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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 전압 - 출력 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 전압 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 전류 전류 (ID) - 최대 | 전압- v (VT) | 전류- 양극 게이트에서 누출 (igao) | 현재 -볼리 (IV) | 현재 - 피크 |
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![]() | TP65H070G4PS | 8.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 반죽 | Supergan® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | Ganfet ((갈륨) | TO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 1707-TP65H070G4PS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 29A (TC) | 10V | 85mohm @ 18a, 10V | 4.7V @ 700µA | 9 NC @ 10 v | ± 20V | 638 pf @ 400 v | - | 96W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N2221AUA | 150.3406 | ![]() | 2179 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 650 MW | UA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansr2n2221aua | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS138-G | 0.5100 | ![]() | 6971 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS138 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 50 v | 220MA (TA) | 4.5V, 10V | 3.5ohm @ 220ma, 10V | 1.5V @ 1mA | 2.4 NC @ 10 v | ± 20V | 27 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2011 | 1.2600 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF25X120T3G | - | ![]() | 7367 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | SP3 | 208 w | 기준 | SP3 | 다운로드 | 1 (무제한) | APTGF25X120T3GMP-ND | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 3 단계 인버터 | NPT | 1200 v | 40 a | 3.7V @ 15V, 25A | 250 µA | 예 | 1.65 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IKW40N65ES5XKSA1 | 6.0900 | ![]() | 9550 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IKW40N65 | 기준 | 230 w | PG-to247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 10ohm, 15V | 73 ns | 도랑 | 650 v | 79 a | 160 a | 1.7V @ 15V, 40A | 860µJ (on), 400µJ (OFF) | 95 NC | 19ns/130ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMDT3946_S1_00001 | 0.3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMDT3946 | 225MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200ma | 50NA | NPN, PNP 보완 | 300mv @ 5ma, 50ma / 400mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP390N15A | 1.7200 | ![]() | 70 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FDPF390 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 150 v | 15A (TC) | 10V | 40mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | 18.6 NC @ 10 v | ± 20V | 1285 pf @ 75 v | - | 22W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irg4pc30fpbf | 1.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 100 W. | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 480v, 17a, 23ohm, 15v | - | 600 v | 31 a | 120 a | 1.8V @ 15V, 17a | 230µJ (on), 1.18mj (OFF) | 77 NC | 21ns/200ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLC2425M10LS500PY | 140.4300 | ![]() | 3227 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 65 v | 표면 표면 | SOT1250-1 | BLC2425 | 2.4GHz ~ 2.5GHz | LDMOS | SOT1250-1 | - | Rohs3 준수 | 1603-BLC2425M10LS500PYTR | 100 | 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 | 4.2µA | 20 MA | 500W | 14.5dB | - | 32 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N312AD3_NL | - | ![]() | 2827 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 340 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 50A, 10V | 3V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1450 pf @ 15 v | - | 75W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ntmys6d2n06cltwg | 2.2749 | ![]() | 1562 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | SOT-1023, 4-LFPAK | ntmys6 | MOSFET (금속 (() | LFPAK4 (5x6) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-ntmys6d2n06cltwgtr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 17A (TA), 71A (TC) | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847C-C | 0.0171 | ![]() | 5876 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 250 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2796-BC847C-CTR | 8541.21.0000 | 3,000 | 45 v | 100 MA | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 520 @ 2MA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJNS4202RTA | 0.0200 | ![]() | 477 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 | fjns42 | 300MW | 92S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | 200MHz | 10 KOHMS | 10 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC2411-R-TP | 0.0355 | ![]() | 7054 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SC2411 | 200 MW | SOT-23 | 다운로드 | 353-2SC2411-R-TP | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 32 v | 500 MA | 1µA | NPN | 400mv @ 50ma, 500ma | 82 @ 100MA, 3V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT26HW050GSR3-NXP | 115.4500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0040 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N302AS3ST | 2.0700 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 75a, 10V | 3V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 11000 pf @ 15 v | - | 345W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK4007DPP-00#T2 | 1.3300 | ![]() | 393 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
stp8nm60d | - | ![]() | 3672 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP8N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 497-6194-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 8A (TC) | 10V | 1ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 30V | 380 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJZ594JBTF | 0.0200 | ![]() | 687 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-623F | 100MW | SOT-623F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 3.5pf @ 5V | 20 v | 150 µa @ 5 v | 600 mV @ 1 µA | 1 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSI7N60BTU | 0.3900 | ![]() | 964 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 1800 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 147W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR121 | 0.3400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-3 (DPAK) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 80 v | 8.4a | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP25R12W2T7BPSA1 | 61.1600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPIM ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FP25R12 | 20 MW | 3 정류기 정류기 브리지 | Ag-Easy2b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 25 a | - | 5.6 µA | 예 | 4.77 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSS126SK-13 | - | ![]() | 1591 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS126 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 600 v | 30MA (TA) | 0V, 10V | 500ohm @ 16ma, 10V | 1.4V @ 8µA | 2 nc @ 5 v | ± 20V | 30.9 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6028RLRA | - | ![]() | 2971 | 0.00000000 | 온세미 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2N6028 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 2,000 | 11V | 40V | 300MW | 600 MV | 10 na | 25 µA | 150 NA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGHL40S65UQ | - | ![]() | 1753 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | FGHL40 | 기준 | 231 W. | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | FGHL40S65UQOS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 6ohm, 15V | 319 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 80 a | 120 a | 1.7V @ 15V, 40A | 1.76mj (on), 362µJ (OFF) | 306 NC | 32ns/260ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTT11P50-TRL | 9.1355 | ![]() | 8889 | 0.00000000 | ixys | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXTT11 | MOSFET (금속 (() | TO-268 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTT11P50-TRLTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | p 채널 | 500 v | 11A (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10V | 5V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 4700 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PXAE213708NB-V1-R2 | 85.3006 | ![]() | 1835 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 65 v | 표면 표면 | PG-HB2SOF-8-1 | PXAE213708 | 2.11GHz ~ 2.18GHz | LDMOS | PG-HB2SOF-8-1 | 다운로드 | 1697-PXAE213708NB-V1-R2TR | 귀 99 | 8541.29.0075 | 250 | 10µA | 750 MA | 54W | 16db | - | 29 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AO4441L_001 | - | ![]() | 6126 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 4A (TA) | 4.5V, 10V | 100mohm @ 4a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 1120 pf @ 30 v | - | 3.1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTE3300 | 7.1600 | ![]() | 76 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - | 가방 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 기준 | 30 w | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | rohs 비준수 | 2368-NTE3300 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 400 v | 10 a | 130 a | 8V @ 20V, 130A | - | 150ns/450ns |
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