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트랜지스터 (100539)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | NVMFS5C456Nlaft1g | 1.5800 | | 3948 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 87A (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 25 v | - | 55W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | SIE812DF-T1-E3 | 1.7317 | | 3235 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (L) | SIE812 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (L) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 25a, 10V | 3V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 8300 pf @ 20 v | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2261-TD-E | 0.2400 | | 9 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | Ph3830L, 115 | - | | 2751 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | ph38 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 98A (TC) | 5V, 10V | 3.8mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 33 NC @ 5 v | ± 20V | 3190 pf @ 10 v | - | 62.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | skw30n60fksa1 | 7.4959 | | 5174 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | skw30n | 기준 | 250 W. | PG-to247-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 30A, 11ohm, 15V | 400 ns | NPT | 600 v | 41 a | 112 a | 2.4V @ 15V, 30A | 1.29mj | 140 NC | 44ns/291ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SST403 SOIC 8L-TR | 9.7900 | | 2 | 0.00000000 | Linear Integrated Systems, Inc. | SST403 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 300MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 50 v | 8pf @ 15V | 50 v | 500 µa @ 10 v | 500 MV @ 1 NA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPB10N03LB g | - | | 1529 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB10N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9.6mohm @ 50a, 10V | 2V @ 20µA | 13 nc @ 5 v | ± 20V | 1639 pf @ 15 v | - | 58W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TK45P03M1, RQ (s | - | | 5821 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | u-mosvi-h | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | TK45P03 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 30 v | 45A (TA) | 4.5V, 10V | 9.7mohm @ 22.5a, 10V | 2.3V @ 200µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1500 pf @ 10 v | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STGP15H60DF | 2.1700 | | 8067 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STGP15 | 기준 | 115 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 15a, 10ohm, 15V | 103 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 30 a | 60 a | 2V @ 15V, 15a | 136µJ (on), 207µJ (OFF) | 81 NC | 24.5ns/118ns |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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