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트랜지스터 (100539)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PSMN8R0-30LYC115 NXP USA Inc. PSMN8R0-30LYC115 1.0000
RFQ
 ECAD 3272 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 1
MCH6626-TL-H onsemi MCH6626-TL-H 0.1000
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
ON5441518 NXP USA Inc. on5441518 0.7300
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,000
SMBTA06 Infineon Technologies smbta06 0.0500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23-3-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 6,000 80 v 500 MA 100NA 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
SPB02N60S5 Infineon Technologies SPB02N60S5 1.0000
RFQ
 ECAD 6983 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 1.8A (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10V 5.5V @ 80µa 9.5 nc @ 10 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 25W (TC)
MTB6N60E onsemi MTB6N60E 1.0000
RFQ
 ECAD 2871 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
TBB1010KMTL-E Renesas Electronics America Inc tbb1010kmtl-e 0.3100
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 ECAD 75 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
UPA608T(0)-T1-A Renesas Electronics America Inc UPA608T (0) -T1 -A 0.1800
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000
SPD50N03S2L-06G Infineon Technologies SPD50N03S2L-06G 1.0000
RFQ
 ECAD 8072 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
PMV50XP215 NXP USA Inc. PMV50XP215 0.0800
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PMV50 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,836
SKA06N06 Infineon Technologies SKA06N06 -
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 ECAD 6222 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 Ska06n - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
SI9926DY Fairchild Semiconductor Si9926Dy 0.2200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9926 MOSFET (금속 (() 900MW (TA) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 20V 6.5A (TA) 30mohm @ 6.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 10NC @ 4.5V 700pf @ 10V -
RJK03K1DPA-00#J5A Renesas Electronics America Inc RJK03K1DPA-00#J5A 0.7200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000
PMZB150UNE315 NXP USA Inc. PMZB150UN315 -
RFQ
 ECAD 2485 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 10,000
RFP4N05 Harris Corporation RFP4N05 0.5700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 50 v 4A (TC) 10V 800mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 200 pf @ 25 v - 25W (TC)
SGB30N60 Infineon Technologies SGB30N60 -
RFQ
 ECAD 5148 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SGB30 기준 250 W. PG-to263-3-2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 30A, 11ohm, 15V NPT 600 v 41 a 112 a 2.4V @ 15V, 30A 1.29mj 140 NC 44ns/291ns
RFP45N03L Harris Corporation RFP45N03L 0.6700
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 45A (TC) 5V 22mohm @ 45a, 5V 2V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 10V 1650 pf @ 25 v - 90W (TC)
SIPC19N80C3 Infineon Technologies SIPC19N80C3 -
RFQ
 ECAD 9533 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0040 1
STD16N60M6 STMicroelectronics STD16N60M6 2.4400
RFQ
 ECAD 1228 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD16 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 320mohm @ 6a, 10V 4.75V @ 250µA 16.7 NC @ 10 v ± 25V 575 pf @ 100 v - 110W (TC)
RF1S40N10SM Harris Corporation RF1S40N10SM 1.3200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 40a - - - - - -
RFD16N05L Harris Corporation RFD16N05L 1.1700
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 50 v 16A (TC) 4V, 5V 47mohm @ 16a, 5V 2V @ 250ma 80 nc @ 10 v ± 10V - 60W (TC)
2SD2123CSTL-E#J3 Renesas Electronics America Inc 2SD2123CSTL-E#J3 0.7500
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 3,000
NSBC143TPDXV6T5 onsemi NSBC143TPDXV6T5 0.0400
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000
RJK0380DPA-00#J53 Renesas Electronics America Inc RJK0380DPA-00#J53 1.2600
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000
RF1K4909096 Fairchild Semiconductor RF1K4909096 0.6200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RF1K4 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 12V 3.5A (TA) 50mohm @ 3.5a, 5V 2V @ 250µA 25NC @ 10V 750pf @ 10V 논리 논리 게이트
MTW24N40E onsemi MTW24N40E 6.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
NTD4N60 onsemi NTD4N60 0.4100
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
RJP30Y2ADPP-MB#T2F Renesas Electronics America Inc rjp30y2adpp-mb#t2f 1.7100
RFQ
 ECAD 222 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
2SK4028C-T1-A Renesas Electronics America Inc 2SK4028C-T1-A 0.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1,772
SCH2806-TL-E onsemi SCH2806-TL-E 0.0600
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 5,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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