SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
DMT3006LPB-13 Diodes Incorporated DMT3006LPB-13 0.2533
RFQ
ECAD 4085 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT3006 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 (유형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMT3006LPB-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 11a (TA), 35A (TC), 14A (TA), 50A (TC) 11.1MOHM @ 11.5A, 10V, 6MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA -
DMT6012LFV-13 Diodes Incorporated DMT6012LFV-13 0.2478
RFQ
ECAD 2623 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT6012 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (유형 UX) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMT6012LFV-13DI 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 43.3A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 22.2 NC @ 10 v ± 20V 1522 pf @ 30 v - 1.95W (TA), 33.78W (TC)
DMTH41M8SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH41M8SPSQ-13 1.8200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH41 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (k) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 1.8mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 79.5 nc @ 10 v ± 20V 6968 pf @ 20 v - 3.03W
PMPB10ENZ Nexperia USA Inc. pmpb10enz 0.1465
RFQ
ECAD 5050 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB10 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 9A, 10V 2V @ 250µA 20.6 NC @ 10 v ± 20V 840 pf @ 15 v - 1.8W (TA), 12.5W (TC)
NP20P06YLG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP20P06illg-e1-ay 0.5739
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powerldfn NP20P06 MOSFET (금속 (() 8-HSON (5x5.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 559-np20p06illg-e1-aydkr 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 47mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2407 pf @ 25 v - 1W (TA), 57W (TC)
NP45N06VDK-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP45N06VDK-e1-ay 1.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NP45N06 MOSFET (금속 (() TO-252 (MP-3ZP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 45A (TC) 4.5V, 10V 11.6MOHM @ 23A, 10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 25 v - 1.2W (TA), 75W (TC)
FF2MR12KM1HOSA1 Infineon Technologies FF2MR12KM1HOSA1 1.0000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF2MR12 MOSFET (금속 (() - Ag-62mm 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 n 채널 (채널 교량) 1200V (1.2kv) 500A (TC) 2.13MOHM @ 500A, 15V 5.15v @ 224ma 1340NC @ 15V 39700pf @ 800V -
BSZ0702LSATMA1 Infineon Technologies BSZ0702LSATMA1 1.2600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ0702 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 FL 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 17A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 36µA 22 nc @ 4.5 v ± 20V 3100 pf @ 30 v - 2.1W (TA), 69W (TC)
IXTY14N60X2 IXYS IXTY14N60X2 5.1800
RFQ
ECAD 118 0.00000000 ixys x2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXTY14 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTY14N60X2 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 600 v 14A (TC) 10V 250mohm @ 7a, 10V 4.5V @ 250µA 16.7 NC @ 10 v ± 30V 740 pf @ 25 v - 180W (TC)
TPCC8105,L1Q(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105, L1Q (cm -
RFQ
ECAD 1963 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 TPCC8105 MOSFET (금속 (() 8 3 3. (3.3x3.3) - 1 (무제한) 264-TPCC8105L1Q (CMTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 23A (TA) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 11.5a, 10V 2V @ 500µA 76 NC @ 10 v +20V, -25V 3240 pf @ 10 v - 700MW (TA), 30W (TC)
MBT3904DW1T1G-M01 onsemi MBT3904DW1T1G-M01 -
RFQ
ECAD 7436 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MBT3904 150MW SC-88/SC70-6/SOT-363 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma 50NA 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
AO3459 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3459 -
RFQ
ECAD 1941 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-SMD, SOT-23-3 변형 AO34 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-AO3459tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.6A (TA) 4.5V, 10V 110mohm @ 2.6a, 10V 2.4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 197 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
AO3457 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3457 -
RFQ
ECAD 9852 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-SMD, SOT-23-3 변형 AO34 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-AO3457tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4.3A (TA) 4.5V, 10V 48mohm @ 4.3a, 10V 2.4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 520 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
6MS24017E33W32274NOSA1 Infineon Technologies 6MS24017E33W3274NOSA1 -
RFQ
ECAD 8740 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1
IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix irfl9110trpbf-be3 0.8800
RFQ
ECAD 1456 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL9110 MOSFET (금속 (() SOT-223 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 1.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 660ma, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SQ4282EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4282EY-T1_BE3 1.5100
RFQ
ECAD 92 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4282 MOSFET (금속 (() 3.9W (TC) 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 742-SQ4282EY-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8A (TC) 12.3mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 47NC @ 10V 2367pf @ 15V -
SI3430DV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3430DV-T1-BE3 1.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3430 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 1.8A (TA) 6V, 10V 170mohm @ 2.4a, 10V 4.2V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
IRF530PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF530PBF-BE3 1.4000
RFQ
ECAD 460 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF530 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf530pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 88W (TC)
IRFRC20TRPBF-BE3 Vishay Siliconix irfrc20trpbf-be3 1.2900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFRC20 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-irfrc20trpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRF830PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF830PBF-BE3 1.5800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF830 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf830pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 610 pf @ 25 v - 74W (TC)
MSC750SMA170B4 Microchip Technology MSC750SMA170B4 5.6100
RFQ
ECAD 137 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSC750SMA170B4 귀 99 8541.29.0095 90 n 채널 1700 v 7A (TC) 20V 940mohm @ 2.5a, 20V 3.25v @ 100µa (타이핑) 11 NC @ 20 v +23V, -10V 184 pf @ 1360 v - 68W (TC)
RFP30N6LER4541 Harris Corporation RFP30N6LER4541 0.4200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 RFP30 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 -
IKP15N65H5XKSA1718 Infineon Technologies IKP15N65H5XKSA1718 -
RFQ
ECAD 7036 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 105 w PG-to220-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 400V, 7.5A, 39ohm, 15V 48 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 30 a 45 a 2.1V @ 15V, 15a 120µJ (on), 50µJ (OFF) 38 NC 17ns/160ns
FQPF19N20T Fairchild Semiconductor FQPF19N20T 0.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 100 v 11.8A (TC) 10V 150mohm @ 5.9a, 10V 5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1600 pf @ 25 v - 50W (TC)
SMMBFJ177LT1 onsemi SMMBFJ177LT1 -
RFQ
ECAD 7165 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.21.0095 3,000
BUK7575-100A,127 NXP USA Inc. BUK7575-100A, 127 0.3300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 23A (TA) 75mohm @ 13a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1210 pf @ 25 v - 99W (TA)
IRG4PH30KDPBF International Rectifier irg4ph30kdpbf -
RFQ
ECAD 7345 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 100 W. TO-247AC 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 800V, 10A, 23ohm, 15V 50 ns - 1200 v 20 a 40 a 4.2V @ 15V, 10A 950µJ (on), 1.15mj (OFF) 53 NC 39ns/220ns
FDMS9408 Fairchild Semiconductor FDMS9408 0.6700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDMS940 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000 -
2SB560E-MP-AE onsemi 2SB560E-MP-AE 0.1500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 1
FDMA0104 Fairchild Semiconductor FDMA0104 0.3100
RFQ
ECAD 11 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 FDMA01 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000 n 채널 20 v 9.4A (TA) 14.5mohm @ 9.4a, 4.5v 1V @ 250µA 17.5 nc @ 4.5 v 1680 pf @ 10 v - 1.9W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고