7000	1		n 채널						650 v	30A	6V		1.4V @ 3.5ma	5.8 NC @ 6 v	+7.5V, -12V	241 PF @ 400 v
MSCSM120AM13CT6AG	-	RFQ	1487	마이크로 마이크로 기술	-	상자	활동적인												다운로드				150-MSCSM120AM13CT6AG			1
irg4rc10udpbf	-	RFQ	6966	국제 국제	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		기준			38 w		D-PAK	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-irg4RC10UDPBF-600047			1				480V, 5A, 100ohm, 15V															28 ns	-	600 v	8.5 a	34 a	2.6V @ 15V, 5A	140µJ (on), 120µJ (OFF)	15 NC	40ns/87ns
EFC4601-M-TR	-	RFQ	2152	온세미	-	대부분	쓸모없는		150 ° C	표면 표면	4-UFBGA, FCBGA				MOSFET (금속 (()	1.6W (TA)		EFCP1818-4CA-055	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-EFC4601-M-TR-488			1	2 n 채널							24V	6A (TA)		44mohm @ 3a, 4.5v	1.3v @ 1ma	8.1NC @ 10V		950pf @ 10V	-
CPH3407-TL-E	-	RFQ	8778	온세미	-	대부분	쓸모없는												-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-CPH3407-TL-E-488			1
MCH6635-TL-E	-	RFQ	1663	온세미	-	대부분	쓸모없는		150 ° C	표면 표면	6-SMD,, 리드				MOSFET (금속 (()			6mcph	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MCH6635-TL-E-488			1		p 채널						20 v	800MA (TA)	2.5V, 4V	900mohm @ 400ma, 4v	1.3V @ 100µa	1.18 nc @ 4 v	± 10V	76 pf @ 10 v	-	800MW (TA)
auirf1010ez	-	RFQ	4224	인피온 인피온	Hexfet®	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널						60 v	75A (TC)		8.5mohm @ 51a, 10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 v		2810 pf @ 25 v	-	140W (TC)
FDFMA3P029Z	-	RFQ	2515	온세미	Powertrench®	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-wdfn n 패드	FDFMA3			MOSFET (금속 (()			6MLP (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널						30 v	3.3A (TA)		87mohm @ 3.3a, 10V	3V @ 250µA	10 nc @ 10 v		435 pf @ 15 v	Schottky 분리 (다이오드)	1.4W (TA)
CLF1G0035-100PU	-	RFQ	4321	Ampleon USA Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	150 v		섀시 섀시	SOT-1228A	CLF1G0035		3GHz	간 간			가장	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	20			-		100 MA	100W	14db											-										50 v
AUIRGP66524D0	-	RFQ	5502	국제 국제	Automotive, AEC-Q101, CoolIRIGBT ™	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		기준			214 w		TO-247AC	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-auirgp66524d0-600047			1				400V, 24A, 10ohm, 15V															176 ns	도랑	600 v	60 a	72 a	1.9V @ 15V, 24A	915µJ (on), 280µJ (OFF)	50 NC	30ns/75ns
3LP03M-TL-E	-	RFQ	2551	온세미	-	대부분	쓸모없는		150 ° C	표면 표면	SC-70, SOT-323				MOSFET (금속 (()			3MCP	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-3LP03M-TL-E-488			1		p 채널						30 v	250MA (TA)	1.5V, 4V	1.9ohm @ 120ma, 4v	1.4V @ 100µa	0.8 nc @ 4 v	-10V	40 pf @ 10 v	-	150MW (TA)
MCH6627-TL-E	-	RFQ	9291	온세미	*	대부분	쓸모없는												-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MCH6627-TL-E-488			1
2SA1973-5-TB-E	-	RFQ	7344	온세미	-	대부분	쓸모없는												-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-2SA1973-5-TB-E-488			1
FQPF12N60C	-	RFQ	4076	페어차일드 페어차일드	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩				MOSFET (금속 (()			TO-220F-3	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-FQPF12N60C-600039			1		n 채널						600 v	12A (TC)	10V	650mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 v	± 30V	2290 pf @ 25 v	-	51W (TC)
BC55-10PAS-QX	0.4300	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, BC55XPAS-Q	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	3-udfn n 패드					420 MW		DFN2020D-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000																					60 v	1 a							100NA (ICBO)		NPN	500mv @ 50ma, 500ma	63 @ 150ma, 2V	180MHz
GT011N03ME	1.7100	RFQ	800	goford 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()			TO-263	다운로드	rohs 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0000	800		n 채널						30 v	209A (TC)	4.5V, 10V	1.6mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	98 NC @ 10 v	± 18V	6140 pf @ 15 v	-	89W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (100539)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²