전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce |
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![]() | AO3457 | - | ![]() | 9852 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-SMD, SOT-23-3 변형 | AO34 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AO3457tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4.3A (TA) | 4.5V, 10V | 48mohm @ 4.3a, 10V | 2.4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 520 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 6MS24017E33W3274NOSA1 | - | ![]() | 8740 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS800R07A2E3BOSA2 | - | ![]() | 3574 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hybridpack ™ 2 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS800R07 | 1500 W. | 기준 | 기준 기준 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 3 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 700 a | 1.6V @ 15V, 550A | 5 MA | 예 | 52 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS800R07A2E3BOSA4 | - | ![]() | 2627 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hybridpack ™ 2 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS800R07 | 1500 W. | 기준 | 기준 기준 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 700 a | 1.6V @ 15V, 550A | 5 MA | 예 | 52 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
IRF530PBF-BE3 | 1.4000 | ![]() | 460 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF530 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-irf530pbf-be3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 14A (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 670 pf @ 25 v | - | 88W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irfrc20trpbf-be3 | 1.2900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFRC20 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-irfrc20trpbf-be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 600 v | 2A (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF830PBF-BE3 | 1.5800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF830 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-irf830pbf-be3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 4.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 610 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irfl9110trpbf-be3 | 0.8800 | ![]() | 1456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRFL9110 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 100 v | 1.1A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 660ma, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SQ4282EY-T1_BE3 | 1.5100 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4282 | MOSFET (금속 (() | 3.9W (TC) | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SQ4282EY-T1_BE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 8A (TC) | 12.3mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 47NC @ 10V | 2367pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI3430DV-T1-BE3 | 1.2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3430 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 1.8A (TA) | 6V, 10V | 170mohm @ 2.4a, 10V | 4.2V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB824S | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI22N03S4L-15 | 0.2400 | ![]() | 3307 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 897 | n 채널 | 30 v | 22A (TC) | 4.5V, 10V | 14.9mohm @ 22a, 10V | 2.2V @ 10µA | 14 nc @ 10 v | ± 16V | 980 pf @ 25 v | - | 31W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLC10G18XS-602AVTZ | 93.2600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | 65 v | 표면 표면 | SOT-1258-4 | BLC10 | 1.805GHz ~ 1.88GHz | LDMOS | SOT1258-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 20 | 이중, 소스 일반적인 | 2.8µA | 800 MA | 600W | 16db | - | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SCTWA35N65G2V | 18.6800 | ![]() | 5585 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SCTWA35 | sicfet ((카바이드) | TO-247 긴 7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-SCTWA35N65G2V | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 45A (TC) | 18V, 20V | 72mohm @ 20a, 20V | 3.2v @ 1ma | 73 NC @ 20 v | +20V, -5V | 73000 pf @ 400 v | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFC4568EB | - | ![]() | 2403 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 대부분 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 주사위 | MOSFET (금속 (() | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | n 채널 | 150 v | 171A (TA) | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | PMV48XPA215 | - | ![]() | 1736 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR302KL6327 | 0.0900 | ![]() | 4943 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ0908NDXTMA1 | - | ![]() | 8235 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | BSZ0908 | MOSFET (금속 (() | 700MW (TA), 860MW (TA) | PG-Wison-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 4.8A (TA), 7.6A (TA) | 18mohm @ 9a, 10v, 9mohm @ 9a, 10v | 2V @ 250µA | 3NC @ 4.5V, 6.4NC @ 4.5V | 340pf @ 15v, 730pf @ 15v | 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3278-E | 0.6400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | 2SK777U1-FRN | - | ![]() | 7820 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK680A-T2-AZ | 0.4600 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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