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![]() | SIHD9N60E-GE3 | 1.9500 | ![]() | 9189 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIHD9 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 9A (TC) | 10V | 368mohm @ 4.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 30V | 778 pf @ 100 v | - | 78W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP35A | - | ![]() | 3528 | 0.00000000 | 모토로라 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-218-3 | 125 w | TO-218 | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 25 a | - | NPN | - | 10 @ 15a, 4v | 3MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
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