전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 전류 전류 (ID) - 최대 |
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![]() | NVB082N65S3F | 9.0600 | ![]() | 7306 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | NVB082 | MOSFET (금속 (() | D²PAK-3 (TO-263-3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 650 v | 40A (TC) | 10V | 82mohm @ 20a, 10V | 5V @ 4MA | 81 NC @ 10 v | ± 30V | 3410 pf @ 400 v | - | 313W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BSS139L6906HTSA1 | - | ![]() | 3797 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 250 v | 100MA (TA) | 0V, 10V | 14ohm @ 0.1ma, 10V | 1V @ 56µA | 3.5 nc @ 5 v | ± 20V | 76 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 360MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SI6924AEDQ-T1-GE3 | - | ![]() | 9759 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6924 | MOSFET (금속 (() | 1W | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 28V | 4.1a | 33mohm @ 4.6a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | umx1n | 0.0290 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMX1 | 150MW | SOT-363 | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-umx1ntr | 귀 99 | 3,000 | 50V | 150ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN (() | 400mv @ 5ma, 50ma | 120 @ 1ma, 6V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM4NB60CI | 1.1907 | ![]() | 6597 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | TSM4 | MOSFET (금속 (() | ITO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM4NB60CI | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 600 v | 4A (TC) | 10V | 2A, 2A, 10V 2.5ohm | 4.5V @ 250µA | 14.5 nc @ 10 v | ± 30V | 500 pf @ 25 v | - | 25W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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