전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | hufa76429p3 | - | ![]() | 2376 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 437 | n 채널 | 60 v | 47A (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 47a, 10V | 3V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 16V | 1480 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HAT2199R-EL-E | 0.8500 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 11A (TA) | 16.5mohm @ 5.5a, 10V | - | 7.5 NC @ 4.5 v | 1060 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75344A3 | 1.3700 | ![]() | 616 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 8mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 208 NC @ 20 v | ± 20V | 4855 pf @ 25 v | - | 288.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH6434-TL-E | 0.2300 | ![]() | 168 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | 6-CPH | - | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 6A (TA) | 41mohm @ 3a, 4v | - | 7 nc @ 4 v | 790 pf @ 10 v | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7764A | 0.9900 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 15A (TA) | 7.5mohm @ 15a, 4.5v | 2V @ 250µA | 40 nc @ 4.5 v | 3451 pf @ 15 v | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6572A | 1.7300 | ![]() | 373 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 16A (TA) | 2.5V, 4.5V | 6ohm @ 16a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 80 nc @ 4.5 v | ± 12V | 5914 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF40N25 | 2.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 360 | n 채널 | 250 v | 24A (TC) | 10V | 70mohm @ 12a, 10V | 5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 30V | 4000 pf @ 25 v | - | 108W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | sgp13n60uftu | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SGP13N60 | 기준 | 60 W. | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300V, 6.5A, 50ohm, 15V | - | 600 v | 13 a | 52 a | 2.6V @ 15V, 6.5A | 85µJ (on), 95µJ (OFF) | 25 NC | 20ns/70ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2810T1L-E1-ay | 1.0100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN3333 (3.3x3.3) | - | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 13A (TA) | 12MOHM @ 13A, 10V | 2.5V @ 1mA | 40 nc @ 10 v | 1860 pf @ 10 v | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mixg330pf1200ptsf | 157.0608 | ![]() | 8621 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | - | - | - | mixg330 | - | - | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-MIXG330PF1200PTSF | 24 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTQ32P20T | 6.0893 | ![]() | 1972 | 0.00000000 | ixys | Trenchp ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ32 | MOSFET (금속 (() | to-3p | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTQ32P20T | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | p 채널 | 200 v | 32A (TC) | 10V | 130mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 185 NC @ 10 v | ± 15V | 14500 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTA380N036T4-7-TR | 4.2820 | ![]() | 7461 | 0.00000000 | ixys | 도랑 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | IXTA380 | MOSFET (금속 (() | TO-263-7 (IXTA) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTA380N036T4-7-TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 36 v | 380A (TC) | 10V | 1MOHM @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 260 NC @ 10 v | ± 15V | 13400 pf @ 25 v | - | 480W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
IXTA08N120P-TRL | 2.5952 | ![]() | 1599 | 0.00000000 | ixys | 극선 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA08 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTA08N120P-TRLTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 1200 v | 800MA (TC) | 10V | 25ohm @ 400ma, 10V | 4.5V @ 50µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 333 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGT72N60A3-TRL | 8.7981 | ![]() | 4357 | 0.00000000 | ixys | genx3 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXGT72 | 기준 | 540 W. | TO-268 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXGT72N60A3-TRLTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | 480V, 50a, 3ohm, 15V | 34 ns | Pt | 600 v | 75 a | 400 a | 1.35V @ 15V, 60A | 1.38mj (on), 3.5mj (OFF) | 230 NC | 31ns/320ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Mixg120W1200pteh | 154.9675 | ![]() | 6401 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | - | - | - | MixG120 | - | - | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-MIXG120W1200PTEH | 24 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXG70IF1200NA | 25.1170 | ![]() | 5432 | 0.00000000 | ixys | X2PT ™, XPT ™ | 튜브 | 활동적인 | - | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXG70IF1200 | 기준 | SOT-227B | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXG70IF1200NA | 0000.00.0000 | 10 | - | Pt | 1200 v | 130 a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYK30N170CV1 | 27.4088 | ![]() | 7667 | 0.00000000 | ixys | XPT ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXYK30 | 기준 | 937 w | TO-264 (IXYK) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238- 30 K30N170CV1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 850V, 30A, 2.7OHM, 15V | 33 ns | Pt | 1700 v | 100 a | 250 a | 4V @ 15V, 30A | 3.6mj (on), 1.8mj (OFF) | 150 NC | 16ns/143ns | ||||||||||||||||||||||||
