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트랜지스터 (100539)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BB504CDS-TL-E Renesas Electronics America Inc BB504CDS-TL-E 0.2400
RFQ
 ECAD 963 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
BB502CBS-TL-H Renesas Electronics America Inc BB502CBS-TL-H 0.1800
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
2SJ328-Z-AZ Renesas Electronics America Inc 2SJ328-Z-AZ 2.7800
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 125
ISL9N310AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N310AP3 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 62A (TC) 4.5V, 10V 10ohm @ 62a, 10a 3V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 15 v - 70W (TA)
IPI80N04S3-04 Infineon Technologies IPI80N04S3-04 -
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 ECAD 8281 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 370
2SC2909S onsemi 2SC2909S 0.0700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 온세미 * 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1
2SJ316-TD-E onsemi 2SJ316-TD-E 0.2900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 * 대부분 쓸모없는 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,000
BB503CCS-TL-E Renesas Electronics America Inc BB503CCS-TL-E 0.1800
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 쓸모없는 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1,623
CE1F3P-AZ Renesas Electronics America Inc CE1F3P-AZ 0.5400
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 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
F4-50R12MS4 Infineon Technologies F4-50R12ms4 50.1300
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 ECAD 901 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 2 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F4-50R 355 w 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 인버터 - 1200 v 70 a 3.75V @ 15V, 50A 1 MA 예 3.4 NF @ 25 v
FDU6644 Fairchild Semiconductor FDU6644 1.4800
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 204 n 채널 30 v 67A (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 16a, 10V 3V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 16V 3087 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
FF100R12MT4 Infineon Technologies FF100R12MT4 -
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 ECAD 9329 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
2SA1652-AZ Renesas Electronics America Inc 2SA1652-AZ -
RFQ
 ECAD 7299 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 129
FS450R12KE4BDSA1 Infineon Technologies FS450R12KE4BDSA1 734.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Econopack ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 2250 w 기준 Ag-Econopp-1-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 트렌치 트렌치 정지 1200 v 675 a 2.1V @ 15V, 450A 3 MA 예 28 nf @ 25 v
BC848AWT1G onsemi BC848AWT1G 0.0200
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
FS5ASJ-06F-T13#B00 Renesas Electronics America Inc FS5ASJ-06F-T13#B00 0.7400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000
2SC4570-T1-A Renesas Electronics America Inc 2SC4570-T1-A 0.1000
RFQ
 ECAD 198 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
2SA1566JIETL-E Renesas Electronics America Inc 2SA1566Jietl-e 0.1500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
2SC4521S-TD-E onsemi 2SC4521S-TD-E 0.2000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 1,000
2SA1627-T-AZ Renesas Electronics America Inc 2SA1627-T-AZ 0.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
BC847CWH6327 Infineon Technologies BC847CWH6327 1.0000
RFQ
 ECAD 8620 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 250 MW PG-SOT323-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 250MHz
2SK1838S-E Renesas Electronics America Inc 2SK1838S-E 1.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
AUIRG35B60PD-E Infineon Technologies auirg35b60pd-e 1.0000
RFQ
 ECAD 4608 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 auirg35 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
BC847CWH6778 Infineon Technologies BC847CWH6778 0.0400
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 250 MW PG-SOT323-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 7,378 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 250MHz
BC848AE6327 Infineon Technologies BC848AE6327 0.0300
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 9,427 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 250MHz
2SC4616E-TL-E onsemi 2SC4616E-TL-E 0.4300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 700
FDU6682_NL Fairchild Semiconductor FDU6682_NL 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 75A (TA) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 17a, 10V 3V @ 250µA 31 NC @ 5 v ± 20V 2400 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
2SC4520T-TD-E onsemi 2SC4520T-TD-E 0.2800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 1,000
IRFF9132 Harris Corporation IRFF9132 0.9900
RFQ
 ECAD 1666 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() TO-205AF (TO-39) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 19 p 채널 100 v 5.5A (TC) 10V 400mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 25W (TC)
NSBC143TPDXV6T5 onsemi NSBC143TPDXV6T5 0.0400
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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