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트랜지스터 (100539)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | fqu12n20tu | - |  | 5171 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 200 v | 9A (TC) | 10V | 280mohm @ 4.5a, 10V | 5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 30V | 910 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKP30N65H5XKSA1 | 3.5900 | | 4030 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IKP30N65 | 기준 | 188 w | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 15a, 23ohm, 15V | 51 ns | 도랑 | 650 v | 55 a | 90 a | 2.1V @ 15V, 30A | 280µJ (on), 100µJ (OFF) | 70 NC | 19ns/177ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STGD6M65DF2 | 1.4000 | | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 중 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STGD6 | 기준 | 88 W. | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V, 6A, 22ohm, 15V | 140 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 12 a | 24 a | 2V @ 15V, 6A | 36µJ (on), 200µJ (OFF) | 21.2 NC | 15ns/90ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DMN2053UVT-7 | 0.3600 | | 2 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | DMN2053 | MOSFET (금속 (() | 700MW (TA) | TSOT-26 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 4.6A (TA) | 35mohm @ 5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 3.6NC @ 4.5V | 369pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DF1400R12IP4D | - | | 6093 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Primepack ™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | DF1400R | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 단일 단일 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 1400 a | - | 5 MA | 예 | 82 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NXH50M65L4Q1PTG | - | | 5583 | 0.00000000 | 온세미 | - | 쟁반 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 86 w | 기준 | 53-PIM/Q2pack (93x47) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 488-NXH50M65L4Q1PTG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 21 | 전체 전체 | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 48 a | 2.22V @ 15V, 50A | 300 µA | 예 | 3.137 NF @ 20 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXYA20N65B3 | - | | 3403 | 0.00000000 | ixys | XPT ™, GenX3 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXYA20 | 기준 | 230 w | TO-263AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 20A, 20ohm, 15V | 25 ns | - | 650 v | 58 a | 108 a | 2.1V @ 15V, 20A | 500µJ (on), 700µJ (OFF) | 29 NC | 12ns/103ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5185-2N4392 | - | | 8520 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N4392 | - | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | - | 40 v | 60 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DMP45H4D9HK3-13 | 0.8400 | | 2 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | DMP45 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 450 v | 4.7A (TC) | 10V | 4.9ohm @ 1.05a, 10V | 5V @ 250µA | 13.7 NC @ 10 v | ± 30V | 564 pf @ 25 v | - | 104W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FGA6560WDF | 4.8600 | | 421 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | fga6560 | 기준 | 306 W. | 3pn | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 60A, 6ohm, 15V | 110 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 120 a | 180 a | 2.3V @ 15V, 60A | 2.46mj (on), 520µJ (OFF) | 84 NC | 25.6ns/71ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EPC2007 | - | | 5089 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | EPC20 | Ganfet ((갈륨) | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0040 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 6A (TA) | 5V | 30mohm @ 6a, 5V | 2.5V @ 1.2MA | 2.8 NC @ 5 v | +6V, -5V | 205 pf @ 50 v | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDMT800152DC | 3.4450 | | 4985 | 0.00000000 | 온세미 | Dual Cool ™, Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | FDMT800152 | MOSFET (금속 (() | 8-Dual Cool ™ 88 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 13A (TA), 72A (TC) | 6V, 10V | 9mohm @ 13a, 10V | 4V @ 250µA | 83 NC @ 10 v | ± 20V | 5875 pf @ 75 v | - | 3.2W (TA), 113W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG5K75HH06E | - | | 9033 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Powir Eco 2 ™ 모듈 | IRG5K75 | 330 w | 기준 | Powir Eco 2 ™ | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 14 | 전체 전체 인버터 | - | 600 v | 140 a | 2.1V @ 15V, 75A | 1 MA | 예 | 3.6 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | irg4rc10sdtrlp | - | | 8521 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRG4RC10 | 기준 | 38 w | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 480V, 8A, 100ohm, 15V | 28 ns | - | 600 v | 14 a | 18 a | 1.8V @ 15V, 8A | 310µj (on), 3.28mj (OFF) | 15 NC | 76NS/815NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ing0912LM500 | 788.3600 | | 10 | 0.00000000 | Integra Technologies Inc. | * | 쟁반 | 활동적인 | ing0912 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2251-ign0912LM500 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM2N7002KCX | 0.1121 | | 5815 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM2N7002KCXTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 300MA (TA) | 4.5V, 10V | 2ohm @ 300ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 0.6 nc @ 4.5 v | ± 20V | 30 pf @ 25 v | - | 300MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKB30N65ES5ATMA1 | 4.2400 | | 9502 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IKB30N65 | 기준 | 188 w | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 30A, 13ohm, 15V | 75 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 62 a | 120 a | 1.7V @ 15V, 30A | 560µJ (on), 320µJ (OFF) | 70 NC | 17ns/124ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| fqi7n10ltu | 0.3200 | | 4 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 7.3A (TC) | 5V, 10V | 350mohm @ 3.65a, 10V | 2V @ 250µA | 6 nc @ 5 v | ± 20V | 290 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MNS2N3700ub/tr | 13.8000 | | 7068 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC850BLT1 | - | | 3406 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC850 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NMBT3906VL | 0.0200 | | 400 | 0.00000000 | nxp 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-NMBT3906VL-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7700TRPBF | - | | 2913 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 20 v | 8.6A (TC) | 2.5V, 4.5V | 15mohm @ 8.6a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 89 NC @ 5 v | ± 12V | 4300 pf @ 15 v | - | 1.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC655N | 0.1900 | | 78 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FDC655 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFB192503FL-V2-R250 | - | | 6129 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | H-34288-4/2 | 1.99GHz | LDMOS | H-34288-4/2 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | - | 1.9 a | 50W | 19db | - | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF2400RB12IP7BPSA1 | 1.0000 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Primepack ™ 3 | 쟁반 | 활동적인 | - | - | - | FF2400R | 기준 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2 | 2 독립 | - | 750 v | 2400 a | - | 아니요 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| mmix1f160n30t | 45.7675 | | 8817 | 0.00000000 | ixys | Gigamos ™, Hiperfet ™, Trencht2 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 24-powersmd, 21 리드 | MMIX1F160 | MOSFET (금속 (() | 24-SMPD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | n 채널 | 300 v | 102A (TC) | 10V | 20mohm @ 60a, 10V | 5V @ 8MA | 335 NC @ 10 v | ± 20V | 2800 pf @ 25 v | - | 570W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ATF-36163-TR2G | - | | 1440 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 3 v | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ATF-36163 | 4GHz | Phemt Fet | SOT-363 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 5A991G | 8541.21.0075 | 10,000 | 40ma | 15 MA | 5dbm | 15.8dB | 0.6dB | 2 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AOD4102 | - | | 6527 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD41 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 8A (TA), 19A (TC) | 4.5V, 10V | 37mohm @ 12a, 10V | 3V @ 250µA | 6.6 NC @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 15 v | - | 4.2W (TA), 21W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFL4001-1E | - | | 6632 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | BFL40 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 4.1A (TC) | 10V | 2.7ohm @ 3.25a, 10V | - | 44 NC @ 10 v | ± 30V | 850 pf @ 30 v | - | 2W (TA), 37W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PXAC203302FV-V1-R0 | - | | 5136 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | PXAC203302 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 250 |
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