IXTA3N110-TRL | 4.3470 | ![]() | 1435 | 0.00000000 | ixys | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA3 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTA3N110-TRLTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 1100 v | 3A (TC) | 10V | 4ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
IXFA76N15T2-TRL | 3.8409 | ![]() | 7266 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Trencht2 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXFA76 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXFA76N15T2-TRLTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 76A (TC) | 10V | 22mohm @ 38a, 10V | 4.5V @ 250µA | 97 NC @ 10 v | ± 20V | 5800 pf @ 25 v | - | 350W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GTRA263902FC-V2-R0 | 185.3754 | ![]() | 4388 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | 간 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 125 v | 표면 표면 | H-37248C-4 | GTRA263902 | 2.495GHz ~ 2.69GHz | 헴 | H-37248C-4 | 다운로드 | 1697-GTRA263902FC-V2-R0TR | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 280 MA | 370W | 13.8dB | - | 48 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GTRA362802FC-V1-R0 | 197.9200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | 간 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 125 v | 표면 표면 | H-37248C-4 | GTRA362802 | 3.4GHz ~ 3.6GHz | 헴 | H-37248C-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 3A001B3 | 8541.29.0075 | 50 | - | 200 MA | 280W | 13.5dB | - | 48 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CGH40045P | 201.5300 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | 간 | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | 84 v | 표면 표면 | 440206 | 4GHz | 헴 | 440206 | 다운로드 | 1 (무제한) | 1697-CGH40045P | 귀 99 | 8541.29.0075 | 120 | - | 400 MA | 45W | 14db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFB201402FC-V1-R0 | - | ![]() | 8385 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | H-37248-4 | 2.01GHz ~ 2.025GHz | LDMOS | H-37248-4 | - | 1697-PTFB201402FC-V1-R0 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | 이중, 소스 일반적인 | 10µA | 650 MA | 140W | 16db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PXFE211507FC-V1-R0 | 66.3392 | ![]() | 2594 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 65 v | 표면 표면 | H-37248G-4/2 | PXFE211507 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | LDMOS | H-37248G-4/2 | 다운로드 | 1697-PXFE211507FC-V1-R0TR | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | 10µA | 900 MA | 170W | 18db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CGH40120P | 322.2202 | ![]() | 7372 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | 간 | 쟁반 | 활동적인 | 120 v | 표면 표면 | 440206 | CGH40120 | 2.5GHz | 헴 | 440206 | 다운로드 | 1697-CGH40120P | 귀 99 | 8541.29.0075 | 100 | - | 1 a | 120W | 15.5dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CGH27015P | 87.5968 | ![]() | 3229 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | 간 | 쟁반 | 활동적인 | 84 v | 표면 표면 | 440196 | CGH27015 | 2.3GHz ~ 2.9GHz | 헴 | 440196 | 다운로드 | 1697-CGH27015P | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 100 MA | 15W | 15db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK03B9DPA-00#J53 | 0.5100 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | MOSFET (금속 (() | 8-wpak | - | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 30A (TA) | 10.6mohm @ 15a, 10V | - | 7.4 NC @ 4.5 v | 1110 pf @ 10 v | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqu3n40tu | 0.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 70 | n 채널 | 400 v | 2A (TC) | 10V | 3.4ohm @ 1a, 10V | 5V @ 250µA | 7.5 NC @ 10 v | ± 30V | 230 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP2P25 | - | ![]() | 3576 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 750 | p 채널 | 250 v | 2.3A (TC) | 10V | 4ohm @ 1.15a, 10V | 5V @ 250µA | 8.5 NC @ 10 v | ± 30V | 250 pf @ 25 v | - | 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4935 | 1.0000 | ![]() | 6688 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS49 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 7a | 23mohm @ 7a, 10V | 3V @ 250µA | 21NC @ 5V | 1233pf @ 15V | 논리 논리 게이트 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고