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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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![]() | IRF214 | - | ![]() | 8900 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MMBT3906 | 0.1000 | ![]() | 9516 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 3,000 | 40 v | 200 MA | 50NA | PNP | 400mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | PSMN6R0-25YLB115 | - | ![]() | 3509 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BUK7M19-60E, 115 | - | ![]() | 3194 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | NDS8410A | 0.6000 | ![]() | 214 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 10.8A (TA) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 10.8A, 10V | 3V @ 250µA | 22 nc @ 5 v | ± 20V | 1620 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5116UA | 62.9550 | ![]() | 6823 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 500MW | UA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5116UA | 1 | p 채널 | 30 v | 27pf @ 15V | 30 v | 5 ma @ 15 v | 1 v @ 1 na | 175 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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