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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | NDS8934 | 0.5700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | NDS893 | MOSFET (금속 (() | 900MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 3.8a | 70mohm @ 3.8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 30NC @ 4.5V | 1120pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1768STPQ | - | ![]() | 4813 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | SC-72 형성 2 리드 | 300MW | spt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 80 v | 1 a | 1µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 20ma, 500ma | 120 @ 500ma, 3v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQA0011DNS#G0 | - | ![]() | 7516 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C | 표면 표면 | 3-dfn 노출 n | MOSFET (금속 (() | 2-HWSON (5x4) | - | 2156-RQA0011DNS#G0 | 1 | n 채널 | 16 v | 3.8A (TA) | - | - | 0.75V @ 1mA | ± 5V | 102 pf @ 0 v | - | 15W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA13-BP | - | ![]() | 5356 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MPSA13 | 625 MW | To-92 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 353-MPSA13-BP | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | npn-달링턴 | 1.5V @ 100µa, 100ma | 10000 @ 100MA, 5V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIG058E8-TL-H | 0.8200 | ![]() | 449 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | TIG058 | 기준 | 8- 초 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | - | 400 v | 150 a | 5.6V @ 4V, 100A | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | jantxv2n2221aua/tr | 26.7596 | ![]() | 2307 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 650 MW | UA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n2221aua/tr | 100 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N930UB/TR | - | ![]() | 6912 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/253 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N930 | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jans2n930ub/tr | 1 | 45 v | 30 MA | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SI4931DY-T1-GE3 | 1.2300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4931 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 12V | 6.7a | 18mohm @ 8.9a, 4.5v | 1V @ 350µA | 52NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | TSM80N950CH C5G | 2.7212 | ![]() | 1602 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | TSM80 | MOSFET (금속 (() | TO-251 (IPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 800 v | 6A (TC) | 10V | 950mohm @ 3a, 10V | 4V @ 250µA | 19.6 NC @ 10 v | ± 30V | 691 pf @ 100 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | pumh10/zlh | - | ![]() | 7512 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | pumh10 | 300MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 50V | 100ma | 100NA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 100MV @ 250µA, 5MA | 100 @ 10ma, 5V | 230MHz | 2.2kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGC4275B | - | ![]() | 9442 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | 기준 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | 400V, 200a, 5ohm, 15V | - | 650 v | 1.9V @ 15V, 200a | - | 380 NC | 130ns/280ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK4002DPD-00#J2 | 0.6453 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RJK4002 | MOSFET (금속 (() | MP-3A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -1161-RJK4002DPD-00#J2CT | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 400 v | 3A (TA) | 10V | 2.9ohm @ 1.5a, 10V | - | 6 nc @ 10 v | ± 30V | 165 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS2222ATX | 10.3474 | ![]() | 8371 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFB150N65X2 | 35.6000 | ![]() | 6241 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra X2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXFB150 | MOSFET (금속 (() | Plus264 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 650 v | 150A (TC) | 10V | 17mohm @ 75a, 10V | 5.5V @ 8mA | 430 nc @ 10 v | ± 30V | 20400 pf @ 25 v | - | 1560W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | APTGT150A60T3AG | 105.0300 | ![]() | 1279 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTGT150 | 600 w | 기준 | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 225 a | 1.9V @ 15V, 150A | 250 µA | 예 | 9.2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857W, 115 | 0.1700 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC857 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5ma, 100ma | 125 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BCW61B, 215 | 0.0200 | ![]() | 17 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BCW61B, 215-954 | 1 | 32 v | 100 MA | 20NA (ICBO) | PNP | 550MV @ 1.25ma, 50ma | 180 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM085N03PQ33 | 0.5699 | ![]() | 2961 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | TSM085 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (3.1x3.1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM085N03PQ33TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 30 v | 13A (TA), 52A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 13a, 10V | 2.5V @ 250µA | 14.3 NC @ 10 v | ± 20V | 817 pf @ 15 v | - | 2.3W (TA), 37W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD87330Q3D | 1.5600 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerldfn | CSD87330 | MOSFET (금속 (() | 6W | 8-LSON (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널 교량) | 30V | 20A | - | 2.1V @ 250µA | 5.8nc @ 4.5v | 900pf @ 15V | 논리 논리 게이트 |
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