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트랜지스터 (100539)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온)
RF1S40N10SM Harris Corporation RF1S40N10SM 1.3200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 40a - - - - - -
RFD16N05L Harris Corporation RFD16N05L 1.1700
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 50 v 16A (TC) 4V, 5V 47mohm @ 16a, 5V 2V @ 250ma 80 nc @ 10 v ± 10V - 60W (TC)
2SD2123CSTL-E#J3 Renesas Electronics America Inc 2SD2123CSTL-E#J3 0.7500
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 3,000
RF1K4909096 Fairchild Semiconductor RF1K4909096 0.6200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RF1K4 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 12V 3.5A (TA) 50mohm @ 3.5a, 5V 2V @ 250µA 25NC @ 10V 750pf @ 10V 논리 논리 게이트
MTW24N40E onsemi MTW24N40E 6.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
NTD4N60 onsemi NTD4N60 0.4100
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
RJP30Y2ADPP-MB#T2F Renesas Electronics America Inc rjp30y2adpp-mb#t2f 1.7100
RFQ
 ECAD 222 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
2SK4028C-T1-A Renesas Electronics America Inc 2SK4028C-T1-A 0.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1,772
SCH2806-TL-E onsemi SCH2806-TL-E 0.0600
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 5,000
UPA2001GR-E2-A Renesas Electronics America Inc UPA2001GR-E2-A 0.8500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 5,000
RJL5014DPP-00#T2 Renesas Electronics America Inc RJL5014DPP-00#T2 5.0300
RFQ
 ECAD 788 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
NTD4906NT4H Sanyo NTD4906NT4H 0.2000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Sanyo * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500
SCH1305-TL-E onsemi SCH1305-TL-E 0.0700
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 5,000
NTD4809N-35H onsemi NTD4809N-35H 0.2000
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
VN10KC-T1 Siliconix VN10KC-T1 0.2800
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 실리코 실리코 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1
RF1K4915796 Fairchild Semiconductor RF1K4915796 0.8200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 6.3A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 6.3a, 10V 3V @ 250µA 88 NC @ 20 v ± 20V 1575 pf @ 25 v - 2W (TA)
2SK3288ENTL-E Renesas Electronics America Inc 2SK3288ENTL-e 0.1100
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
SFR9214TF Fairchild Semiconductor SFR9214TF 0.1400
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 (DPAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 250 v 1.53A (TC) 10V 4ohm @ 770ma, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 295 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 19W (TC)
RF1S530 Harris Corporation RF1S530 0.9300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
MMBT4125LT1 onsemi MMBT4125LT1 0.0700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
PMP5201Y/DG/B2115 NXP USA Inc. PMP5201Y/DG/B2115 0.1200
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
PMN52XP115 NXP USA Inc. PMN52XP115 0.0800
RFQ
 ECAD 636 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
SGF25-TR-E onsemi SGF25-TR-E 0.2900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
SGB15N60 Infineon Technologies SGB15N60 1.1300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SGB15N 기준 139 w PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 15a, 21ohm, 15V NPT 600 v 31 a 62 a 2.4V @ 15V, 15a 570µJ 76 NC 32ns/234ns
PMN40UPEA115 NXP USA Inc. PMN40UPEA115 0.2700
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4.7A (TA) 1.8V, 4.5V 43mohm @ 3a, 4.5v 950MV @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 8V 1820 pf @ 10 v - 500MW (TA), 8.33W (TC)
SFU9210TU Fairchild Semiconductor SFU9210TU 0.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 200 v 1.6A (TC) 10V 3ohm @ 800ma, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 285 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 19W (TC)
RJK0397DPA-02#J53 Renesas Electronics America Inc RJK0397DPA-02#J53 0.5500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000
NTD78N03R-035 onsemi NTD78N03R-035 0.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
SGL25N120RUFTU Fairchild Semiconductor SGL25N120RUFTU 1.0000
RFQ
 ECAD 6403 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA SGL25N 기준 270 W. 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 600V, 25A, 10ohm, 15V - 1200 v 40 a 75 a 3V @ 15V, 25A 1.6mj (on), 1.63mj (OFF) 165 NC 30ns/70ns
RJK0390DPA-WS#J53 Renesas Electronics America Inc RJK0390DPA-WS#J53 1.4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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