전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RSJ400N06TL | 2.6700 | ![]() | 133 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | RSJ400 | MOSFET (금속 (() | lpt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 40A (TA) | 10V | 16mohm @ 40a, 10V | 3V @ 1mA | 52 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 10 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RRS075P03FD5TB1 | - | ![]() | 8191 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-RRS075P03FD5TB1TR | 쓸모없는 | 2,500 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5087BU | - | ![]() | 7120 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 2N5087 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 50 v | 100 MA | 50NA | PNP | 300mv @ 1ma, 10ma | 250 @ 100µa, 5V | 40MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2880 | 137.8412 | ![]() | 1671 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-210AA, TO-59-4, 스터드 | 2N2880 | 2 w | To-59 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | 20µA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 40 @ 1a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIHF23N60E-GE3 | 1.7972 | ![]() | 9785 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHF23 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 23A (TC) | 10V | 158mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 v | ± 30V | 2418 pf @ 100 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FMP76-010T | - | ![]() | 3948 | 0.00000000 | ixys | 트렌치 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | i4 -pac ™ -5 | FMP76 | MOSFET (금속 (() | 89W, 132W | Isoplus i4-Pac ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 및 p 채널 | 100V | 62A, 54A | 11mohm @ 25a, 10V | 4.5V @ 250µA | 104NC @ 10V | 5080pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||
BSS126SK-7 | - | ![]() | 3507 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS126 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 30MA (TA) | 0V, 10V | 500ohm @ 16ma, 10V | 1.4V @ 8µA | 2 nc @ 5 v | ± 20V | 30.9 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RZM001P02T2L | 0.2600 | ![]() | 296 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-723 | RZM001 | MOSFET (금속 (() | VMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | p 채널 | 20 v | 100MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 3.8ohm @ 100ma, 4.5v | 1V @ 100µA | ± 10V | 15 pf @ 10 v | - | 150MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANSF2N3637UB | 148.5808 | ![]() | 8182 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSF2N3637UB | 1 | 175 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB16AN08A0 | 1.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 239 | n 채널 | 75 v | 9A (TA), 58A (TC) | 6V, 10V | 16mohm @ 58a, 10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 1857 pf @ 25 v | - | 135W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2033AT114E | - | ![]() | 7690 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | HRT | 2SD2033 | 1.8 w | HRT | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 160 v | 1.5 a | 1µA (ICBO) | NPN | 2V @ 100MA, 1A | 100 @ 100ma, 5V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IGP40N65H5XKSA1 | 3.3600 | ![]() | 450 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IGP40N65 | 기준 | 255 w | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 20A, 15ohm, 15V | - | 650 v | 74 a | 120 a | 2.1V @ 15V, 40A | 390µJ (ON), 120µJ (OFF) | 95 NC | 22ns/165ns | ||||||||||||||||||||||
BSB165N15NZ3GXUMA1 | 3.7100 | ![]() | 4989 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-Wdson | BSB165 | MOSFET (금속 (() | Mg-Wdson-2, Canpak M ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 150 v | 9A (TA), 45A (TC) | 8V, 10V | 16.5mohm @ 30a, 10V | 4V @ 110µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2800 pf @ 75 v | - | 2.8W (TA), 78W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | NST3906DP6T5G | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-963 | NST3906 | 350MW | SOT-963 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NST3906DP6T5GTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 40V | 200ma | - | 2 PNP (() | 400mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2104, LF (Ct | 0.2000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | RN2104 | 100MW | SSM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 200MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | vt6j1t2cr | 0.0832 | ![]() | 1938 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | vt6j1 | MOSFET (금속 (() | 120MW | VMT6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 100ma | 3.8ohm @ 100ma, 4.5v | 1V @ 100µA | - | 15pf @ 10V | 로직 로직 게이트, 1.2v 드라이브 | |||||||||||||||||||||||
![]() | HC55185GCR | 1.0000 | ![]() | 1715 | 0.00000000 | 인터 인터 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-HC55185GCR-600010 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3007SPBF | - | ![]() | 3100 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF3007 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 62A (TC) | 10V | 12.6MOHM @ 48A, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 3270 pf @ 25 v | - | 120W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | MJ11029G | 2.4000 | ![]() | 350 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-MJ11029G-488 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI2399DS-T1-GE3 | 0.5100 | ![]() | 4257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2399 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 6A (TC) | 2.5V, 10V | 34mohm @ 5.1a, 10V | 1.5V @ 250µA | 20 nc @ 4.5 v | ± 12V | 835 pf @ 10 v | - | 2.5W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | C2M0160120D | 13.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | Z-Fet ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | C2M0160120 | sicfet ((카바이드) | TO-247-3 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 19A (TC) | 20V | 196MOHM @ 10A, 20V | 2.5V @ 500µA | 32.6 NC @ 20 v | +25V, -10V | 527 pf @ 800 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | php110nq08lt, 127 | - | ![]() | 5437 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | PHP11 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 127.3 NC @ 10 v | ± 20V | 6631 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N6488 PBFREE | - | ![]() | 2189 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 75 w | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 15 a | - | NPN | 3.5V @ 5a, 15a | 25 @ 1a, 4v | 5MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB3207ZPBF | - | ![]() | 1010 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 75 v | 120A (TC) | 10V | 4.1mohm @ 75a, 10V | 4V @ 150µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 6920 pf @ 50 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH3356-TL-W | - | ![]() | 4668 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CPH3356 | MOSFET (금속 (() | 3-cph | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 137mohm @ 1a, 4.5v | 1.4V @ 1mA | 3.3 NC @ 4.5 v | ± 10V | 250 pf @ 10 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | stdled623 | - | ![]() | 9026 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | stdled623 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 620 v | 3A (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.1a, 10V | 4.5V @ 50µA | 15.5 nc @ 10 v | ± 30V | 350 pf @ 50 v | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FDD8444 | 2.3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD844 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 145A (TC) | 10V | 5.2MOHM @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 116 NC @ 10 v | ± 20V | 6195 pf @ 25 v | - | 153W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | irfr13n15dtr | - | ![]() | 8000 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 150 v | 14A (TC) | 10V | 180mohm @ 8.3a, 10V | 5.5V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 30V | 620 pf @ 25 v | - | 86W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MCH3478-TL-WZ | - | ![]() | 5494 | 0.00000000 | 온세미 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | MCH3478 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 1.8V, 4.5V | ± 12V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBLS4001Y, 115 | 0.0700 | ![]() | 345 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PBLS40 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고