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![]() | JANSD2N2222AUA | 158.4100 | ![]() | 5615 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 650 MW | UA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansd2n2222aua | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||
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![]() | STF2LN60K3 | - | ![]() | 898 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF2LN | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 2A (TC) | 10V | 4.5ohm @ 1a, 10V | 4.5V @ 50µA | 12 nc @ 10 v | ± 30V | 235 pf @ 50 v | - | 20W (TC) | |||||||||||||
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![]() | DMT3002LPS-13 | 0.5733 | ![]() | 5417 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | DMT3002 | MOSFET (금속 (() | PowerDI5060-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.6mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 77 NC @ 10 v | ± 16V | 5000 pf @ 15 v | - | 1.2W (TA), 136W (TC) | |||||||||||||
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![]() | stu11n65m2 | 1.7400 | ![]() | 814 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II 플러스 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | STU11 | MOSFET (금속 (() | TO-251 (IPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 650 v | 7A (TC) | 10V | 670mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 12.5 nc @ 10 v | ± 25V | 410 pf @ 100 v | - | 85W (TC) | |||||||||||||
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PSMN5R9-30YL, 115 | - | ![]() | 6195 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | PSMN5 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 78A (TC) | 4.5V, 10V | 6.1MOHM @ 20A, 10V | 2.15v @ 1ma | 21.3 NC @ 10 v | ± 20V | 1226 pf @ 15 v | - | 63W (TC) |
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